Result Number | Material Type | Add to My Shelf Action | Record Details and Options |
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Material Type: Tese de Doutorado
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Optimization of InAs/GaAs submonolayer quantum dots grown on GaAs(001) with a (2×4) surface reconstruction for infrared photodetectorsZeidan, Ahmad AlBiblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Instituto de Física 2023-07-13Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos. |
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Material Type: Tese de Doutorado
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Epitaxia por feixe molecular de camadas dopadas do tipo p para a construção de dispositivos optoeletrônicosLamas, Tomás EriksonBiblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Instituto de Física 2004-05-26Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos. |
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Material Type: Artigo de Congresso
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Realistic Simulations and Design of GaAs Solar Cells produced by Molecular Beam EpitaxyThales Borrely dos Santos Alain André Quivy; Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro) 26 a 30 de agosto de 2019 São Paulo, SP, Brasil 34thIEEE New York: IEEE-Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2019 04p., Proceedings PaperNew York IEEE-Institute of Electrical and Electronics Engineers 2019Item não circula. Consulte sua biblioteca.(Acessar) |
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Material Type: Vídeo
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MBE and MOVCD, new structures and devicesInstitute of Electrical and Electronics EngineersPiscataway, NJ Institute of Electrical and Electronics Engineers c1989Localização: EPELM - Esc. Politécnica-Bib Eng Elet., Mec. e Naval (VC 621.381 M459 v.4 )(Acessar) |
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Material Type: Livro
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Delta-doping of semiconductorsE. Fred SchubertCambridge Cambridge University Press New York 1996Localização: IF - Instituto de Física (621.38152 S384d ex.2 ) e outros locais(Acessar) |
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Material Type: Recurso Textual
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Papers from the 16th International Vacuum Microelectronics ConferenceInternational Vacuum Microelectronics Conference (16th 2003 Osaka, Japan) Yasuhiko Gotoh; Junzo Ishikawa; Mikio Takai; William Goodhue; American Vacuum Society; North American Conference on Molecular Beam Epitaxy (21st 2003 Keystone, Colo.)Issued as: Journal of vacuum science & technology. B, Microelectronics and nanometer structures 2nd ser., v. 22, no. 3 (May/June 2004)New York Published by AVS through the American Institute of Physics c2004Localização: IF - Instituto de Física (J.Vac.Sci.Technol.B v.22 n.3 )(Acessar) |
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Material Type: Dissertação de Mestrado
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Instrumentação eletrônica de apoio para um sistema de epitaxia por feixes molecularesArakaki, HaroldoBiblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Instituto de Física e Química de São Carlos 1994-03-29Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos. |
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Material Type: Artigo
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Strong photovoltaic effect in high-density InAlAs and InAs/InAlAs quantum-dot infrared photodetectorsM. S. Claro D. G Stroppa; Euzi Conceição Fernandes da Silva; Alain André Quivy https://orcid.org/0000-0002-6654-6239Sensors and Actuators A: Physical Amsterdam: Elsevier, 2020 v. 315, 2020, número do artigo: 112262Amsterdam 2020Item não circula. Consulte sua biblioteca.(Acessar) |
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Material Type: Dissertação de Mestrado
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Fabricação de células solares de GaAs contendo pontos quânticos de InAsMarcelo Delmondes de Lima Alain André Quivy2019Localização: IF - Instituto de Física (https://doi.org/10.11606/D.43.2019.tde-13092021-123518 )(Acessar) |
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Material Type: Dissertação de Mestrado
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Fabricação de células solares de GaAs contendo pontos quânticos de InAsLima, Marcelo Delmondes DeBiblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Instituto de Física 2019-05-13Acesso online |