Resultados de 1 a 10 de 19 para Produção Intelectual da USP
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Ragi, R
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Material Type: Artigo
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I-V characteristics of Schottky contacts based on quantum wiresRegiane Ragi Murilo Araújo RomeroMicroelectronics Journal Kidlington v. 37, n. 11, p. 1261-1264, Nov. 2006Kidlington 2006Acesso online |
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Material Type: Artigo
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I-V characteristics of Schottky contacts based on quantum wiresRegiane Ragi Murilo Araújo RomeroMicroelectronics Journal Kidlington v. 37, n. 11, p. 1261-1264, Nov. 2006Kidlington 2006Acesso online |
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Material Type: Artigo
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Fully analytical compact model for the I–V characteristics of large radius junctionless nanowire FETsRegiane Ragi Murilo Araújo RomeroIEEE Transactions on Nanotechnology Piscataway, NJ, USA : IEEE, 2019 v. 18, n. 1, p. 762-769, 2019Piscataway, NJ, USA 2019Item não circula. Consulte sua biblioteca.(Acessar) |
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Material Type: Artigo de Congresso
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On the modelling of the C-V characteristics of semiconductor nanowire transistorsRafael Vinicius Tayette da Nobrega Regiane Ragi; Murilo Araujo Romero; Argentine School of Micro-Nanoelectronics, Technology and Applications (5. 2010 Montevideo, Uruguay)Proceedings Montevideo, 2010Montevideo 2010Acesso online |
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Material Type: Artigo
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A novel self consistent calculation approach for the capacitance-voltage characteristics of semiconductor quantum wire transistors based on a split-gate configurationRegiane Ragi Rafael Vinícius Tayette da Nóbrega; Murilo Araujo RomeroCOMPEL : the international journal for computation and mathematics in electrical and electronic engineering Bingley v. 31, n. 2, p. 460-476, 2012Bingley 2012Item não circula. Consulte sua biblioteca.(Acessar) |
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Material Type: Artigo
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A novel self consistent calculation approach for the capacitance-voltage characteristics of semiconductor quantum wire transistors based on a split-gate configurationRegiane Ragi Rafael Vinícius Tayette da Nóbrega; Murilo Araujo RomeroCOMPEL : the international journal for computation and mathematics in electrical and electronic engineering Bingley v. 31, n. 2, p. 460-476, 2012Bingley 2012Item não circula. Consulte sua biblioteca.(Acessar) |
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Material Type: Artigo
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Transistores de alta mobilidade eletrônica (HEMTs) princípios de operação e características eletrônicasMurilo Araujo Romero Regiane Ragi; José Eduardo ManzoliRevista Brasileira de Ensino de Física São Paulo, SP v. 37, n. 4, p. 4306 (1-15), out./dez. 2015São Paulo, SP 2015Item não circula. Consulte sua biblioteca.(Acessar) |
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Material Type: Artigo de Congresso
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On the modeling of the resonant tunneling devices through the transfer-matrix methodRafael Vinicius Tayette da Nobrega Ulysses Rondina Duarte; Regiane Ragi; Murilo Araujo Romero; Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada (33. 2010 Águas de Lindóia, SP)Águas de Lindóia, 2010Águas de Lindóia 2010Item não circula. Consulte sua biblioteca.(Acessar) |
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Material Type: Artigo
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Accurate and fully analytical expressions for quantum energy levels in fnite potential wells for nanoelectronic compact modelingDaniel Ricardo Celino Murilo Araujo Romero; Regiane RagiJournal of Computational Electronics New York, NY, USA : Springer, 2021 online, p. 1-9New York, NY Springer 2021Localização: EESC - Esc. Engenharia de São Carlos (PROD-024677 )(Acessar) |
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Material Type: Artigo
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Analytical physics-based compact current–voltage model for 2D-2D resonant tunneling diodesDaniel Ricardo Celino Regiane Ragi; Murilo Araujo RomeroIEEE Transactions on Nanotechnology Piscataway, NJ, USA : IEEE, 2022 v. 21, p. 752-762, 2022Piscataway, NJ, USA IEEE 2022Localização: EESC - Esc. Engenharia de São Carlos (PROD-025515 )(Acessar) |
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