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Microtwin reduction in 3C-SiC heteroepitaxy
Microtwin reduction in 3C-SiC heteroepitaxy
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Microtwin reduction in 3C-SiC heteroepitaxy

Severino, A ; La Via, F

Applied physics letters, 2010-11, Vol.97 (18), p.181916-181916-3 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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2
Preferential oxidation of stacking faults in epitaxial off-axis (111) 3C-SiC films
Preferential oxidation of stacking faults in epitaxial off-axis (111) 3C-SiC films
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Preferential oxidation of stacking faults in epitaxial off-axis (111) 3C-SiC films

Severino, A. ; Camarda, M. ; Scalese, S. ; Fiorenza, P. ; Di Franco, S. ; Bongiorno, C. ; La Magna, A. ; La Via, F.

Applied physics letters, 2009-09, Vol.95 (11) [Periódico revisado por pares]

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3
Effect of the miscut direction in (111) 3C-SiC film growth on off-axis (111)Si
Effect of the miscut direction in (111) 3C-SiC film growth on off-axis (111)Si
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Effect of the miscut direction in (111) 3C-SiC film growth on off-axis (111)Si

Severino, A. ; Camarda, M. ; Condorelli, G. ; Perdicaro, L. M. S. ; Anzalone, R. ; Mauceri, M. ; La Magna, A. ; La Via, F.

Applied physics letters, 2009-03, Vol.94 (10) [Periódico revisado por pares]

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4
Heteroepitaxial growth of (111) 3C-SiC on (110) Si substrate by second order twins
Heteroepitaxial growth of (111) 3C-SiC on (110) Si substrate by second order twins
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Heteroepitaxial growth of (111) 3C-SiC on (110) Si substrate by second order twins

Anzalone, R. ; Bongiorno, C. ; Severino, A. ; D’Arrigo, G. ; Abbondanza, G. ; Foti, G. ; La Via, F.

Applied physics letters, 2008-06, Vol.92 (22), p.224102 [Periódico revisado por pares]

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Optical investigation of bulk electron mobility in 3C–SiC films on Si substrates
Optical investigation of bulk electron mobility in 3C–SiC films on Si substrates
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Optical investigation of bulk electron mobility in 3C–SiC films on Si substrates

Piluso, N. ; Severino, A. ; Camarda, M. ; Canino, A. ; La Magna, A. ; La Via, F.

Applied physics letters, 2010-10, Vol.97 (14), p.142103 [Periódico revisado por pares]

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Optical investigation of bulk electron mobility in 3C-SiC filmson Si substrates
Optical investigation of bulk electron mobility in 3C-SiC filmson Si substrates
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Optical investigation of bulk electron mobility in 3C-SiC filmson Si substrates

Piluso, N ; Severino, A ; Camarda, M ; Canino, A ; La Magna, A ; La Via, F

Applied physics letters, 2010-10, Vol.97 (14), p.142103-142103-3 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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Preferential oxidation of stacking faults in epitaxial off-axis (111) 3 C -SiC films
Preferential oxidation of stacking faults in epitaxial off-axis (111) 3 C -SiC films
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Preferential oxidation of stacking faults in epitaxial off-axis (111) 3 C -SiC films

Severino, A ; Camarda, M ; Scalese, S ; Fiorenza, P ; Di Franco, S ; Bongiorno, C ; La Magna, A ; La Via, F

Applied physics letters, 2009-09, Vol.95 (11), p.111905-111905-3 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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Heteroepitaxial growth of (111) 3 C - Si C on (110) Si substrate by second order twins
Heteroepitaxial growth of (111) 3 C - Si C on (110) Si substrate by second order twins
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Heteroepitaxial growth of (111) 3 C - Si C on (110) Si substrate by second order twins

Anzalone, R ; Bongiorno, C ; Severino, A ; D'Arrigo, G ; Abbondanza, G ; Foti, G ; La Via, F

Applied physics letters, 2008-06, Vol.92 (22), p.224102-224102-3 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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Effect of the miscut direction in (111) 3 C - Si C film growth on off-axis (111)Si
Effect of the miscut direction in (111) 3 C - Si C film growth on off-axis (111)Si
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Effect of the miscut direction in (111) 3 C - Si C film growth on off-axis (111)Si

Severino, A ; Camarda, M ; Condorelli, G ; Perdicaro, L M. S ; Anzalone, R ; Mauceri, M ; La Magna, A ; La Via, F

Applied physics letters, 2009-03, Vol.94 (10), p.101907-101907-3 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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