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Material Type: Artigo
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Understanding the Superlinear Onset of Tunnel-FET Output CharacteristicDe Michielis, L. ; Lattanzio, L. ; Ionescu, A. M.IEEE electron device letters, 2012-11, Vol.33 (11), p.1523-1525 [Periódico revisado por pares]New York, NY: IEEETexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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Complementary Germanium Electron-Hole Bilayer Tunnel FET for Sub-0.5-V OperationLattanzio, L. ; De Michielis, L. ; Ionescu, A. M.IEEE electron device letters, 2012-02, Vol.33 (2), p.167-169 [Periódico revisado por pares]New York, NY: IEEETexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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TCAD simulation of SOI TFETs and calibration of non-local band-to-band tunneling modelBiswas, Arnab ; Dan, Surya Shankar ; Royer, Cyrille Le ; Grabinski, Wladyslaw ; Ionescu, Adrian M.Microelectronic engineering, 2012-10, Vol.98, p.334-337 [Periódico revisado por pares]Amsterdam: Elsevier B.VTexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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On the Static and Dynamic Behavior of the Germanium Electron-Hole Bilayer Tunnel FETLattanzio, L. ; Dagtekin, N. ; De Michielis, L. ; Ionescu, A. M.IEEE transactions on electron devices, 2012-11, Vol.59 (11), p.2932-2938 [Periódico revisado por pares]New York, NY: IEEETexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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Tunneling and Occupancy Probabilities: How Do They Affect Tunnel-FET Behavior?De Michielis, L. ; Lattanzio, L. ; Moselund, K. E. ; Riel, H. ; Ionescu, A. M.IEEE electron device letters, 2013-06, Vol.34 (6), p.726-728 [Periódico revisado por pares]New York, NY: IEEETexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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In-Plane Silicon-On-Nothing Nanometer-Scale Resonant Suspended Gate MOSFET for In-IC Integration PerspectivesDurand, C. ; Casset, F. ; Renaux, P. ; Abele, N. ; Legrand, B. ; Renaud, D. ; Ollier, E. ; Ancey, P. ; Ionescu, A.M. ; Buchaillot, L.IEEE electron device letters, 2008-05, Vol.29 (5), p.494-496 [Periódico revisado por pares]New York, NY: IEEETexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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The High-Mobility Bended n-Channel Silicon Nanowire TransistorMoselund, K.E. ; Najmzadeh, M. ; Dobrosz, P. ; Olsen, S.H. ; Bouvet, D. ; De Michielis, L. ; Pott, V. ; Ionescu, A.M.IEEE transactions on electron devices, 2010-04, Vol.57 (4), p.866-876 [Periódico revisado por pares]New York, NY: IEEETexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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Tunnel FET with non-uniform gate capacitance for improved device and circuit level performanceAlper, C. ; De Michielis, L. ; Dağtekin, N. ; Lattanzio, L. ; Bouvet, D. ; Ionescu, A.M.Solid-state electronics, 2013-06, Vol.84, p.205-210 [Periódico revisado por pares]Kidlington: Elsevier LtdTexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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The Hysteretic Ferroelectric Tunnel FETIonescu, A M ; Lattanzio, L ; Salvatore, G A ; De Michielis, L ; Boucart, K ; Bouvet, DIEEE transactions on electron devices, 2010-12, Vol.57 (12), p.3518-3524 [Periódico revisado por pares]New York, NY: IEEETexto completo disponível |
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Material Type: Artigo
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Novel Renewable Polyols Based on Limonene for Rigid Polyurethane FoamsGupta, R. K. ; Ionescu, M. ; Radojcic, D. ; Wan, X. ; Petrovic, Z. S.Journal of polymers and the environment, 2014-09, Vol.22 (3), p.304-309 [Periódico revisado por pares]Boston: Springer USTexto completo disponível |