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Electrical operation of hole spin qubits in planar MOS silicon quantum dots
Electrical operation of hole spin qubits in planar MOS silicon quantum dots
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Electrical operation of hole spin qubits in planar MOS silicon quantum dots

Wang, Zhanning ; Sarkar, Abhikbrata ; Liles, S D ; Saraiva, Andre ; Dzurak, A S ; Hamilton, A R ; Culcer, Dimitrie

arXiv.org, 2023-09

Ithaca: Cornell University Library, arXiv.org

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2
Electrical operation of planar Ge hole spin qubits in an in-plane magnetic field
Electrical operation of planar Ge hole spin qubits in an in-plane magnetic field
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Electrical operation of planar Ge hole spin qubits in an in-plane magnetic field

Sarkar, Abhikbrata ; Wang, Zhanning ; Rendell, Mathew ; Hendrickx, Nico W ; Veldhorst, Menno ; Giordano Scappucci ; Khalifa, Mohammad ; Salfi, Joe ; Saraiva, Andre ; Dzurak, A S ; Hamilton, A R ; Culcer, Dimitrie

arXiv.org, 2023-07

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A singlet-triplet hole-spin qubit in MOS silicon
A singlet-triplet hole-spin qubit in MOS silicon
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A singlet-triplet hole-spin qubit in MOS silicon

Liles, S D ; Halverson, D J ; Wang, Z ; Shamim, A ; Eggli, R S ; Jin, I K ; Hillier, J ; Kumar, K ; Vorreiter, I ; Rendell, M ; Huang, J H ; Escott, C C ; Hudson, F E ; Lim, W H ; Culcer, D ; Dzurak, A S ; Hamilton, A R

arXiv.org, 2023-10

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Characterizing non-Markovian Quantum Process by Fast Bayesian Tomography
Characterizing non-Markovian Quantum Process by Fast Bayesian Tomography
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Characterizing non-Markovian Quantum Process by Fast Bayesian Tomography

Su, R Y ; Huang, J Y ; N Dumoulin Stuyck ; Feng, M K ; Gilbert, W ; Evans, T J ; Lim, W H ; Hudson, F E ; Chan, K W ; Huang, W ; Itoh, Kohei M ; Harper, R ; Bartlett, S D ; Yang, C H ; Laucht, A ; Saraiva, A ; Tanttu, T ; Dzurak, A S

arXiv.org, 2023-10

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5
Geometric formalism for constructing arbitrary single-qubit dynamically corrected gates
Geometric formalism for constructing arbitrary single-qubit dynamically corrected gates
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Geometric formalism for constructing arbitrary single-qubit dynamically corrected gates

Zeng, Junkai ; Yang, C H ; Dzurak, A S ; Barnes, Edwin

arXiv.org, 2019-08

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Development of an Undergraduate Quantum Engineering Degree
Development of an Undergraduate Quantum Engineering Degree
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Development of an Undergraduate Quantum Engineering Degree

Dzurak, A S ; Epps, J ; Laucht, A ; Malaney, R ; Morello, A ; Nurdin, H I ; Pla, J J ; Saraiva, A ; Yang, C H

arXiv.org, 2021-10

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Scaling silicon-based quantum computing using CMOS technology: State-of-the-art, Challenges and Perspectives
Scaling silicon-based quantum computing using CMOS technology: State-of-the-art, Challenges and Perspectives
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Scaling silicon-based quantum computing using CMOS technology: State-of-the-art, Challenges and Perspectives

Gonzalez-Zalba, M F ; de Franceschi, S ; Charbon, E ; Meunier, T ; Vinet, M ; Dzurak, A S

arXiv.org, 2020-11

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Fast Bayesian tomography of a two-qubit gate set in silicon
Fast Bayesian tomography of a two-qubit gate set in silicon
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Fast Bayesian tomography of a two-qubit gate set in silicon

Evans, T J ; Huang, W ; Yoneda, J ; Harper, R ; Tanttu, T ; Chan, K W ; Hudson, F E ; Itoh, K M ; Saraiva, A ; Yang, C H ; Dzurak, A S ; Bartlett, S D

arXiv.org, 2021-07

Ithaca: Cornell University Library, arXiv.org

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Coherent control of electron spin qubits in silicon using a global field
Coherent control of electron spin qubits in silicon using a global field
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Coherent control of electron spin qubits in silicon using a global field

Vahapoglu, E ; Slack-Smith, J P ; Leon, R C C ; Lim, W H ; Hudson, F E ; Day, T ; Cifuentes, J D ; Tanttu, T ; Yang, C H ; Saraiva, A ; Abrosimov, N V ; H -J Pohl ; Thewalt, M L W ; Laucht, A ; Dzurak, A S ; Pla, J J

arXiv.org, 2021-10

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10
Single-electron spin resonance in a nanoelectronic device using a global field
Single-electron spin resonance in a nanoelectronic device using a global field
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Single-electron spin resonance in a nanoelectronic device using a global field

Vahapoglu, E ; Slack-Smith, J P ; Leon, R C C ; Lim, W H ; Hudson, F E ; Day, T ; Tanttu, T ; Yang, C H ; Laucht, A ; Dzurak, A S ; Pla, J J

arXiv.org, 2021-02

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