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Size and pressure dependence lattice thermal conductivity of Wurtzite GaN nanowires
Size and pressure dependence lattice thermal conductivity of Wurtzite GaN nanowires
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Size and pressure dependence lattice thermal conductivity of Wurtzite GaN nanowires

Abdullah, Diman M. ; Omar, M.S.

Solid state communications, 2024-01, Vol.377, p.115379, Article 115379 [Revista revisada por pares]

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Computational study of surface orientation effect of wurtzite GaN on CH4 and CO sensing mechanism
Computational study of surface orientation effect of wurtzite GaN on CH4 and CO sensing mechanism
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Computational study of surface orientation effect of wurtzite GaN on CH4 and CO sensing mechanism

Wang, Junjun ; Chen, Yaonan ; Wang, Yan ; Xu, Yonghao ; Zhang, Zhanying

Vacuum, 2023-02, Vol.208, p.111724, Article 111724 [Revista revisada por pares]

Elsevier Ltd

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Investigation of edge effect on wurtzite gallium nitride in nanoindentation using molecular dynamics simulation
Investigation of edge effect on wurtzite gallium nitride in nanoindentation using molecular dynamics simulation
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Investigation of edge effect on wurtzite gallium nitride in nanoindentation using molecular dynamics simulation

Liu, Huan ; Zhao, Pengyue ; Zhu, Wendong ; Pan, Jiansheng ; Wang, Ziyun ; Gao, Xifeng ; Wang, Shunbo ; Tan, Jiubin

Materials today communications, 2024-03, Vol.38, p.107748, Article 107748 [Revista revisada por pares]

Elsevier Ltd

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Piezoelectric lattice vibrations in GaN at optical frequencies
Piezoelectric lattice vibrations in GaN at optical frequencies
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Piezoelectric lattice vibrations in GaN at optical frequencies

Sahare, Priyanka ; Sahoo, Bijay Kumar

Physica. B, Condensed matter, 2022-04, Vol.630, p.413653, Article 413653 [Revista revisada por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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Effect of diamond grain shape on gallium nitride nano-grinding process
Effect of diamond grain shape on gallium nitride nano-grinding process
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Effect of diamond grain shape on gallium nitride nano-grinding process

Zhang, Shuai ; Dai, Houfu

Materials science in semiconductor processing, 2024-03, Vol.171, p.108034, Article 108034 [Revista revisada por pares]

Elsevier Ltd

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Electronic, magnetic, optical and transport properties of wurtzite-GaN doped with rare earth (RE= Pm, Sm, and Eu): First principles approach
Electronic, magnetic, optical and transport properties of wurtzite-GaN doped with rare earth (RE= Pm, Sm, and Eu): First principles approach
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Electronic, magnetic, optical and transport properties of wurtzite-GaN doped with rare earth (RE= Pm, Sm, and Eu): First principles approach

Maskar, E. ; Lamrani, A. Fakhim ; Belaiche, M. ; Es-Smairi, A. ; Khuili, M. ; Al-Qaisi, Samah ; Vu, Tuan V. ; Rai, D.P.

Surfaces and interfaces, 2021-06, Vol.24, p.101051, Article 101051 [Revista revisada por pares]

Elsevier B.V

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Defect-Induced Nucleation and Epitaxy: A New Strategy toward the Rational Synthesis of WZ-GaN/3C-SiC Core–Shell Heterostructures
Defect-Induced Nucleation and Epitaxy: A New Strategy toward the Rational Synthesis of WZ-GaN/3C-SiC Core–Shell Heterostructures
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Defect-Induced Nucleation and Epitaxy: A New Strategy toward the Rational Synthesis of WZ-GaN/3C-SiC Core–Shell Heterostructures

Liu, Baodan ; Yang, Bing ; Yuan, Fang ; Liu, Qingyun ; Shi, Dan ; Jiang, Chunhai ; Zhang, Jinsong ; Staedler, Thorsten ; Jiang, Xin

Nano letters, 2015-12, Vol.15 (12), p.7837-7846 [Revista revisada por pares]

United States: American Chemical Society

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Fabrication of GaN(1−x)Asx, Zinc‐Blende, or Wurtzite GaN Depending on GaAs Nitridation Temperature in a CVD System
Fabrication of GaN(1−x)Asx, Zinc‐Blende, or Wurtzite GaN Depending on GaAs Nitridation Temperature in a CVD System
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Fabrication of GaN(1−x)Asx, Zinc‐Blende, or Wurtzite GaN Depending on GaAs Nitridation Temperature in a CVD System

Ramírez‐González, Francisco Sebastian ; García‐Salgado, Godofredo ; Morales, Crisóforo ; Díaz, Tomás ; Rosendo, Enrique ; Nieto‐Caballero, Fabiola Gabriela ; Luna, José Alberto ; Coyopol, Antonio ; Romano, Román ; Galeazzi, Reina

Crystal research and technology (1979), 2018-08, Vol.53 (8), p.n/a [Revista revisada por pares]

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GaN-based low-power JLDG-MOSFETs: Effects of doping and gate work function
GaN-based low-power JLDG-MOSFETs: Effects of doping and gate work function
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GaN-based low-power JLDG-MOSFETs: Effects of doping and gate work function

Hasan, Nayeema ; Islam, Md Rafiqul ; Hasan, Md Tanvir

Heliyon, 2024-06, Vol.10 (11), p.e31834-e31834, Article e31834 [Revista revisada por pares]

Elsevier Ltd

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Investigation of self-heating effects in submicrometer GaN/AlGaN HEMTs using an electrothermal Monte Carlo method
Investigation of self-heating effects in submicrometer GaN/AlGaN HEMTs using an electrothermal Monte Carlo method
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Investigation of self-heating effects in submicrometer GaN/AlGaN HEMTs using an electrothermal Monte Carlo method

Sadi, T. ; Kelsall, R.W. ; Pilgrim, N.J.

IEEE transactions on electron devices, 2006-12, Vol.53 (12), p.2892-2900 [Revista revisada por pares]

New York, NY: IEEE

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