skip to main content
Idioma:
Refinado por: assunto: Ion Implantation remover assunto: Ions remover assunto: Silicon remover
Result Number Material Type Add to My Shelf Action Record Details and Options
1
A method to determine the pressure and densities of gas stored in blisters: Application to H and He sequential ion implantation in silicon
A method to determine the pressure and densities of gas stored in blisters: Application to H and He sequential ion implantation in silicon
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

A method to determine the pressure and densities of gas stored in blisters: Application to H and He sequential ion implantation in silicon

Daghbouj, N. ; Cherkashin, N. ; Claverie, A.

Microelectronic engineering, 2018-04, Vol.190, p.54-56 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

Texto completo disponível

Citações Citado por
2
Reduction in thermal boundary conductance due to proton implantation in silicon and sapphire
Reduction in thermal boundary conductance due to proton implantation in silicon and sapphire
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Reduction in thermal boundary conductance due to proton implantation in silicon and sapphire

Hopkins, Patrick E. ; Department of Mechanical and Aerospace Engineering, University of Virginia, Charlottesville, Virginia 22904 ; Hattar, Khalid ; Beechem, Thomas ; Ihlefeld, Jon F. ; Piekos, Edward S. ; Medlin, Douglas L.

Applied physics letters, 2011-06, Vol.98 (23) [Periódico revisado por pares]

United States

Texto completo disponível

Citações Citado por
3
Relative free energies of Si surfaces
Relative free energies of Si surfaces
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Relative free energies of Si surfaces

Follstaedt, D. M.

Applied physics letters, 1993-03, Vol.62 (10), p.1116-1118 [Periódico revisado por pares]

United States

Texto completo disponível

Citações Citado por
4
Epitaxial growth of beta-SiC on TiC[sub x] by reactive evaporation
Epitaxial growth of beta-SiC on TiC[sub x] by reactive evaporation
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Epitaxial growth of beta-SiC on TiC[sub x] by reactive evaporation

Parsons, J.D. ; Bunshah, R.F. ; Stafsudd, O.M.

Journal of the Electrochemical Society, 1993-06, Vol.140:6 [Periódico revisado por pares]

United States

Texto completo disponível

Citações Citado por
5
Crystalline-to-amorphous transition for Si-ion irradiation of Si(100)
Crystalline-to-amorphous transition for Si-ion irradiation of Si(100)
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Crystalline-to-amorphous transition for Si-ion irradiation of Si(100)

SCHULTZ, P. J ; JAGADISH, C ; RIDGWAY, M. C ; ELLIMAN, R. G ; WILLIAMS, J. S

Physical review. B, Condensed matter, 1991-10, Vol.44 (16), p.9118-9121

Woodbury, NY: American Physical Society

Texto completo disponível

Citações Citado por
6
Cavities in He-implanted Si: Internal'' surface science
Cavities in He-implanted Si: Internal'' surface science
Material Type:
Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Cavities in He-implanted Si: Internal'' surface science

Follstaedt, D.M. ; Myers, S.M. ; Stein, H.J.

United States 1992

Sem texto completo

Citações Citado por
7
Thermodynamics and kinetics of crystallization of amorphous silicon and germanium produced by ion implantation
Thermodynamics and kinetics of crystallization of amorphous silicon and germanium produced by ion implantation
Material Type:
Tese 		Adicionar ao Meu Espaço

Thermodynamics and kinetics of crystallization of amorphous silicon and germanium produced by ion implantation

Donovan, E.P.

United States: Harvard Univ.,Cambridge, MA 1982

Sem texto completo

Citações Citado por
8
Measurement of melt and solidification dynamics during pulsed laser irradiation
Measurement of melt and solidification dynamics during pulsed laser irradiation
Material Type:
Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Measurement of melt and solidification dynamics during pulsed laser irradiation

Peercy, P.S.

United States 1985

Sem texto completo

Citações Citado por
9
Solid‐phase‐epitaxial growth and formation of metastable alloys in ion implanted silicon
Solid‐phase‐epitaxial growth and formation of metastable alloys in ion implanted silicon
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Solid‐phase‐epitaxial growth and formation of metastable alloys in ion implanted silicon

Narayan, J. ; Holland, O. W. ; Appleton, B. R.

J. Vac. Sci. Technol., B; (United States), 1983-10, Vol.1 (4), p.871-887

New York, NY: American Institute of Physics

Sem texto completo

Citações Citado por
10
Focused ion beam processes for high-T/sub c/ superconductors
Focused ion beam processes for high-T/sub c/ superconductors
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Focused ion beam processes for high-T/sub c/ superconductors

Matsui, S. ; Ochiai, Y. ; Kojima, Y. ; Tsuge, H. ; Takado, N. ; Asakawa, K. ; Matsutera, H. ; Fujita, J. ; Yoshitake, T. ; Kubo, Y.

J. Vac. Sci. Technol., B; (United States), 1988-05, Vol.6:3

United States

Sem texto completo

Citações Citado por

Personalize Seus Resultados

  1. Editar

Refine Search Results

Expandir Meus Resultados

  1.   

Mostrar Somente

  1. Recursos Online (5)
  2. Revistas revisadas por pares (4)

Refinar Meus Resultados

Tipo de Recurso 

  1. Artigos  (7)
  2. Reports  (2)
  3. Anais de Congresso  (2)
  4. Dissertações  (1)
  5. Mais opções open sub menu

Data de Publicação 

De até
Refinar
  1. Antes de1982  (3)
  2. 1982Até1984  (2)
  3. 1985Até1990  (2)
  4. 1991Até1993  (4)
  5. Após 1993  (2)
  6. Mais opções open sub menu

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

Buscando em bases de dados remotas. Favor aguardar.