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1
Solid-state physics contributions
Solid-state physics contributions
Material Type:
Livro 		Adicionar ao Meu Espaço

Solid-state physics contributions

R. Dornhaus 1944- (Ralf) G Nimtz 1936- (Günter); W Richter (Wolfgang)

Berlin Springer-Verlag New York 1976

Localização: IF - Instituto de Física    (MS STMP v.78 )(Acessar)

2
Optical Properties of Mixed Crystals
Optical Properties of Mixed Crystals
Optical Properties of Mixed Crystals
Material Type:
Livro 		Adicionar ao Meu Espaço

Optical Properties of Mixed Crystals

R.J Elliott I.P Ipatova

Elsevier 1988

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

3
Optical properties of solids
Optical properties of solids
Material Type:
Livro 		Adicionar ao Meu Espaço

Optical properties of solids

F Abeles

Amsterdam North-Holland Pub. Co. New York American Elsevier 1972

Localização: IF - Instituto de Física    (530.41 A141op ) e outros locais(Acessar)

4
Magnetopolarons em heteroestruturas semicondutoras de baixa dimensionalidade.
Magnetopolarons em heteroestruturas semicondutoras de baixa dimensionalidade.
Material Type:
Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Magnetopolarons em heteroestruturas semicondutoras de baixa dimensionalidade.

Osorio, Francisco Aparecido Pinto

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Instituto de Física e Química de São Carlos 1992-12-22

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

5
Vibrational modes and crystallographic structure of Cd3As2 and (Cd1-x Zn x )3As2 epilayers
Vibrational modes and crystallographic structure of Cd3As2 and (Cd1-x Zn x )3As2 epilayers
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Vibrational modes and crystallographic structure of Cd3As2 and (Cd1-x Zn x )3As2 epilayers

Fluegel, B ; Rice, A D ; Alberi, K

Journal of physics. D, Applied physics, 2022-01, Vol.55 (14) [Periódico revisado por pares]

United States: IOP Publishing

Texto completo disponível

Citações Citado por
6
Carrier Relaxation and Multiplication in Bi Doped Graphene
Carrier Relaxation and Multiplication in Bi Doped Graphene
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Carrier Relaxation and Multiplication in Bi Doped Graphene

Liu, Qi ; Lu, Xianyang ; Liu, Yuxiang ; Li, Zhihao ; Yan, Pengfei ; Chen, Wang ; Meng, Qinghao ; Zhang, Yongheng ; Yam, ChiYung ; He, Liang ; Yan, Yu ; Zhang, Yi ; Wu, Jing ; Frauenheim, Thomas ; Zhang, Rong ; Xu, Yongbing

Small (Weinheim an der Bergstrasse, Germany), 2023-05, Vol.19 (18), p.e2206218-n/a [Periódico revisado por pares]

Germany: Wiley Subscription Services, Inc

Texto completo disponível

Citações Citado por
7
Simulation of electron-hole pairs created by γ-rays interaction in scintillation crystals using Geant4 toolkit
Simulation of electron-hole pairs created by γ-rays interaction in scintillation crystals using Geant4 toolkit
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Simulation of electron-hole pairs created by γ-rays interaction in scintillation crystals using Geant4 toolkit

Luan, Nguyen Thanh ; Kim, Hong Joo ; Vuong, Phan Quoc

IEEE transactions on nuclear science, 2023-07, Vol.70 (7), p.1-1 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

Texto completo disponível

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8
The effect of passivation layer, doping and spacer layer on electron- longitudinal optical phonon momentum relaxation time in Al0.3Ga0.7N/AlN/GaN heterostructures
The effect of passivation layer, doping and spacer layer on electron- longitudinal optical phonon momentum relaxation time in Al0.3Ga0.7N/AlN/GaN heterostructures
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

The effect of passivation layer, doping and spacer layer on electron- longitudinal optical phonon momentum relaxation time in Al0.3Ga0.7N/AlN/GaN heterostructures

Sonmez, F. ; Ardali, S. ; Atmaca, G. ; Lisesivdin, S.B. ; Malin, T. ; Mansurov, V. ; Zhuravlev, K. ; Tiras, E.

Materials science in semiconductor processing, 2021-02, Vol.122, p.105449, Article 105449 [Periódico revisado por pares]

Elsevier Ltd

Texto completo disponível

Citações Citado por
9
Unravelling the phonon scattering mechanism in half-Heusler alloys ZrCo1-xIrxSb (x=0, 0.1 and 0.25)
Unravelling the phonon scattering mechanism in half-Heusler alloys ZrCo1-xIrxSb (x=0, 0.1 and 0.25)
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Unravelling the phonon scattering mechanism in half-Heusler alloys ZrCo1-xIrxSb (x=0, 0.1 and 0.25)

Yadav, Kavita ; Singh, Saurabh ; Muthuswamy, Omprakash ; Takeuchi, Tsunehiro ; Mukherjee, K

Journal of physics. Condensed matter, 2022-01, Vol.34 (3) [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

Citações Citado por
10
Temperature dependence of the Raman line width in diamond: Revisited
Temperature dependence of the Raman line width in diamond: Revisited
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Temperature dependence of the Raman line width in diamond: Revisited

Surovtsev, N. V. ; Kupriyanov, I. N.

Journal of Raman spectroscopy, 2015-01, Vol.46 (1), p.171-176 [Periódico revisado por pares]

Bognor Regis: Blackwell Publishing Ltd

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