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1
A Modelisation of the temperature dependence of the Fowler–Nordheim current in EEPROM memories
A Modelisation of the temperature dependence of the Fowler–Nordheim current in EEPROM memories
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

A Modelisation of the temperature dependence of the Fowler–Nordheim current in EEPROM memories

Roca, M. ; Laffont, R. ; Micolau, G. ; Lalande, F. ; Pizzuto, O.

Microelectronics and reliability, 2009-09, Vol.49 (9), p.1070-1073 [Periódico revisado por pares]

Kidlington: Elsevier Ltd

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2
Leakage paths identification in NVM using biased data retention
Leakage paths identification in NVM using biased data retention
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Leakage paths identification in NVM using biased data retention

Postel-Pellerin, J. ; Laffont, R. ; Micolau, G. ; Lalande, F. ; Regnier, A. ; Bouteille, B.

Microelectronics and reliability, 2010-09, Vol.50 (9), p.1474-1478 [Periódico revisado por pares]

Kidlington: Elsevier Ltd

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3
New EEPROM concept for single bit operation
New EEPROM concept for single bit operation
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

New EEPROM concept for single bit operation

Raguet, J.R. ; Laffont, R. ; Bouchakour, R. ; Bidal, V. ; Regnier, A. ; Mirabel, J.M.

Solid-state electronics, 2008-10, Vol.52 (10), p.1525-1529 [Periódico revisado por pares]

Oxford: Elsevier Ltd

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Citações Citado por
4
Tunneling injection temperature dependence in EEPROM cell
Tunneling injection temperature dependence in EEPROM cell
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Tunneling injection temperature dependence in EEPROM cell

Zahi, Y. ; Laffont, R. ; Lalande, F. ; Boutahar, S. ; Bouchakour, R.

Journal of non-crystalline solids, 2007-04, Vol.353 (5), p.648-652 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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5
An experimental method allowing quantifying and localizing failed cells of an EEPROM CAST after a retention test
An experimental method allowing quantifying and localizing failed cells of an EEPROM CAST after a retention test
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

An experimental method allowing quantifying and localizing failed cells of an EEPROM CAST after a retention test

Le Roux, C. ; Lopez, L. ; Firiti, A. ; Ogier, J.L. ; Lalande, F. ; Laffont, R. ; Micolau, G.

Solid-state electronics, 2008-10, Vol.52 (10), p.1550-1554 [Periódico revisado por pares]

Oxford: Elsevier Ltd

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Citações Citado por
6
An evaluation of the extrinsic cells number in a memory array using cross-correlation products and deconvolution: an instance of a microelectronics experimental inverse problem
An evaluation of the extrinsic cells number in a memory array using cross-correlation products and deconvolution: an instance of a microelectronics experimental inverse problem
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

An evaluation of the extrinsic cells number in a memory array using cross-correlation products and deconvolution: an instance of a microelectronics experimental inverse problem

Micolau, G. ; Postel-Pellerin, J. ; Laffont, R. ; Lalande, F. ; Le Roux, C. ; Ogier, J.-L.

Inverse problems in science and engineering, 2011-12, Vol.19 (8), p.1043-1062 [Periódico revisado por pares]

Abingdon: Taylor & Francis

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7
A new method to quantify retention-failed cells of an EEPROM CAST
A new method to quantify retention-failed cells of an EEPROM CAST
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

A new method to quantify retention-failed cells of an EEPROM CAST

Le Roux, C. ; Lopez, L. ; Firiti, A. ; Ogier, J.L. ; Lalande, F. ; Laffont, R. ; Micolau, G.

Microelectronics and reliability, 2007-09, Vol.47 (9), p.1609-1613 [Periódico revisado por pares]

Oxford: Elsevier Ltd

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8
A new architecture of dual control gate EEPROM
A new architecture of dual control gate EEPROM
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

A new architecture of dual control gate EEPROM

Regnier, A. ; Laffont, R. ; Bouchakour, R. ; Mirabel, J.M.

Journal of non-crystalline solids, 2005-07, Vol.351 (21), p.1906-1910 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

Texto completo disponível

Citações Citado por
9
A new floating gate compact model applied to flash memory cell
A new floating gate compact model applied to flash memory cell
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

A new floating gate compact model applied to flash memory cell

Laffont, R. ; Masson, P. ; Bernardini, S. ; Bouchakour, R. ; Mirabel, J.M.

Journal of non-crystalline solids, 2003-07, Vol.322 (1), p.250-255 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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Citações Citado por
10
New Fowler Nordheim current determination in EEPROM cell from transient measurements
New Fowler Nordheim current determination in EEPROM cell from transient measurements
Material Type:
Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

New Fowler Nordheim current determination in EEPROM cell from transient measurements

Laffont, R. ; Masson, P. ; Canet, P. ; Delsuc, B. ; Bouchakour, R. ; Mirabel, J.M.

ESSDERC '03. 33rd Conference on European Solid-State Device Research, 2003, 2003, p.71-74

IEEE

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