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Estudo de transistores de tunelamento controlados por efeito de campo.
Estudo de transistores de tunelamento controlados por efeito de campo.
Material Type:
Dissertação de Mestrado 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo de transistores de tunelamento controlados por efeito de campo.

Martino, Márcio Dalla Valle

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2012-03-26

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

2
Transistores de tunelamento induzido por efeito de campo aplicados a circuitos básicos.
Transistores de tunelamento induzido por efeito de campo aplicados a circuitos básicos.
Material Type:
Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Transistores de tunelamento induzido por efeito de campo aplicados a circuitos básicos.

Martino, Marcio Dalla Valle

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2017-11-17

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

3
Nanoelectronic Materials, Devices and Modeling
Nanoelectronic Materials, Devices and Modeling
Material Type:
Livro 		Adicionar ao Meu Espaço

Nanoelectronic Materials, Devices and Modeling

Li, Qiliang ; Zhu, Hao

MDPI 2019

Texto completo disponível

Citações Citado por
4
Partial Isolation Type Saddle-FinFET(Pi-FinFET) for Sub-30 nm DRAM Cell Transistors
Partial Isolation Type Saddle-FinFET(Pi-FinFET) for Sub-30 nm DRAM Cell Transistors
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Partial Isolation Type Saddle-FinFET(Pi-FinFET) for Sub-30 nm DRAM Cell Transistors

Kim, Young ; Lee, Jin ; Kim, Geon ; Park, Taesik ; Kim, Hui ; Cho, Young ; Park, Young ; Lee, Myoung

Electronics (Basel), 2019-01, Vol.8 (1), p.8 [Periódico revisado por pares]

Basel: MDPI AG

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Citações Citado por
5
Measurement of Self-Heating of High-Frequency CMOS Clock Buffers
Measurement of Self-Heating of High-Frequency CMOS Clock Buffers
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Measurement of Self-Heating of High-Frequency CMOS Clock Buffers

Jenkins, Keith A. ; Weger, Alan J.

IEEE electron device letters, 2022-05, Vol.43 (5), p.686-688 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

Texto completo disponível

Citações Citado por
6
Heterojunction-Free GaN Nanochannel FinFETs With High Performance
Heterojunction-Free GaN Nanochannel FinFETs With High Performance
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Heterojunction-Free GaN Nanochannel FinFETs With High Performance

Ki-Sik Im ; Young-Woo Jo ; Jae-Hoon Lee ; Cristoloveanu, S. ; Jung-Hee Lee

IEEE electron device letters, 2013-03, Vol.34 (3), p.381-383 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

Texto completo disponível

Citações Citado por
7
A Novel Negative Capacitance FinFET With Ferroelectric Spacer: Proposal and Investigation
A Novel Negative Capacitance FinFET With Ferroelectric Spacer: Proposal and Investigation
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

A Novel Negative Capacitance FinFET With Ferroelectric Spacer: Proposal and Investigation

Chauhan, Vibhuti ; Samajdar, Dip Prakash ; Bagga, Navjeet ; Dixit, Ankit

IEEE transactions on ultrasonics, ferroelectrics, and frequency control, 2021-12, Vol.68 (12), p.3654-3657 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

Texto completo disponível

Citações Citado por
8
Design for Variability: Counter-Doped Source/Drain Epitaxy Pockets in Gate-All-Around FET
Design for Variability: Counter-Doped Source/Drain Epitaxy Pockets in Gate-All-Around FET
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Design for Variability: Counter-Doped Source/Drain Epitaxy Pockets in Gate-All-Around FET

Lim, Jaehyuk ; Han, Donghwan ; Seon, Sangwoo ; Baac, Hyoung Won ; Shin, Changhwan

IEEE transactions on electron devices, 2024-01, Vol.71 (1), p.400-405 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

Texto completo disponível

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9
Exploration and Device Optimization of Dielectric-Ferroelectric Sidewall Spacer in Negative Capacitance FinFET
Exploration and Device Optimization of Dielectric-Ferroelectric Sidewall Spacer in Negative Capacitance FinFET
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Exploration and Device Optimization of Dielectric-Ferroelectric Sidewall Spacer in Negative Capacitance FinFET

Chauhan, Vibhuti ; Samajdar, Dip Prakash ; Bagga, Navjeet

IEEE transactions on electron devices, 2022-08, Vol.69 (8), p.4717-4724 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

Texto completo disponível

Citações Citado por
10
Demonstration of Asymmetric Gate-Oxide Thickness Four-Terminal FinFETs Having Flexible Threshold Voltage and Good Subthreshold Slope
Demonstration of Asymmetric Gate-Oxide Thickness Four-Terminal FinFETs Having Flexible Threshold Voltage and Good Subthreshold Slope
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Demonstration of Asymmetric Gate-Oxide Thickness Four-Terminal FinFETs Having Flexible Threshold Voltage and Good Subthreshold Slope

Masahara, M. ; Surdeanu, R. ; Witters, L. ; Doornbos, G. ; Nguyen, V.H. ; Van den bosch, G. ; Vrancken, C. ; Devriendt, K. ; Neuilly, F. ; Kunnen, E. ; Jurczak, M. ; Biesemans, S.

IEEE electron device letters, 2007-03, Vol.28 (3), p.217-219 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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  1. Martino, M
  2. Santos Filho, S
  3. Agopian, P

Neste Assunto:

  1. Subthreshold Slope
  2. Subthreshold Slope
  3. Finfets
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