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1
Effects of silicon doping on the electronic and structural properties of carbon nanotubes
Effects of silicon doping on the electronic and structural properties of carbon nanotubes
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Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Effects of silicon doping on the electronic and structural properties of carbon nanotubes

Solange Binotto Fagan Ronaldo Mota; Rogerio Jose Baierle; Antonio Jose Roque da Silva; Adalberto Fazzio; Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada (24. 2001 São Lourenço)

Resumos São Paulo : SBF, 2001

São Paulo SBF 2001

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2
Vacancies in amorphous silicon a first principles study
Vacancies in amorphous silicon a first principles study
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Vacancies in amorphous silicon a first principles study

Caetano Rodrigues Miranda Jeverson Teodoro Arantes Junior; Adalberto Fazzio; Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada (26. 2003 Caxambu)

Resumos São Paulo : SBF, 2003

São Paulo SBF 2003

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3
Estudo sistemático da liga SiGe e seus defeitos intrínsecos
Estudo sistemático da liga SiGe e seus defeitos intrínsecos
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo sistemático da liga SiGe e seus defeitos intrínsecos

Pedro Venezuela Gustavo Dalpian; Antonio Jose Roque da Silva; Adalberto Fazzio; Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada (24. 2001 São Lourenço)

Resumos São Paulo : SBF, 2001

São Paulo SBF 2001

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4
Properties of 'HgI IND.2' and 'ZnI IND.2' semiconductor detectors
Properties of 'HgI IND.2' and 'ZnI IND.2' semiconductor detectors
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Properties of 'HgI IND.2' and 'ZnI IND.2' semiconductor detectors

F Ayres L. V. C Assali (Lucy Vitória Credidio); Escola Brasileira de Estrutura Eletrônica (8. 2002 Juiz de Fora)

Livro de Resumos São Paulo, SBF, 2002

São Paulo SBF 2002

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5
Optical properties and carrier effective masses of Rutile 'SnO IND.2' as obtained from full relativistic ab initio calculations
Optical properties and carrier effective masses of Rutile 'SnO IND.2' as obtained from full relativistic ab initio calculations
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Optical properties and carrier effective masses of Rutile 'SnO IND.2' as obtained from full relativistic ab initio calculations

A T Lino P D Borges; Luisa Maria Ribeiro Scolfaro; S C P Rodrigues; E F da Silva Junior; 28th International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS 2006 2006

AIP Conference Proceedings v. 893, p. 529-530, 2007

New York The Institute 2007

Acesso online

6
Microscopia electrônica de transmissão
Microscopia electrônica de transmissão
Material Type:
Livro 		Adicionar ao Meu Espaço

Microscopia electrônica de transmissão

Euclydes Marega Júnior Emmanuel Olivier Petitprez

Tutor Sánchez, J.(*); Rodrigues Coppola, H. (*); Armelles Reig, G. (*); eds Nanoestructuras semiconductoras : fundamentos y aplicaciones Madrid : CYTED, 2003

Madrid CYTED 2003

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD009300 ) e outros locais(Acessar)

7
Trends on 3d transition metal impurities in diamond
Trends on 3d transition metal impurities in diamond
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Trends on 3d transition metal impurities in diamond

L. V. C. Assali (Lucy Vitória Credidio) Wanda Valle Marcondes Machado; João Francisco Justo Filho 1966-; International Conference on Defects in Semiconductors (25th 2009 Saint Petersburg, Russia)

Physica B: Condensed Matter v. 404, n. 23-24, p. 4515-4517, 2009

Amsterdam Elsevier Science 2009

Acesso online

8
Scanning tunneling microscopy as a tool for doping studies in semiconductors
Scanning tunneling microscopy as a tool for doping studies in semiconductors
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Scanning tunneling microscopy as a tool for doping studies in semiconductors

T. E. Lamas (Tomás Erikson) A. A Quivy (Alain André); Congresso Brasileiro de Microscopia de Materiais (7. 2000 São Pedro)

Abstracts São Carlos : UFSCAR, 2000

São Carlos UFSCAR 2000

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9
Heavy- and light-hole subband anti-crossing in GaAs/AlGaAs quantum wells under tensile biaxial strain
Heavy- and light-hole subband anti-crossing in GaAs/AlGaAs quantum wells under tensile biaxial strain
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Heavy- and light-hole subband anti-crossing in GaAs/AlGaAs quantum wells under tensile biaxial strain

Paulo F Gomes M P F Godoy; M K K Nakaema; F Iikawa; T. E Lamas (Tomás Erikson); A. A Quivy (Alain André); International Conference on Defects in Semiconductors (22. 2003 Aarhus)

Book of Abstracts Amsterdam : Elsevier Science, 2003

Amsterdam Elsevier Science 2003

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10
Experimental and theoretical local structure of oxygen-rich amorphous silicon oxynitride
Experimental and theoretical local structure of oxygen-rich amorphous silicon oxynitride
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Experimental and theoretical local structure of oxygen-rich amorphous silicon oxynitride

Wanderla Luis Scopel Márcia Carvalho de Abreu Fantini; Rogerio Junqueira Prado; Walter M Orellana; Antonio Jose Roque da Silva; Adalberto Fazzio; Inés Pereyra 1947-; Brazilian Workshop on Semiconductor Physics (11. 2003 Fortaleza)

Book of Abstracts Fortaleza : DF/UFC, 2003

Fortaleza DF/UFC 2003

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Deste Autor:

  1. Leite, J
  2. Fazzio, A
  3. Scolfaro, L
  4. Justo Filho, J
  5. Assali, L

Neste Assunto:

  1. Semicondutores
  2. Estrutura Eletrônica
  3. Semiconductors
  4. Óptica Eletrônica
  5. Matéria Condensada

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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