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Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: Interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects
Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: Interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects
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Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: Interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects

Toloza Sandoval, M. A. ; Leon Padilla, J. E. ; Wanderley, A. B. ; Sipahi, G. M. ; Diniz Chubaci, J. F. ; Ferreira da Silva, A.

Journal of applied physics, 2024-03, Vol.135 (10) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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2
Graphene spintronics: Spin injection and proximity effects from first principles
Graphene spintronics: Spin injection and proximity effects from first principles
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Graphene spintronics: Spin injection and proximity effects from first principles

Lazić, P. ; Sipahi, G. M. ; Kawakami, R. K. ; Žutić, Igor

Physical review. B, Condensed matter and materials physics, 2014-08, Vol.90 (8), Article 085429 [Periódico revisado por pares]

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3
Electrical tuning of helical edge states in topological multilayers
Electrical tuning of helical edge states in topological multilayers
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Electrical tuning of helical edge states in topological multilayers

Campos, T ; Toloza Sandoval, M A ; Diago-Cisneros, L ; Sipahi, G M

Journal of physics. Condensed matter, 2019-12, Vol.31 (49), p.495501-495501 [Periódico revisado por pares]

England: IOP Publishing

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4
Band structure calculations of InP wurtzite/zinc-blende quantum wells
Band structure calculations of InP wurtzite/zinc-blende quantum wells
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Band structure calculations of InP wurtzite/zinc-blende quantum wells

Faria Junior, P. E. ; Sipahi, G. M.

Journal of applied physics, 2012-11, Vol.112 (10) [Periódico revisado por pares]

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5
Spin polarization of Co(0001)/graphene junctions from first principles
Spin polarization of Co(0001)/graphene junctions from first principles
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Spin polarization of Co(0001)/graphene junctions from first principles

Sipahi, G M ; uti, Igor ; Atodiresei, N ; Kawakami, R K ; Lazi, P

Journal of physics. Condensed matter, 2014-03, Vol.26 (10), p.104204-104204 [Periódico revisado por pares]

England: IOP Publishing

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6
Spin-polarized transport in II–VI diluted magnetic semiconductors superlattices
Spin-polarized transport in II–VI diluted magnetic semiconductors superlattices
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Spin-polarized transport in II–VI diluted magnetic semiconductors superlattices

Gomes, J.L. ; Rodrigues, S.C.P. ; Sipahi, G.M. ; Scolfaro, L. ; da Silva, E.F.

Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology, 2012-07, Vol.177 (12), p.962-966 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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7
Luminescence studies on nitride quaternary alloys double quantum wells
Luminescence studies on nitride quaternary alloys double quantum wells
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Luminescence studies on nitride quaternary alloys double quantum wells

Rodrigues, S.C.P. ; dos Santos, O.F.P. ; Scolfaro, L.M.R. ; Sipahi, G.M. ; da Silva, E.F.

Applied surface science, 2008-09, Vol.254 (23), p.7790-7793 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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8
The effect of additional Si and SiGe layers on the confinement potential of GeMn diluted ferromagnetic semiconductor
The effect of additional Si and SiGe layers on the confinement potential of GeMn diluted ferromagnetic semiconductor
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The effect of additional Si and SiGe layers on the confinement potential of GeMn diluted ferromagnetic semiconductor

Rodrigues, S.C.P. ; Araújo, Y.R.V. ; Sipahi, G.M. ; Scolfaro, L.M.R. ; da Silva, E.F.

Applied surface science, 2008-11, Vol.255 (3), p.709-711 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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9
Calculations of optical properties in p-doped nitrides quaternary alloys multiple quantum wells
Calculations of optical properties in p-doped nitrides quaternary alloys multiple quantum wells
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Calculations of optical properties in p-doped nitrides quaternary alloys multiple quantum wells

Rodrigues, S.C.P. ; d'Eurydice, M.N. ; Sipahi, G.M. ; da Silva, E.F.

Thin solid films, 2006-10, Vol.515 (2), p.782-785 [Periódico revisado por pares]

Lausanne: Elsevier B.V

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10
Hole charge localization and band structures of p-doped GaN/InGaN and GaAs/InGaAs semiconductor heterostructures
Hole charge localization and band structures of p-doped GaN/InGaN and GaAs/InGaAs semiconductor heterostructures
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Hole charge localization and band structures of p-doped GaN/InGaN and GaAs/InGaAs semiconductor heterostructures

Rodrigues, S C P ; Sipahi, G M ; Scolfaro, L M R ; Leite, J R

Journal of physics. Condensed matter, 2002-06, Vol.14 (23), p.5813-5827, Article 312 [Periódico revisado por pares]

Bristol: IOP Publishing

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