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Bulk Growth and Impurities
Bulk Growth and Impurities
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Bulk Growth and Impurities

Vines, Lasse ; Kuznetsov, Andrej

Semiconductors and Semimetals, 2013, Vol.88, p.67-104 [Periódico revisado por pares]

Elsevier Science & Technology

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Device Processing of Silicon Carbide
Device Processing of Silicon Carbide
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Device Processing of Silicon Carbide

Kimoto, Tsunenobu ; Cooper, James A Cooper, James A ; Kimoto, Tsunenobu

Fundamentals of Silicon Carbide Technology, 2014, p.189-276

Singapore: Wiley

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MICROWAVE TRANSISTORS FABRICATED BY ION-IMPLANTATION: SELECTION OF DOPING IMPURITIES AND PROTOTYPE REALIZATION
MICROWAVE TRANSISTORS FABRICATED BY ION-IMPLANTATION: SELECTION OF DOPING IMPURITIES AND PROTOTYPE REALIZATION
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MICROWAVE TRANSISTORS FABRICATED BY ION-IMPLANTATION: SELECTION OF DOPING IMPURITIES AND PROTOTYPE REALIZATION

Morizot, M. ; Dubee, A. ; Cornette, A.

pp 345-50 of Ion Implantation in Semiconductors. /Ruge, Ingolf (ed.). New York Springer-Verlag New York, Inc. (1971), 1971

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EFFECTS OF ARSENIC ION IMPLANTATION IN GaAs
EFFECTS OF ARSENIC ION IMPLANTATION IN GaAs
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EFFECTS OF ARSENIC ION IMPLANTATION IN GaAs

Itoh, T. ; Kushiro, Y.

pp 168-73 of Ion Implantation in Semiconductors. /Ruge, Ingolf (ed.). New York Springer-Verlag New York, Inc. (1971), 1971

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ION IMPLANTED THERMORESISTIVE DEVICE FOR CRYOGENIC TEMPERATURES
ION IMPLANTED THERMORESISTIVE DEVICE FOR CRYOGENIC TEMPERATURES
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ION IMPLANTED THERMORESISTIVE DEVICE FOR CRYOGENIC TEMPERATURES

Bernard, J. ; Guernet, G. ; Montier, M. ; Peccoud, L.

pp 397-403 of Ion Implantation in Semiconductors. /Ruge, Ingolf (ed.). New York Springer-Verlag New York, Inc. (1971), 1971

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