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Evaluation of dislocation-related defects in GaN using deep-level transient spectroscopy
Evaluation of dislocation-related defects in GaN using deep-level transient spectroscopy
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Evaluation of dislocation-related defects in GaN using deep-level transient spectroscopy

Tokuda, Yutaka ; Matuoka, Youichi ; Yoshida, Kazuhiro ; Ueda, Hiroyuki ; Ishiguro, Osamu ; Soejima, Narimasa ; Kachi, Tetsu

Physica status solidi. C, 2007-06, Vol.4 (7), p.2568-2571 [Periódico revisado por pares]

Berlin: WILEY-VCH Verlag

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Hall effect anomalies in n-type Pb1−x Eux Se layers grown on silicon
Hall effect anomalies in n-type Pb1−x Eux Se layers grown on silicon
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Hall effect anomalies in n-type Pb1−x Eux Se layers grown on silicon

Almaggoussi, A. ; Abounadi, A. ; Charar, S. ; Maurice, T. ; Breton, G.

Physica status solidi. A, Applications and materials science, 2007-10, Vol.204 (10), p.3496-3501 [Periódico revisado por pares]

Berlin: WILEY-VCH Verlag

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Physics and Current Understanding of X-Ray Storage Phosphors
Physics and Current Understanding of X-Ray Storage Phosphors
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Physics and Current Understanding of X-Ray Storage Phosphors

Schweizer, S.

Physica status solidi. A, Applied research, 2001-10, Vol.187 (2), p.335-393 [Periódico revisado por pares]

Berlin: WILEY-VCH Verlag Berlin GmbH

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Micro-structural anisotropy of a-plane GaN analyzed by high resolution X-ray diffraction
Micro-structural anisotropy of a-plane GaN analyzed by high resolution X-ray diffraction
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Micro-structural anisotropy of a-plane GaN analyzed by high resolution X-ray diffraction

Wieneke, Matthias ; Bläsing, Jürgen ; Dadgar, Armin ; Veit, Peter ; Metzner, Sebastian ; Bertram, Frank ; Christen, Jürgen ; Krost, Alois

Physica status solidi. C, 2009-06, Vol.6 (S2), p.S498-S501 [Periódico revisado por pares]

Berlin: WILEY-VCH Verlag

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Raman scattering analysis of GaN with various dislocation densities
Raman scattering analysis of GaN with various dislocation densities
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Raman scattering analysis of GaN with various dislocation densities

Kitamura, T. ; Nakashima, S. ; Nakamura, N. ; Furuta, K. ; Okumura, H.

Physica status solidi. C, 2008-05, Vol.5 (6), p.1789-1791 [Periódico revisado por pares]

Berlin: WILEY-VCH Verlag

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Strain engineering of AlGaN-GaN HFETs grown on 3 inch 4H-SiC
Strain engineering of AlGaN-GaN HFETs grown on 3 inch 4H-SiC
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Strain engineering of AlGaN-GaN HFETs grown on 3 inch 4H-SiC

Brunner, Frank ; Reentilä, Outi ; Würfl, Joachim ; Weyers, Markus

Physica status solidi. C, 2009-06, Vol.6 (S2), p.S1065-S1068 [Periódico revisado por pares]

Berlin: WILEY-VCH Verlag

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Mechanism of thermal degradation in GaInN/GaN quantum wells
Mechanism of thermal degradation in GaInN/GaN quantum wells
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Mechanism of thermal degradation in GaInN/GaN quantum wells

Bremers, H. ; Jönen, H. ; Hoffmann, L. ; Rossow, U. ; Hangleiter, A.

Physica status solidi. C, 2009-06, Vol.6 (S2), p.S594-S597 [Periódico revisado por pares]

Berlin: WILEY-VCH Verlag

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Preparation of 3 inch freestanding GaN substrates by hydride vapor phase epitaxy with void-assisted separation
Preparation of 3 inch freestanding GaN substrates by hydride vapor phase epitaxy with void-assisted separation
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Preparation of 3 inch freestanding GaN substrates by hydride vapor phase epitaxy with void-assisted separation

Yoshida, T. ; Oshima, Y. ; Eri, T. ; Watanabe, K. ; Shibata, M. ; Mishima, T.

Physica status solidi. A, Applications and materials science, 2008-05, Vol.205 (5), p.1053-1055 [Periódico revisado por pares]

Berlin: WILEY-VCH Verlag

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Micro-Raman study of strain fields around dislocations in GaAs
Micro-Raman study of strain fields around dislocations in GaAs
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Micro-Raman study of strain fields around dislocations in GaAs

Irmer, G. ; Jurisch, M.

Physica status solidi. A, Applications and materials science, 2007-07, Vol.204 (7), p.2309-2318 [Periódico revisado por pares]

Berlin: WILEY-VCH Verlag

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20
Modulus anomaly in magnesium matrix composites
Modulus anomaly in magnesium matrix composites
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Modulus anomaly in magnesium matrix composites

Chowdhury, A. S. M. F. ; Mari, D. ; Schaller, R.

Physica status solidi. A, Applications and materials science, 2010-03, Vol.207 (3), p.713-717 [Periódico revisado por pares]

Berlin: WILEY-VCH Verlag

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