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Design Insights of Nanosheet FET and CMOS Circuit Applications at 5-nm Technology Node
Design Insights of Nanosheet FET and CMOS Circuit Applications at 5-nm Technology Node
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Design Insights of Nanosheet FET and CMOS Circuit Applications at 5-nm Technology Node

Sreenivasulu, V. Bharath ; Narendar, Vadthiya

IEEE transactions on electron devices, 2022-08, Vol.69 (8), p.4115-4122 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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Vertical GAAFETs for the Ultimate CMOS Scaling
Vertical GAAFETs for the Ultimate CMOS Scaling
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Vertical GAAFETs for the Ultimate CMOS Scaling

Yakimets, Dmitry ; Eneman, Geert ; Schuddinck, Pieter ; Trong Huynh Bao ; Bardon, Marie Garcia ; Raghavan, Praveen ; Veloso, Anabela ; Collaert, Nadine ; Mercha, Abdelkarim ; Verkest, Diederik ; Voon-Yew Thean, Aaron ; De Meyer, Kristin

IEEE transactions on electron devices, 2015-05, Vol.62 (5), p.1433-1439 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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Physical Insights Into the ESD Behavior of Drain Extended FinFETs (DeFinFETs) and Unique Current Filament Dynamics
Physical Insights Into the ESD Behavior of Drain Extended FinFETs (DeFinFETs) and Unique Current Filament Dynamics
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Physical Insights Into the ESD Behavior of Drain Extended FinFETs (DeFinFETs) and Unique Current Filament Dynamics

Kumar, B. Sampath ; Paul, Milova ; Gossner, Harald ; Shrivastava, Mayank

IEEE transactions on electron devices, 2020-07, Vol.67 (7), p.2717-2724 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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Reduction of Variability in Junctionless and Inversion-Mode FinFETs by Stringer Gate Structure
Reduction of Variability in Junctionless and Inversion-Mode FinFETs by Stringer Gate Structure
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Reduction of Variability in Junctionless and Inversion-Mode FinFETs by Stringer Gate Structure

Jungsik Kim ; Jin-Woo Han ; Meyyappan, M.

IEEE transactions on electron devices, 2018-02, Vol.65 (2), p.470-475 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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Design and Compressive Analysis of Junctionless Multigate FinFET Towards Low Power and High Frequency Applications
Design and Compressive Analysis of Junctionless Multigate FinFET Towards Low Power and High Frequency Applications
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Design and Compressive Analysis of Junctionless Multigate FinFET Towards Low Power and High Frequency Applications

Kumar, E. Sathish ; Kumar, P. Suresh

SILICON, 2022-08, Vol.14 (13), p.7623-7631 [Periódico revisado por pares]

Dordrecht: Springer Netherlands

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Trapping and Detrapping Mechanisms in β-Ga₂O₃ Vertical FinFETs Investigated by Electro-Optical Measurements
Trapping and Detrapping Mechanisms in β-Ga₂O₃ Vertical FinFETs Investigated by Electro-Optical Measurements
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Trapping and Detrapping Mechanisms in β-Ga₂O₃ Vertical FinFETs Investigated by Electro-Optical Measurements

Fabris, Elena ; De Santi, Carlo ; Caria, Alessandro ; Li, Wenshen ; Nomoto, Kazuki ; Hu, Zongyang ; Jena, Debdeep ; Xing, Huili Grace ; Meneghesso, Gaudenzio ; Zanoni, Enrico ; Meneghini, Matteo

IEEE transactions on electron devices, 2020-10, Vol.67 (10), p.3954-3959 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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A Novel Physics Aware ANN-Based Framework for BSIM-CMG Model Parameter Extraction
A Novel Physics Aware ANN-Based Framework for BSIM-CMG Model Parameter Extraction
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A Novel Physics Aware ANN-Based Framework for BSIM-CMG Model Parameter Extraction

Singhal, Anant ; Pahwa, Girish ; Agarwal, Harshit

IEEE transactions on electron devices, 2024-05, Vol.71 (5), p.3307-3314 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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Metal Boundary Effect Mitigation by HKMG Thermal Process Optimization in FinFET Integration Technology
Metal Boundary Effect Mitigation by HKMG Thermal Process Optimization in FinFET Integration Technology
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Metal Boundary Effect Mitigation by HKMG Thermal Process Optimization in FinFET Integration Technology

Li, Zhao-Yang ; Wang, Xue-Jiao ; Jiang, Yu-Long

IEEE transactions on electron devices, 2024-04, p.1-7 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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On the Trap Locations in Bulk FinFETs After Hot Carrier Degradation (HCD)
On the Trap Locations in Bulk FinFETs After Hot Carrier Degradation (HCD)
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On the Trap Locations in Bulk FinFETs After Hot Carrier Degradation (HCD)

Yu, Zhuoqing ; Zhang, Zhe ; Sun, Zixuan ; Wang, Runsheng ; Huang, Ru

IEEE transactions on electron devices, 2020-07, Vol.67 (7), p.3005-3009 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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Compact Model of a Bulk FinFET Quantum Dot Toward Single Chip Integration of Qubits and Control Electronics for Quantum Computing Applications
Compact Model of a Bulk FinFET Quantum Dot Toward Single Chip Integration of Qubits and Control Electronics for Quantum Computing Applications
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Compact Model of a Bulk FinFET Quantum Dot Toward Single Chip Integration of Qubits and Control Electronics for Quantum Computing Applications

Singh, Sujit Kumar ; Sharma, Deepesh ; Vega, Reinaldo A. ; Dixit, Abhisek

IEEE transactions on electron devices, 2023-06, Vol.70 (6), p.1-8 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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