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III/V nano ridge structures for optical applications on patterned 300 mm silicon substrate
III/V nano ridge structures for optical applications on patterned 300 mm silicon substrate
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III/V nano ridge structures for optical applications on patterned 300 mm silicon substrate

Kunert, B. ; Guo, W. ; Mols, Y. ; Tian, B. ; Wang, Z. ; Shi, Y. ; Van Thourhout, D. ; Pantouvaki, M. ; Van Campenhout, J. ; Langer, R. ; Barla, K.

Applied physics letters, 2016-08, Vol.109 (9) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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2
Comparison of quantum well structures for room temperature continuous wave 980 nm lasers grown on (001) Si by MOCVD
Comparison of quantum well structures for room temperature continuous wave 980 nm lasers grown on (001) Si by MOCVD
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Comparison of quantum well structures for room temperature continuous wave 980 nm lasers grown on (001) Si by MOCVD

Huang, Jie ; Lin, Qi ; Luo, Wei ; Gu, Wen ; Lin, Liying ; Lau, Kei May

Applied physics letters, 2023-12, Vol.123 (26) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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Twisted system makes nanolasers shine together
Twisted system makes nanolasers shine together
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Twisted system makes nanolasers shine together

Tang, Liqin ; Chen, Zhigang

Nature (London), 2023-12, Vol.624 (7991), p.260-261 [Periódico revisado por pares]

England: Nature Publishing Group

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4
Interface dynamics and crystal phase switching in GaAs nanowires
Interface dynamics and crystal phase switching in GaAs nanowires
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Interface dynamics and crystal phase switching in GaAs nanowires

Jacobsson, Daniel ; Panciera, Federico ; Tersoff, Jerry ; Reuter, Mark C ; Lehmann, Sebastian ; Hofmann, Stephan ; Dick, Kimberly A ; Ross, Frances M

Nature (London), 2016-03, Vol.531 (7594), p.317-322 [Periódico revisado por pares]

England: Nature Publishing Group

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5
GaAsP solar cells on GaP/Si with low threading dislocation density
GaAsP solar cells on GaP/Si with low threading dislocation density
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GaAsP solar cells on GaP/Si with low threading dislocation density

Yaung, Kevin Nay ; Vaisman, Michelle ; Lang, Jordan ; Lee, Minjoo Larry

Applied physics letters, 2016-07, Vol.109 (3) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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6
Single-photon emission at 1.55 μm from MOVPE-grown InAs quantum dots on InGaAs/GaAs metamorphic buffers
Single-photon emission at 1.55 μm from MOVPE-grown InAs quantum dots on InGaAs/GaAs metamorphic buffers
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Single-photon emission at 1.55 μm from MOVPE-grown InAs quantum dots on InGaAs/GaAs metamorphic buffers

Paul, Matthias ; Olbrich, Fabian ; Höschele, Jonatan ; Schreier, Susanne ; Kettler, Jan ; Portalupi, Simone Luca ; Jetter, Michael ; Michler, Peter

Applied physics letters, 2017-07, Vol.111 (3) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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7
High-efficiency inverted metamorphic 1.7/1.1 eV GaInAsP/GaInAs dual-junction solar cells
High-efficiency inverted metamorphic 1.7/1.1 eV GaInAsP/GaInAs dual-junction solar cells
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High-efficiency inverted metamorphic 1.7/1.1 eV GaInAsP/GaInAs dual-junction solar cells

Jain, Nikhil ; Schulte, Kevin L. ; Geisz, John F. ; Friedman, Daniel J. ; France, Ryan M. ; Perl, Emmett E. ; Norman, Andrew G. ; Guthrey, Harvey L. ; Steiner, Myles A.

Applied physics letters, 2018-01, Vol.112 (5) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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8
InAs QDs on (111)-faceted Si (001) hollow substrates with strong emission at 1300 nm and 1550 nm
InAs QDs on (111)-faceted Si (001) hollow substrates with strong emission at 1300 nm and 1550 nm
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InAs QDs on (111)-faceted Si (001) hollow substrates with strong emission at 1300 nm and 1550 nm

Wei, Wen-Qi ; Wang, Jian-Huan ; Zhang, Bin ; Zhang, Jie-Yin ; Wang, Hai-Ling ; Feng, Qi ; Xu, Hong-Xing ; Wang, Ting ; Zhang, Jian-Jun

Applied physics letters, 2018-07, Vol.113 (5) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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9
Record-level quantum efficiency from a high polarization strained GaAs/GaAsP superlattice photocathode with distributed Bragg reflector
Record-level quantum efficiency from a high polarization strained GaAs/GaAsP superlattice photocathode with distributed Bragg reflector
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Record-level quantum efficiency from a high polarization strained GaAs/GaAsP superlattice photocathode with distributed Bragg reflector

Liu, Wei ; Chen, Yiqiao ; Lu, Wentao ; Moy, Aaron ; Poelker, Matthew ; Stutzman, Marcy ; Zhang, Shukui

Applied physics letters, 2016-12, Vol.109 (25) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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10
Coaxial GaAs-AlGaAs core-multishell nanowire lasers with epitaxial gain control
Coaxial GaAs-AlGaAs core-multishell nanowire lasers with epitaxial gain control
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Coaxial GaAs-AlGaAs core-multishell nanowire lasers with epitaxial gain control

Stettner, T. ; Zimmermann, P. ; Loitsch, B. ; Döblinger, M. ; Regler, A. ; Mayer, B. ; Winnerl, J. ; Matich, S. ; Riedl, H. ; Kaniber, M. ; Abstreiter, G. ; Koblmüller, G. ; Finley, J. J.

Applied physics letters, 2016-01, Vol.108 (1) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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