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Physical Sciences
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|---|---|---|---|
| 21 |
Material Type: Artigo
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Effect of Cr and Fe Substitution on the Transport Properties of the Nowotny Chimney–Ladder MnSiδ (1.73 < δ < 1.75) CompoundsPonnambalam, V. ; Morelli, Donald T.Journal of Electronic Materials, 2012-06, Vol.41 (6), p.1389-1394 [Periódico revisado por pares]Boston: Springer USTexto completo disponível |
| 22 |
Material Type: Artigo
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Thermopower enhancement in PbTe with Pb precipitatesHeremans, Joseph P ; Thrush, Christopher M ; Morelli, Donald TJournal of applied physics, 2005-09, Vol.98 (6), p.063703-063703-6 [Periódico revisado por pares]American Institute of PhysicsTexto completo disponível |
| 23 |
Material Type: Artigo
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The Thermoelectric Properties and Solubility Limit of CuFeS2(1−x)Se2xCarr, Winston D. ; Morelli, Donald T.Journal of electronic materials, 2016-03, Vol.45 (3), p.1346-1350 [Periódico revisado por pares]New York: Springer USTexto completo disponível |
| 24 |
Material Type: Artigo
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Thermoelectric Properties of Mn-Doped Cu2SnSe3Lu, Xu ; Morelli, Donald T.Journal of Electronic Materials, 2012-06, Vol.41 (6), p.1554-1558 [Periódico revisado por pares]Boston: Springer USTexto completo disponível |
| 25 |
Material Type: Artigo
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The role of simultaneous substitution of Cr and Ru on the thermoelectric properties of defect manganese silicides MnSiδ (1.73<δ<1.75)Ponnambalam, V. ; Morelli, Donald T. ; Bhattacharya, S. ; Tritt, Terry M.Journal of Alloys and Compounds, 2013-12, Vol.580, p.598-603 [Periódico revisado por pares]Kidlington: Elsevier B.VTexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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Interplay of chemical expansion, Yb valence, and low temperature thermoelectricity in the YbCu2Si2−xGex solid solutionLehr, Gloria J. ; Morelli, Donald T.Journal of applied physics, 2015-04, Vol.117 (13) [Periódico revisado por pares]Melville: American Institute of PhysicsTexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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Understanding the superior thermoelectric performance of Sb precipitated Ge17Sb2Te20Williams, Jared B ; Morelli, Donald TJournal of materials chemistry. C, Materials for optical and electronic devices, 2016, Vol.4 (42), p.10011-10017 [Periódico revisado por pares]Texto completo disponível |
| 28 |
Material Type: Artigo
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Using Ge Secondary Phases to Enhance the Power Factor and Figure of Merit of Ge17Sb2Te20Williams, Jared B. ; Morelli, Donald T.Journal of electronic materials, 2017-05, Vol.46 (5), p.2652-2661 [Periódico revisado por pares]New York: Springer USTexto completo disponível |
| 29 |
Material Type: Artigo
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Thermoelectric Properties of Hot-Pressed and PECS-Sintered Magnesium-Doped Copper Aluminum OxideLiu, Chang ; Morelli, Donald T.Journal of Electronic Materials, 2011-05, Vol.40 (5), p.678-681 [Periódico revisado por pares]Boston: Springer USTexto completo disponível |
| 30 |
Material Type: Artigo
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Engineering Temperature‐Dependent Carrier Concentration in Bulk Composite Materials via Temperature‐Dependent Fermi Level OffsetHui, Si ; Gao, Wenpei ; Lu, Xu ; Panda, Anurag ; Bailey, Trevor P. ; Page, Alexander A. ; Forrest, Stephen R. ; Morelli, Donald T. ; Pan, Xiaoqing ; Pipe, Kevin P. ; Uher, CtiradAdvanced energy materials, 2018-01, Vol.8 (3), p.n/a [Periódico revisado por pares]Weinheim: Wiley Subscription Services, IncTexto completo disponível |
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