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O diário de Susie anotações de uma garota de 16 anos
O diário de Susie anotações de uma garota de 16 anos
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O diário de Susie anotações de uma garota de 16 anos

Aidam Macfarlane Ann McPherson; Rubens Figueiredo

São Paulo 34 1999

Localização: FEBE - Escola de Aplicação    (028.5 M143ds 1999 )(Acessar)

2
Long wavelength emitting GaInN quantum wells on metamorphic GaInN buffer layers with enlarged in-plane lattice parameter
Long wavelength emitting GaInN quantum wells on metamorphic GaInN buffer layers with enlarged in-plane lattice parameter
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Long wavelength emitting GaInN quantum wells on metamorphic GaInN buffer layers with enlarged in-plane lattice parameter

Däubler, J. ; Passow, T. ; Aidam, R. ; Köhler, K. ; Kirste, L. ; Kunzer, M. ; Wagner, J.

Applied physics letters, 2014-09, Vol.105 (11) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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3
Comparative analysis of quantum cascade laser modeling based on density matrices and non-equilibrium Green's functions
Comparative analysis of quantum cascade laser modeling based on density matrices and non-equilibrium Green's functions
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Comparative analysis of quantum cascade laser modeling based on density matrices and non-equilibrium Green's functions

Lindskog, M. ; Wolf, J. M. ; Trinite, V. ; Liverini, V. ; Faist, J. ; Maisons, G. ; Carras, M. ; Aidam, R. ; Ostendorf, R. ; Wacker, A.

Applied physics letters, 2014-09, Vol.105 (10) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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Broadly tunable hetero-cascading quantum cascade lasers: Design, growth, and external cavity operation
Broadly tunable hetero-cascading quantum cascade lasers: Design, growth, and external cavity operation
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Broadly tunable hetero-cascading quantum cascade lasers: Design, growth, and external cavity operation

Yang, Q.K. ; Hugger, S. ; Aidam, R. ; Driad, R. ; Schilling, C. ; Heußen, H. ; Kirste, L. ; Ostendorf, R.

Journal of crystal growth, 2019-05, Vol.513, p.1-5 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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5
Charge-layer design considerations in SAGCM InGaAs/InAlAs avalanche photodiodes
Charge-layer design considerations in SAGCM InGaAs/InAlAs avalanche photodiodes
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Charge-layer design considerations in SAGCM InGaAs/InAlAs avalanche photodiodes

Kleinow, P. ; Rutz, F. ; Aidam, R. ; Bronner, W. ; Heussen, H. ; Walther, M.

Physica status solidi. A, Applications and materials science, 2016-04, Vol.213 (4), p.925-929 [Periódico revisado por pares]

Weinheim: Blackwell Publishing Ltd

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6
GaN-Based Submicrometer HEMTs With Lattice-Matched InAlGaN Barrier Grown by MBE
GaN-Based Submicrometer HEMTs With Lattice-Matched InAlGaN Barrier Grown by MBE
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

GaN-Based Submicrometer HEMTs With Lattice-Matched InAlGaN Barrier Grown by MBE

Lim, T ; Aidam, R ; Waltereit, P ; Henkel, T ; Quay, R ; Lozar, R ; Maier, T ; Kirste, L ; Ambacher, O

IEEE electron device letters, 2010-07, Vol.31 (7), p.671-673 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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7
GaSb-based 2.0 μm SDL with 17 W output power at 20°C
GaSb-based 2.0 μm SDL with 17 W output power at 20°C
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

GaSb-based 2.0 μm SDL with 17 W output power at 20°C

Holl, P ; Rattunde, M ; Adler, S ; Bächle, A ; Diwo-Emmer, E ; Aidam, R ; Wagner, J

Electronics letters, 2016-10, Vol.52 (21), p.1794-1795 [Periódico revisado por pares]

The Institution of Engineering and Technology

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8
N-type conductivity and properties of carbon-doped InN(0001) films grown by molecular beam epitaxy
N-type conductivity and properties of carbon-doped InN(0001) films grown by molecular beam epitaxy
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

N-type conductivity and properties of carbon-doped InN(0001) films grown by molecular beam epitaxy

Himmerlich, M. ; Knübel, A. ; Aidam, R. ; Kirste, L. ; Eisenhardt, A. ; Krischok, S. ; Pezoldt, J. ; Schley, P. ; Sakalauskas, E. ; Goldhahn, R. ; Félix, R. ; Mánuel, J. M. ; Morales, F. M. ; Carvalho, D. ; Ben, T. ; García, R. ; Koblmüller, G.

Journal of applied physics, 2013-01, Vol.113 (3) [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

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9
Compositional variation of nearly lattice-matched InAlGaN alloys for high electron mobility transistors
Compositional variation of nearly lattice-matched InAlGaN alloys for high electron mobility transistors
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Compositional variation of nearly lattice-matched InAlGaN alloys for high electron mobility transistors

Lim, T. ; Aidam, R. ; Kirste, L. ; Waltereit, P. ; Quay, R. ; Müller, S. ; Ambacher, O.

Applied physics letters, 2010-06, Vol.96 (25) [Periódico revisado por pares]

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10
InGaAs infrared detector development for SWIR imaging applications
InGaAs infrared detector development for SWIR imaging applications
Material Type:
Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

InGaAs infrared detector development for SWIR imaging applications

Rutz, F ; Kleinow, P ; Aidam, R ; Bronner, W ; Kirste, L ; Walther, M Huckridge, David A ; Ebert, Reinhard

Proceedings of SPIE, the international society for optical engineering, 2013, Vol.8896, p.88960C-88960C-7

SPIE

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  1. Macfarlane, A
  2. Figueiredo, R
  3. McPherson, A

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  2. Physical Sciences
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