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1
Estudo dinâmico de memórias 1T-DRAM.
Estudo dinâmico de memórias 1T-DRAM.
Material Type:
Dissertação de Mestrado 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo dinâmico de memórias 1T-DRAM.

Nissimoff, Albert

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2013-06-11

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

2
Dispositivo seguro e de baixo consumo capaz de transferir dados por internet servidor pessoal (SP)
Dispositivo seguro e de baixo consumo capaz de transferir dados por internet servidor pessoal (SP)
Material Type:
Monografia 		Adicionar ao Meu Espaço

Dispositivo seguro e de baixo consumo capaz de transferir dados por internet servidor pessoal (SP)

Albert Nissimoff Kátia Regina Akemi Sasaki; Rodrigo Bettini Alonso; Jorge Kinoshita 1963-

2010

Localização: EPELM - Esc. Politécnica-Bib Eng Elet., Mec. e Naval    (PSI TF-2010 N726d )(Acessar)

3
Observation of the Two-Sided Read Window on UTBOX SOI 1T-DRAM Measurement Setup, Numerical and Empirical Results
Observation of the Two-Sided Read Window on UTBOX SOI 1T-DRAM Measurement Setup, Numerical and Empirical Results
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Observation of the Two-Sided Read Window on UTBOX SOI 1T-DRAM Measurement Setup, Numerical and Empirical Results

Albert Nissimoff Cor Claeys; Marc Aoulaiche; Karen Lucia Mayumi Sasaki; Eddy Simoen; João Antonio Martino 1959-

Journal of Integrated Circuits and Systems v. 9, n. 2, p. 91-96, Jan 2014

2014

Acesso online

4
Spike Anneal Peak Temperature Impact on 1T-DRAM Retention Time
Spike Anneal Peak Temperature Impact on 1T-DRAM Retention Time
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Spike Anneal Peak Temperature Impact on 1T-DRAM Retention Time

Albert Nissimoff João Antonio Martino 1959-; Marc Aoulaiche; Anabela Veloso; Liesbeth J Witters; Eddy Simoen; Cor Claeys

IEEE Electron Device Letters v. 35, n. 6, p. 639-641, June 2014

2014

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5
Improved retention times in UTBOX nMOSFETs for 1T-DRAM applications
Improved retention times in UTBOX nMOSFETs for 1T-DRAM applications
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Improved retention times in UTBOX nMOSFETs for 1T-DRAM applications

Karen Lucia Mayumi Sasaki Talitha Nicoletti; L M Almeida; Sara Dereste dos Santos; Albert Nissimoff; Marc Aoulaiche; João Antonio Martino 1959-

Solid-State Electronics v.97, p. 30-37, July 2014

2014

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6
Improvement of Retention Time Using Pulsed Back Gate Bias on UTBOX SOI Memory Cell
Improvement of Retention Time Using Pulsed Back Gate Bias on UTBOX SOI Memory Cell
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Improvement of Retention Time Using Pulsed Back Gate Bias on UTBOX SOI Memory Cell

João Antonio Martino 1959- Katia Regina Akemi Sasaki; Albert Nissimoff; Luciano Mendes Almeida; Marc Aoulaiche; Eddy Simoen; Cor Claeys; European Workshop on Silicon on Insulator Technology, Devices and Circuits 2013 Paris, France) (9.

Anais EUROSOI 2013 Paris, 2013

Paris Institut Superieur d'Électronique 2013

Item não circula. Consulte sua biblioteca.(Acessar)

7
Governing food safety through meso-institutions a across-country analysis of the dairy sector
Governing food safety through meso-institutions a across-country analysis of the dairy sector
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Governing food safety through meso-institutions a across-country analysis of the dairy sector

Claude Ménard Gaetano Martino; Gustavo Magalhães de Oliveira; Annie Royer; Maria Sylvia Macchione Saes; Paula Sarita Bigio Schnaider Nissimoff

Applied Economic Perspectives and Policy Hoboken, NJ Published online: 27 April 2022

Hoboken, NJ 2022

Acesso online

8
Improved retention times in UTBOX nMOSFETs for 1T-DRAM applications
Improved retention times in UTBOX nMOSFETs for 1T-DRAM applications
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Improved retention times in UTBOX nMOSFETs for 1T-DRAM applications

Sasaki, K.R.A. ; Nicoletti, T. ; Almeida, L.M. ; dos Santos, S.D. ; Nissimoff, A. ; Aoulaiche, M. ; Simoen, E. ; Claeys, C. ; Martino, J.A.

Solid-state electronics, 2014-07, Vol.97, p.30-37 [Periódico revisado por pares]

Kidlington: Elsevier Ltd

Texto completo disponível

Citações Citado por
9
Semiconductor Film Bandgap Influence on Retention Time of UTBOX SOI 1T-FBRAM
Semiconductor Film Bandgap Influence on Retention Time of UTBOX SOI 1T-FBRAM
Material Type:
Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Semiconductor Film Bandgap Influence on Retention Time of UTBOX SOI 1T-FBRAM

Sasaki, Katia Regina Akemi ; Nissimoff, Albert ; Almeida, Luciano Mendes ; Aoulaiche, Marc ; Simoen, Eddy ; Claeys, Cor ; Martino, Joao Antonio

ECS transactions, 2013, Vol.53 (5), p.139-146

The Electrochemical Society, Inc

Texto completo disponível

Citações Citado por
10
Semiconductor Film Bandgap Influence on Retention Time of UTBOX SOI 1T-FBRAM
Semiconductor Film Bandgap Influence on Retention Time of UTBOX SOI 1T-FBRAM
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Semiconductor Film Bandgap Influence on Retention Time of UTBOX SOI 1T-FBRAM

Sasaki, Katia Regina Akemi ; Nissimoff, Albert ; Almeida, Luciano Mendes ; Aoulaiche, Marc ; Simoen, Eddy ; Claeys, Cor ; Martino, Joao Antonio

Meeting abstracts (Electrochemical Society), 2013-03, Vol.MA2013-01 (21), p.886-886

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  1. Nissimoff, A
  2. Martino, J
  3. Sasaki, K
  4. Aoulaiche, M
  5. Claeys, C

Neste Assunto:

  1. Transistores
  2. Physics
  3. Physics, Applied
  4. Physical Sciences
  5. Science & Technology

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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