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Influence of the back gate voltage on the total series resistence of fully depleted SOI MOSFETs at 300 K and 77 K
Influence of the back gate voltage on the total series resistence of fully depleted SOI MOSFETs at 300 K and 77 K
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Influence of the back gate voltage on the total series resistence of fully depleted SOI MOSFETs at 300 K and 77 K

Aparecido Sirley Nicolett João Antonio Martino 1959-; Eddy Simoen; Cor Claeys; International Symposium on Microelectronics Technology and Devices SBMICRO (17 2002 Porto Alegre, RS)

Morimoto, N.I.; Ribas, R.P.; Verdonck, P.B., eds Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2002 Pennington : The Electrochemical Society, 2002

Pennington The Electrochemical Society 2002

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2
Behavior of graded-channel fully depleted SOI NMOSFET at high temperatures
Behavior of graded-channel fully depleted SOI NMOSFET at high temperatures
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Behavior of graded-channel fully depleted SOI NMOSFET at high temperatures

Milene Galeti Marcelo Antonio Pavanello; João Antonio Martino 1959-; International Symposium on Microelectronics Technology and Devices SBMICRO (17 2002 Porto Alegre, RS)

Morimoto, N.I.; Ribas, P.R.; Verdonck, P.B., eds Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2002 Pennington : The Electrochemical Society, 2002

Pennington The Electrochemical Society 2002

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3
Determination of the silicon film doping concentration and the back interface oxide charge density using SOI-NMOS gate capacitor
Determination of the silicon film doping concentration and the back interface oxide charge density using SOI-NMOS gate capacitor
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Determination of the silicon film doping concentration and the back interface oxide charge density using SOI-NMOS gate capacitor

Victor Sonnenberg João Antonio Martino 1959-; International Symposium on Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2002 (17 2002 Porto Alegre, RS)

Morimoto, N.I.; Ribas, R.P.; Verdonck, P.B., eds Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2002 Pennington : The Electrochemical Society, 2002

Pennington The Electrochemical Society 2002

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4
Microelectronics Technology and Devices SBMicro 2003
Microelectronics Technology and Devices SBMicro 2003
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Microelectronics Technology and Devices SBMicro 2003

João Antonio Martino 1959- Marcelo Antonio Pavanello; Nilton Itiro Morimoto 1962-; International Symposium on Microelectronics Technology and Devices (18. 2003 São Paulo)

SBMicro proceedings

Pennington Electrochemical Society 2003

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5
The temperature mobility degradation influence on the ZTC of PD and FD SOI MOSFETs
The temperature mobility degradation influence on the ZTC of PD and FD SOI MOSFETs
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The temperature mobility degradation influence on the ZTC of PD and FD SOI MOSFETs

Luciano Mendes Camillo João Antonio Martino 1959-; Eddy Simoen; Cor Claeys; International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices (12 2005 Quebec, Canada)

Celler,G.K; Cristoloveanu, S.; Gámiz, F.; Fossum, J.G.; Izumi, K. International Symposium on Silicon-on-Insulator Technology and Devices XII: proceedings Pennington: The Electrochemical Society, 2005

Pennington The Electrochemical Society 2005

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6
An improved current model for edgeless SOI MOSFETs
An improved current model for edgeless SOI MOSFETs
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An improved current model for edgeless SOI MOSFETs

Renato Camargo Giacomini João Antonio Martino 1959-

Martino J.A. ed ; Pavanello, M.A. ed ; Morimoto, N.I. ed Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003 Pennington : Electrochemical Society, 2003

Pennington Electrochemical Society 2003

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7
Study of series resistance and effective channel length behavior comparing graded-channel and conventional SOI nMOSFETs
Study of series resistance and effective channel length behavior comparing graded-channel and conventional SOI nMOSFETs
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Livro 		Adicionar ao Meu Espaço

Study of series resistance and effective channel length behavior comparing graded-channel and conventional SOI nMOSFETs

Galba Falce de Almeida Aparecido Sirley Nicolett; João Antonio Martino 1959-

Martino J.A. ed ; Pavanello, M.A. ed ; Morimoto, N.I. ed Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003 Pennington : Electrochemical Society, 2003

Pennington Electrochemical Society 2003

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8
Analysis of the capacitance vs. voltage in graded channel SOI capacitor
Analysis of the capacitance vs. voltage in graded channel SOI capacitor
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Analysis of the capacitance vs. voltage in graded channel SOI capacitor

Victor Sonnenberg João Antonio Martino 1959-; International Symposium on Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2003 (18 2003 São Paulo, SP)

Martino J.A. ed ; Pavanello, M.A. ed ; Morimoto, N.I. ed Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003 Pennington : Electrochemical Society, 2003

Pennington Electrochemical Society 2003

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9
Um processo CMOS de cavidade dupla para comprimento de porta de 2'mu'm - resultados finais
Um processo CMOS de cavidade dupla para comprimento de porta de 2'mu'm - resultados finais
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Um processo CMOS de cavidade dupla para comprimento de porta de 2'mu'm - resultados finais

João Antonio Martino 1959- Jacobus Willibrordus Swart 1950-; Congresso da Sociedade Brasileira de Microeletrônica (4. 1989 Porto Alegre)

Anais

Porto Alegre Sociedade Brasileira de Microeletrônica 1989

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10
Physical characterization and reliability aspects of MuGFETs
Physical characterization and reliability aspects of MuGFETs
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Physical characterization and reliability aspects of MuGFETs

Cor Claeys Eddy Simoen; J.M Rafi; Marcelo Antonio Pavanello; João Antonio Martino 1959-; International Symposium on Microelectronics Technology and Devices SBMICRO (22. (2007 Rio de Janeiro, RJ); Symposium on Integrated Circuits and Systems Design (20. 2007 Rio de Janeiro, RJ); Microelectronics Students Forum (7. 2007 Rio de Janeiro, RJ)

SBMicro 2007

Pennington The Electrochemical Society 2007

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