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Evaluation of dual-ONOFIC method for subthreshold leakage reduction in domino circuit
Evaluation of dual-ONOFIC method for subthreshold leakage reduction in domino circuit
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Evaluation of dual-ONOFIC method for subthreshold leakage reduction in domino circuit

Magraiya, Vijay Kumar ; Gupta, Tarun Kumar ; Verma, Rajesh ; Pandey, Amit Kumar ; Kori, Shiv Prasad

International journal of electronics, 2023-11, p.1-17 [Periódico revisado por pares]

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Comparative study of novel u-shaped SOI FinFET against multiple-fin bulk/SOI FinFET
Comparative study of novel u-shaped SOI FinFET against multiple-fin bulk/SOI FinFET
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Comparative study of novel u-shaped SOI FinFET against multiple-fin bulk/SOI FinFET

Son, Myoungsu ; Sung, Juho ; Baac, Hyoung Won ; Shin, Changhwan

IEEE access, 2023-01, Vol.11, p.1-1 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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The Investigation of Reduced Variation Effect in FinFETs With Ultrathin 3-nm Ferroelectric Hf₀.₅Zr₀.₅O
The Investigation of Reduced Variation Effect in FinFETs With Ultrathin 3-nm Ferroelectric Hf₀.₅Zr₀.₅O
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The Investigation of Reduced Variation Effect in FinFETs With Ultrathin 3-nm Ferroelectric Hf₀.₅Zr₀.₅O

Zhang, Fan ; Zhang, Zhaohao ; Yao, Jiaxin ; Zhu, Xiaohui ; Peng, Yue ; Huo, Jiali ; Zhang, Qingzhu ; Xu, Gaobo ; Wu, Zhenhua ; Han, Genquan ; Liu, Yan ; Yin, Huaxiang

IEEE transactions on electron devices, 2024-05, Vol.71 (5), p.2876-2880 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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The Silicon Age: Trends in Semiconductor Devices Industry
The Silicon Age: Trends in Semiconductor Devices Industry
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The Silicon Age: Trends in Semiconductor Devices Industry

Kamal, Kamal Y.

Journal of engineering science and technology review, 2022, Vol.15 (1), p.110-115 [Periódico revisado por pares]

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Dependence of RF/Analog and Linearity Figure of Merits on Temperature in Ferroelectric FinFET: A Simulation Study
Dependence of RF/Analog and Linearity Figure of Merits on Temperature in Ferroelectric FinFET: A Simulation Study
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Dependence of RF/Analog and Linearity Figure of Merits on Temperature in Ferroelectric FinFET: A Simulation Study

Saha, Rajesh ; Goswami, Rupam ; Bhowmick, Brinda ; Baishya, Srimanta

IEEE transactions on ultrasonics, ferroelectrics, and frequency control, 2020-11, Vol.67 (11), p.2433-2439 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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Device Exploration of NanoSheet Transistors for Sub-7-nm Technology Node
Device Exploration of NanoSheet Transistors for Sub-7-nm Technology Node
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Device Exploration of NanoSheet Transistors for Sub-7-nm Technology Node

Doyoung Jang ; Yakimets, Dmitry ; Eneman, Geert ; Schuddinck, Pieter ; Bardon, Marie Garcia ; Raghavan, Praveen ; Spessot, Alessio ; Verkest, Diederik ; Mocuta, Anda

IEEE transactions on electron devices, 2017-06, Vol.64 (6), p.2707-2713 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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Negative Capacitance FinFET With Sub-20-mV/decade Subthreshold Slope and Minimal Hysteresis of 0.48 V
Negative Capacitance FinFET With Sub-20-mV/decade Subthreshold Slope and Minimal Hysteresis of 0.48 V
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Negative Capacitance FinFET With Sub-20-mV/decade Subthreshold Slope and Minimal Hysteresis of 0.48 V

Ko, Eunah ; Lee, Jae Woo ; Shin, Changhwan

IEEE electron device letters, 2017-04, Vol.38 (4), p.418-421 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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18
Comparison of Carrier Deflection between MAG-TFET and MAG-FinFET
Comparison of Carrier Deflection between MAG-TFET and MAG-FinFET
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Comparison of Carrier Deflection between MAG-TFET and MAG-FinFET

Boonlua, Thanet ; Poyai, Amporn ; Phetchakul, Toempong

Materials science forum, 2023-07, Vol.1094, p.145-151 [Periódico revisado por pares]

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The Effects of Threshold Voltage and Number of Fins Per Transistor on the TID Response of GF 12LP Technology
The Effects of Threshold Voltage and Number of Fins Per Transistor on the TID Response of GF 12LP Technology
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The Effects of Threshold Voltage and Number of Fins Per Transistor on the TID Response of GF 12LP Technology

Vidana, Aldo I. ; Dodds, Nathaniel A. ; Nowlin, R. Nathan ; Wallace, Trace M. ; Oldiges, Phil J. ; Dodd, Brian M. ; Xiong, Jenny ; Cadena, Rick M. ; Trippe, James ; Kauppila, Jeffrey S. ; Massengill, Lloyd W. ; Barnaby, Hugh J.

IEEE transactions on nuclear science, 2024-04, Vol.71 (4), p.477-484 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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Reliability analysis of a CNT-TF-FinFET for hostile temperature
Reliability analysis of a CNT-TF-FinFET for hostile temperature
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Reliability analysis of a CNT-TF-FinFET for hostile temperature

Srivastava, Praween Kumar ; Kumar, Atul ; Kumar, Ajay

e-Prime, 2023-12, Vol.6, p.100374, Article 100374 [Periódico revisado por pares]

Elsevier

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  1. Martino, J
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