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1
Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados.
Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados.
Material Type:
Dissertação de Mestrado 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados.

Nascimento, Vinicius Mesquita Do

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2017-02-17

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

2
Estudo de transistores de porta tripla (FinFETs) de silício e de germânio.
Estudo de transistores de porta tripla (FinFETs) de silício e de germânio.
Material Type:
Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo de transistores de porta tripla (FinFETs) de silício e de germânio.

Oliveira, Alberto Vinicius De

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2016-12-13

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

3
Estudo comparativo do efeito de autoaquecimento em transistores FinFET e SOI UTBB.
Estudo comparativo do efeito de autoaquecimento em transistores FinFET e SOI UTBB.
Material Type:
Dissertação de Mestrado 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo comparativo do efeito de autoaquecimento em transistores FinFET e SOI UTBB.

Mori, Carlos Augusto Bergfeld

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2018-02-09

Acesso online

4
Estudo de transistores de tunelamento controlados por efeito de campo.
Estudo de transistores de tunelamento controlados por efeito de campo.
Material Type:
Dissertação de Mestrado 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo de transistores de tunelamento controlados por efeito de campo.

Martino, Márcio Dalla Valle

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2012-03-26

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

5
Transistores de tunelamento induzido por efeito de campo aplicados a circuitos básicos.
Transistores de tunelamento induzido por efeito de campo aplicados a circuitos básicos.
Material Type:
Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Transistores de tunelamento induzido por efeito de campo aplicados a circuitos básicos.

Martino, Marcio Dalla Valle

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2017-11-17

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

6
Efeitos da radiação de prótons em FinFET\'s de porta tripla de corpo (Bulk-FinFET).
Efeitos da radiação de prótons em FinFET\'s de porta tripla de corpo (Bulk-FinFET).
Material Type:
Dissertação de Mestrado 		Adicionar ao Meu Espaço

Efeitos da radiação de prótons em FinFET\'s de porta tripla de corpo (Bulk-FinFET).

Bertoldo, Marcelo

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2016-09-23

Acesso online

7
Operação analógica de transistores de múltiplas portas em função da temperatura.
Operação analógica de transistores de múltiplas portas em função da temperatura.
Material Type:
Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Operação analógica de transistores de múltiplas portas em função da temperatura.

Doria, Rodrigo Trevisoli

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2010-10-28

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

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  1. Martino, J
  2. Agopian, P
  3. Martino, M
  4. Der Agopian, P
  5. Doria, R

Neste Assunto:

  1. Transistores
  2. Finfet
  3. Microeletrônica
  4. Soi
  5. Silício

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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