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Doping semiconductor nanocrystals
Doping semiconductor nanocrystals
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Doping semiconductor nanocrystals

Erwin, Steven C ; Norris, David J ; Zu, Lijun ; Haftel, Michael I ; Efros, Alexander L ; Kennedy, Thomas A

Nature, 2005-07, Vol.436 (7047), p.91-94 [Periódico revisado por pares]

London: Nature Publishing

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2
Recent progress in processing and properties of ZnO
Recent progress in processing and properties of ZnO
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Recent progress in processing and properties of ZnO

PEARTON, S. J ; NORTON, D. P ; IP, K ; HEO, Y. W ; STEINER, T

Progress in materials science, 2005-03, Vol.50 (3), p.293-340 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: Elsevier

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Development of an interatomic potential for phosphorus impurities in α-iron
Development of an interatomic potential for phosphorus impurities in α-iron
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Development of an interatomic potential for phosphorus impurities in α-iron

Ackland, G J ; Mendelev, M I ; Srolovitz, D J ; Han, S ; Barashev, A V

Journal of physics. Condensed matter, 2004-07, Vol.16 (27), p.S2629-2642 [Periódico revisado por pares]

Bristol: IOP Publishing

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Ion Implantation and Annealing for an Efficient N-Doping of TiO2 Nanotubes
Ion Implantation and Annealing for an Efficient N-Doping of TiO2 Nanotubes
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Ion Implantation and Annealing for an Efficient N-Doping of TiO2 Nanotubes

Ghicov, Andrei ; Macak, Jan M. ; Tsuchiya, Hiroaki ; Kunze, Julia ; Haeublein, Volker ; Frey, Lothar ; Schmuki, Patrik

Nano letters, 2006-05, Vol.6 (5), p.1080-1082 [Periódico revisado por pares]

Washington, DC: American Chemical Society

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5
Production of Nitrogen-Doped Graphene by Low-Energy Nitrogen Implantation
Production of Nitrogen-Doped Graphene by Low-Energy Nitrogen Implantation
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Production of Nitrogen-Doped Graphene by Low-Energy Nitrogen Implantation

Zhao, W ; Höfert, O ; Gotterbarm, K ; Zhu, J.F ; Papp, C ; Steinrück, H.-P

Journal of physical chemistry. C, 2012-03, Vol.116 (8), p.5062-5066 [Periódico revisado por pares]

Columbus, OH: American Chemical Society

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6
Overcoming the doping bottleneck in semiconductors
Overcoming the doping bottleneck in semiconductors
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Overcoming the doping bottleneck in semiconductors

Wei, Su-Huai

Computational materials science, 2004-08, Vol.30 (3), p.337-348 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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7
Low-temperature hydrothermal synthesis of S-doped TiO2 with visible light photocatalytic activity
Low-temperature hydrothermal synthesis of S-doped TiO2 with visible light photocatalytic activity
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Low-temperature hydrothermal synthesis of S-doped TiO2 with visible light photocatalytic activity

WINGKEI HO ; YU, Jimmy C ; LEE, Shuncheng

Journal of solid state chemistry, 2006-04, Vol.179 (4), p.1171-1176 [Periódico revisado por pares]

San Diego, CA: Elsevier

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N-type doping of BaSi2 epitaxial films by phosphorus ion implantation and thermal annealing
N-type doping of BaSi2 epitaxial films by phosphorus ion implantation and thermal annealing
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N-type doping of BaSi2 epitaxial films by phosphorus ion implantation and thermal annealing

Hara, Kosuke O. ; Hoshi, Yusuke ; Usami, Noritaka ; Shiraki, Yasuhiro ; Nakamura, Kotaro ; Toko, Kaoru ; Suemasu, Takashi

Thin solid films, 2014-04, Vol.557, p.90-93 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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9
Doping and electrical properties of cubic boron nitride thin films: A critical review
Doping and electrical properties of cubic boron nitride thin films: A critical review
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Doping and electrical properties of cubic boron nitride thin films: A critical review

Zhang, X.W.

Thin solid films, 2013-10, Vol.544, p.2-12 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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10
Appearance of room-temperature ferromagnetism in Cu-doped TiO2-δ films
Appearance of room-temperature ferromagnetism in Cu-doped TiO2-δ films
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Appearance of room-temperature ferromagnetism in Cu-doped TiO2-δ films

DUHALDE, S ; VIGNOLO, M. F ; GOLMAR, F ; CHILIOTTE, C ; RODRIGUEZ TORRES, C. E ; ERRICO, L. A ; CABRERA, A. F ; RENTERFA, M ; SANCHEZ, F. H ; WEISSMANN, M

Physical review. B, Condensed matter and materials physics, 2005-10, Vol.72 (16), p.161313.1-161313.4 [Periódico revisado por pares]

Ridge, NY: American Physical Society

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