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Refinado por: assunto: Transistores remover
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1
Influência da tensão de substrato em transistores SOI de camada de silício ultrafina em estruturas planares (UTBB) e de nanofio (NW).
Influência da tensão de substrato em transistores SOI de camada de silício ultrafina em estruturas planares (UTBB) e de nanofio (NW).
Material Type:
Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Influência da tensão de substrato em transistores SOI de camada de silício ultrafina em estruturas planares (UTBB) e de nanofio (NW).

Itocazu, Vitor Tatsuo

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2018-04-26

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

2
Estudo de transistores de porta tripla de corpo.
Estudo de transistores de porta tripla de corpo.
Material Type:
Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo de transistores de porta tripla de corpo.

Andrade, Maria Glória Caño De

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2012-05-22

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

3
Estudo de transistores de nanofolha de silício com porta ao redor em baixas temperaturas.
Estudo de transistores de nanofolha de silício com porta ao redor em baixas temperaturas.
Material Type:
Dissertação de Mestrado 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo de transistores de nanofolha de silício com porta ao redor em baixas temperaturas.

Leal, João Vitor Da Costa

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2022-03-02

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

4
Characterizing BJTs using the Early voltage in the forward active mode
Characterizing BJTs using the Early voltage in the forward active mode
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Characterizing BJTs using the Early voltage in the forward active mode

Luciano da Fontoura Costa Filipi Nascimento Silva; Cesar H Comin

International Journal of Circuit Theory and Applications Oxford : John Wileyand Sons, 2018 v. 46, n. 4, p. 978-986, Apr. 2018

Oxford 2018

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD027399 )(Acessar)

5
Operação e modelagem de transistores MOS sem junções.
Operação e modelagem de transistores MOS sem junções.
Material Type:
Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Operação e modelagem de transistores MOS sem junções.

Doria, Renan Trevisoli

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2013-04-04

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

6
Cálculo da tensão de restabelecimento transitória no domínio da frequência.
Cálculo da tensão de restabelecimento transitória no domínio da frequência.
Material Type:
Dissertação de Mestrado 		Adicionar ao Meu Espaço

Cálculo da tensão de restabelecimento transitória no domínio da frequência.

Pires Junior, Jonas Haleplian

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2021-03-03

Acesso online

7
High-Speed Heterostructure Devices: From Device Concepts to Circuit Modeling
High-Speed Heterostructure Devices: From Device Concepts to Circuit Modeling
Material Type:
Livro 		Adicionar ao Meu Espaço

High-Speed Heterostructure Devices: From Device Concepts to Circuit Modeling

Roblin, Patrick ; Rohdin, Hans

Cambridge: Cambridge University Press 2002

Sem texto completo

Citações Citado por
8
Low-voltage SOI CMOS VLSI devices and circuits
Low-voltage SOI CMOS VLSI devices and circuits
Material Type:
Livro 		Adicionar ao Meu Espaço

Low-voltage SOI CMOS VLSI devices and circuits

Kuo, James B ; Lin, Shih-Chia

New York: Wiley 2004

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Deste Autor:

  1. Martino, J
  2. Itocazu, V
  3. Comin, C
  4. Der Agopian, P
  5. Doria, R

Neste Assunto:

  1. Transistores
  2. Threshold Voltage
  3. Low Power Integrated Circuits
  4. Transistores
  5. Temperature

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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