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The Effects of Threshold Voltage and Number of Fins Per Transistor on the TID Response of GF 12LP Technology
The Effects of Threshold Voltage and Number of Fins Per Transistor on the TID Response of GF 12LP Technology
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The Effects of Threshold Voltage and Number of Fins Per Transistor on the TID Response of GF 12LP Technology

Vidana, Aldo I. ; Dodds, Nathaniel A. ; Nowlin, R. Nathan ; Wallace, Trace M. ; Oldiges, Phil J. ; Dodd, Brian M. ; Xiong, Jenny ; Cadena, Rick M. ; Trippe, James ; Kauppila, Jeffrey S. ; Massengill, Lloyd W. ; Barnaby, Hugh J.

IEEE transactions on nuclear science, 2024-04, Vol.71 (4), p.477-484 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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Design of improved write and read performance 12T sram cell with leakage power control technique
Design of improved write and read performance 12T sram cell with leakage power control technique
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Design of improved write and read performance 12T sram cell with leakage power control technique

Srinu, M. ; Sreenivasa Rao, E. ; Chandra Sekhar, P.

e-Prime, 2024-06, Vol.8, p.100539, Article 100539 [Periódico revisado por pares]

Elsevier Ltd

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FinFET Evolution Toward Stacked-Nanowire FET for CMOS Technology Scaling
FinFET Evolution Toward Stacked-Nanowire FET for CMOS Technology Scaling
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FinFET Evolution Toward Stacked-Nanowire FET for CMOS Technology Scaling

Peng Zheng ; Connelly, Daniel ; Fei Ding ; Tsu-Jae King Liu

IEEE transactions on electron devices, 2015-12, Vol.62 (12), p.3945-3950 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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Simulation-Based Study of High-Permittivity Inserted-Oxide FinFET With Low-Permittivity Inner Spacers
Simulation-Based Study of High-Permittivity Inserted-Oxide FinFET With Low-Permittivity Inner Spacers
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Simulation-Based Study of High-Permittivity Inserted-Oxide FinFET With Low-Permittivity Inner Spacers

Wu, Yi-Ting ; Chiang, Meng-Hsueh ; Chen, Jone F. ; Liu, Tsu-Jae King

IEEE transactions on electron devices, 2021-11, Vol.68 (11), p.5529-5534 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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(Ultra)Wide-Bandgap Vertical Power FinFETs
(Ultra)Wide-Bandgap Vertical Power FinFETs
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(Ultra)Wide-Bandgap Vertical Power FinFETs

Zhang, Yuhao ; Palacios, Tomas

IEEE transactions on electron devices, 2020-10, Vol.67 (10), p.3960-3971 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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Challenges and Limitations of CMOS Scaling for FinFET and Beyond Architectures
Challenges and Limitations of CMOS Scaling for FinFET and Beyond Architectures
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Challenges and Limitations of CMOS Scaling for FinFET and Beyond Architectures

Razavieh, Ali ; Zeitzoff, Peter ; Nowak, Edward J.

IEEE transactions on nanotechnology, 2019, Vol.18, p.999-1004 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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Analysis and Optimal Design of Power-Efficient and High-Stable Proposed SRAM Cell
Analysis and Optimal Design of Power-Efficient and High-Stable Proposed SRAM Cell
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Analysis and Optimal Design of Power-Efficient and High-Stable Proposed SRAM Cell

Sharma, Deepika ; Birla, Shilpi

International journal of engineering trends and technology, 2023-06, Vol.71 (6), p.289-302

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Design Insights of Nanosheet FET and CMOS Circuit Applications at 5-nm Technology Node
Design Insights of Nanosheet FET and CMOS Circuit Applications at 5-nm Technology Node
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Design Insights of Nanosheet FET and CMOS Circuit Applications at 5-nm Technology Node

Sreenivasulu, V. Bharath ; Narendar, Vadthiya

IEEE transactions on electron devices, 2022-08, Vol.69 (8), p.4115-4122 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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Opportunities in Device Scaling for 3-nm Node and Beyond: FinFET Versus GAA-FET Versus UFET
Opportunities in Device Scaling for 3-nm Node and Beyond: FinFET Versus GAA-FET Versus UFET
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Opportunities in Device Scaling for 3-nm Node and Beyond: FinFET Versus GAA-FET Versus UFET

Das, Uttam Kumar ; Bhattacharyya, Tarun Kanti

IEEE transactions on electron devices, 2020-06, Vol.67 (6), p.2633-2638 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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Vertical GAAFETs for the Ultimate CMOS Scaling
Vertical GAAFETs for the Ultimate CMOS Scaling
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Vertical GAAFETs for the Ultimate CMOS Scaling

Yakimets, Dmitry ; Eneman, Geert ; Schuddinck, Pieter ; Trong Huynh Bao ; Bardon, Marie Garcia ; Raghavan, Praveen ; Veloso, Anabela ; Collaert, Nadine ; Mercha, Abdelkarim ; Verkest, Diederik ; Voon-Yew Thean, Aaron ; De Meyer, Kristin

IEEE transactions on electron devices, 2015-05, Vol.62 (5), p.1433-1439 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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