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Back gate voltage influence on the LDD SOI NMOSFET series resistence extraction from 150 to 300 k
Back gate voltage influence on the LDD SOI NMOSFET series resistence extraction from 150 to 300 k
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Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Back gate voltage influence on the LDD SOI NMOSFET series resistence extraction from 150 to 300 k

Aparecido Sirley Nicolett João Antonio Martino 1959-; Eddy Simoen; Cor Claeys; Nato Advanced Research Workshop (1998 Kyiv)

Perspectives, science and technologies for novel silicon on insulator devices Kyiv : National Academy of Sciences of Ukraine, 1998

Kyiv National Academy of Sciences of Ukraine 1998

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  1. Claeys, C
  2. Nicolett, A
  3. NATO Advanced Research Workshop
  4. Martino, J
  5. Simoen, E

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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