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1
Magnetic Characteristic of Mn + Ion Implanted GaN Epilayer
Magnetic Characteristic of Mn + Ion Implanted GaN Epilayer
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Magnetic Characteristic of Mn + Ion Implanted GaN Epilayer

Hae Kwon, Yoon Shon ; Young Kim, Deuk ; Won Kang, Xiangjun Fan

Japanese Journal of Applied Physics, 2001, Vol.40 (9R), p.5304-5305 [Periódico revisado por pares]

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2
Size and Interface State Dependence of the Luminescence Properties in Si Nanocrystals
Size and Interface State Dependence of the Luminescence Properties in Si Nanocrystals
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Size and Interface State Dependence of the Luminescence Properties in Si Nanocrystals

Ahn, Chang-Geun ; Jang, Tae-Su ; Kim, Kwang-Hee ; Kwon, Young-Kyu ; Kang, Bongkoo

Japanese Journal of Applied Physics, 2003, Vol.42 (Part 1, No. 4B), p.2382-2386 [Periódico revisado por pares]

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3
An Evaluation Process of Polymeric Adhesive Wafer Bonding for Vertical System Integration
An Evaluation Process of Polymeric Adhesive Wafer Bonding for Vertical System Integration
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An Evaluation Process of Polymeric Adhesive Wafer Bonding for Vertical System Integration

Kwon, Yongchai ; Seok, Jongwon

Japanese Journal of Applied Physics, 2005-06, Vol.44 (6R), p.3893 [Periódico revisado por pares]

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4
Performance of New Self-Aligned InP/InGaAs Heterojunction Bipolar Transistors Using Crystallographically Defined Emitter Contact Technology
Performance of New Self-Aligned InP/InGaAs Heterojunction Bipolar Transistors Using Crystallographically Defined Emitter Contact Technology
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Performance of New Self-Aligned InP/InGaAs Heterojunction Bipolar Transistors Using Crystallographically Defined Emitter Contact Technology

Kim, Moonjung ; Kim, Taeho ; Jeon, Sookun ; Yoon, Myounghoon ; Kwon, Young-Se ; Yang, Kyounghoon

Japanese Journal of Applied Physics, 2002, Vol.41 (Part 1, No. 2B), p.1139-1142 [Periódico revisado por pares]

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5
Photo-enhanced Magnetoresistance Effect in GaAs with Nanoscale Magnetic Clusters
Photo-enhanced Magnetoresistance Effect in GaAs with Nanoscale Magnetic Clusters
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Photo-enhanced Magnetoresistance Effect in GaAs with Nanoscale Magnetic Clusters

Shon, Yoon ; Yuldashev, Shavkat U. ; Fan, Xiangjun ; Fu, Dejun ; Kwon, Young Hae ; Hong, Chi Yhou ; Kang, Tae Won

Japanese Journal of Applied Physics, 2001, Vol.40 (5R), p.3082-3084 [Periódico revisado por pares]

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6
An InGaAsP/InP Twin-Guide Laser Diode with Rectangular Ring Cavity
An InGaAsP/InP Twin-Guide Laser Diode with Rectangular Ring Cavity
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An InGaAsP/InP Twin-Guide Laser Diode with Rectangular Ring Cavity

Jeon, Soo-Kun ; Kim, Bun-Joong ; Kim, Moon-Jung ; Cha, Jung-Ho ; Kim, Jae-Ho ; Kwon, Young-Se

Japanese Journal of Applied Physics, 2002-04, Vol.41 (Part 1, No. 4B), p.2556-2558 [Periódico revisado por pares]

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7
Noise parameter extraction of a GaAs MESFET with Monte-Carlo simulation
Noise parameter extraction of a GaAs MESFET with Monte-Carlo simulation
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Noise parameter extraction of a GaAs MESFET with Monte-Carlo simulation

BAEK, J ; KWON, Y ; HONG, S

Japanese Journal of Applied Physics, 1997, Vol.36 (3B), p.1862-1865 [Periódico revisado por pares]

Tokyo: Japanese journal of applied physics

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8
Theoretical comparison of (111) and (100) GaAs/AlGaAs p-type quantum well infrared photodetectors
Theoretical comparison of (111) and (100) GaAs/AlGaAs p-type quantum well infrared photodetectors
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Theoretical comparison of (111) and (100) GaAs/AlGaAs p-type quantum well infrared photodetectors

CHO, T ; KIM, H ; KWON, Y ; HONG, S

Japanese Journal of Applied Physics, 1996, Vol.35 (4A), p.2164-2167 [Periódico revisado por pares]

Tokyo: Japanese journal of applied physics

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9
New fabrication technology for integrating field effect transistors and diodes
New fabrication technology for integrating field effect transistors and diodes
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New fabrication technology for integrating field effect transistors and diodes

JUNG, J.-W ; HONG, S.-C ; KWON, Y.-S

Japanese Journal of Applied Physics, 1996, Vol.35 (2B), p.1194-1197 [Periódico revisado por pares]

Tokyo: Japanese journal of applied physics

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10
Low temperature (≤550°C) fabrication of CMOS TFT's on rapid-thermal CVD polycrystalline silicon-germanium films
Low temperature (≤550°C) fabrication of CMOS TFT's on rapid-thermal CVD polycrystalline silicon-germanium films
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Low temperature (≤550°C) fabrication of CMOS TFT's on rapid-thermal CVD polycrystalline silicon-germanium films

LEE, S.-K ; CHOE, S.-M ; AHN, C.-G ; CHUNG, W.-J ; KWON, Y.-K ; KANG, B.-K ; KIM, O

Japanese Journal of Applied Physics, 1997, Vol.36 (3B), p.1389-1393 [Periódico revisado por pares]

Tokyo: Japanese journal of applied physics

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