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Radiation Effects upon Gallium Arsenide Devices
Radiation Effects upon Gallium Arsenide Devices
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Radiation Effects upon Gallium Arsenide Devices

Schnurr, R. H. ; Southward, H. D.

IEEE transactions on nuclear science, 1968, Vol.15 (6), p.306-310 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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2
Improved photoemitters using GaAs and InGaAs
Improved photoemitters using GaAs and InGaAs
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Improved photoemitters using GaAs and InGaAs

Uebbing, J.J. ; Bell, R.L.

Proceedings of the IEEE, 1968-01, Vol.56 (9), p.1624-1625 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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3
Activation analysis for selenium and tellurium trace impurities in gallium, arsenic and gallium arsenide
Activation analysis for selenium and tellurium trace impurities in gallium, arsenic and gallium arsenide
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Activation analysis for selenium and tellurium trace impurities in gallium, arsenic and gallium arsenide

Rausch, H. ; Salamon, A.

Talanta (Oxford), 1968-01, Vol.15 (9), p.975-978 [Periódico revisado por pares]

Netherlands: Elsevier B.V

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4
Spatial distribution of excess carriers in electron-beam excited semiconductors
Spatial distribution of excess carriers in electron-beam excited semiconductors
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Spatial distribution of excess carriers in electron-beam excited semiconductors

Kyser, D.F. ; Wittry, D.B.

Proceedings of the IEEE, 1967-01, Vol.55 (5), p.733-734 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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5
Effect of Fast-Neutron Irradiation on Optical Attenuation in Compound Semiconductors
Effect of Fast-Neutron Irradiation on Optical Attenuation in Compound Semiconductors
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Effect of Fast-Neutron Irradiation on Optical Attenuation in Compound Semiconductors

McNichols, J. L. ; Hayes, P. ; Ginell, W. S.

IEEE transactions on nuclear science, 1967, Vol.14 (6), p.46-54 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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6
The Status of Transistor Research in Compound Semiconductors
The Status of Transistor Research in Compound Semiconductors
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The Status of Transistor Research in Compound Semiconductors

Jenny, Dietrich A.

Proceedings of the IRE, 1958-06, Vol.46 (6), p.959-968

IEEE

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7
Radioactivation Analysis of Copper in Gallium Arsenide as Semiconductor Material
Radioactivation Analysis of Copper in Gallium Arsenide as Semiconductor Material
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Radioactivation Analysis of Copper in Gallium Arsenide as Semiconductor Material

KUDO, Kiyoshi ; ARAKI, Hidemaro ; FUJIMOTO, Masatomo ; SATO, Yasuo

RADIOISOTOPES, 1967/10/15, Vol.16(10), pp.549-550

Japan Radioisotope Association

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8
Ejection Patterns in Low-Energy Sputtering of GaAs and GaP Crystals
Ejection Patterns in Low-Energy Sputtering of GaAs and GaP Crystals
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Ejection Patterns in Low-Energy Sputtering of GaAs and GaP Crystals

Comas, James ; Cooper, C. Burleigh

Journal of applied physics, 1968-01, Vol.39 (12), p.5736-5739 [Periódico revisado por pares]

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Ultra-Trace Determination of Rare Earths in Gallium Arsenide
Ultra-Trace Determination of Rare Earths in Gallium Arsenide
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Ultra-Trace Determination of Rare Earths in Gallium Arsenide

Wang, M. S.

Applied spectroscopy, 1968-11, Vol.22 (6), p.761-764 [Periódico revisado por pares]

London, England: SAGE Publications

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10
Ground Level and Estimated Space Performance of Cadmium Sulfide, Gallium Arsenide, Dendritic Silicon, and V-Ridge Concentrating Photovoltaic Panels
Ground Level and Estimated Space Performance of Cadmium Sulfide, Gallium Arsenide, Dendritic Silicon, and V-Ridge Concentrating Photovoltaic Panels
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Ground Level and Estimated Space Performance of Cadmium Sulfide, Gallium Arsenide, Dendritic Silicon, and V-Ridge Concentrating Photovoltaic Panels

Massie, L. D.

IEEE transactions on aerospace, 1964-04, Vol.2 (2), p.732-738

IEEE

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