skip to main content
Idioma:
Primo Advanced Search
Primo Advanced Search Query Term
Primo Advanced Search Query Term
Primo Advanced Search Query Term
Primo Advanced Search prefilters
Busca Simples
Refinado por: Nome da Publicação: International Journal Of Quantum Chemistry remover
Result Number Material Type Add to My Shelf Action Record Details and Options
1
Electronic properties of multiple 'DELTA-DOPED' layers in silicon and 'GA' 'AS'
Electronic properties of multiple 'DELTA-DOPED' layers in silicon and 'GA' 'AS'
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Electronic properties of multiple 'DELTA-DOPED' layers in silicon and 'GA' 'AS'

L M R Scolfaro A T Lino; E Takahashi; J. R Leite (José Roberto)

New York v.s28, p.667-73, 1994 International Journal of Quantum Chemistry

New York 1994

Item não circula. Consulte sua biblioteca.(Acessar)

2
Electronic properties of multiple 'DELTA-DOPED' layers in silicon and 'GA' 'AS'
Electronic properties of multiple 'DELTA-DOPED' layers in silicon and 'GA' 'AS'
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Electronic properties of multiple 'DELTA-DOPED' layers in silicon and 'GA' 'AS'

L M R Scolfaro A T Lino; E Takahashi; J. R Leite (José Roberto)

New York v.s28, p.667-73, 1994 International Journal of Quantum Chemistry

New York 1994

Item não circula. Consulte sua biblioteca.(Acessar)

3
Behavior of carriers in δ-doped quantum wells under in-plane magnetic fields
Behavior of carriers in δ-doped quantum wells under in-plane magnetic fields
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Behavior of carriers in δ-doped quantum wells under in-plane magnetic fields

Lino, A. T. ; Takahashi, E. K. ; Scolfaro, L. M. R. ; Leite, J. R.

International journal of quantum chemistry, 1996-12, Vol.60 (7), p.1559-1566 [Periódico revisado por pares]

New York: John Wiley & Sons, Inc

Texto completo disponível

Citações Citado por
4
Behavior of carriers in ?-doped quantum wells under in-plane magnetic fields
Behavior of carriers in ?-doped quantum wells under in-plane magnetic fields
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Behavior of carriers in ?-doped quantum wells under in-plane magnetic fields

Lino, A. T. ; Takahashi, E. K. ; Scolfaro, L. M. R. ; Leite, J. R.

International journal of quantum chemistry, 1996, Vol.60 (7), p.1559-1566 [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

Citações Citado por

Personalize Seus Resultados

  1. Editar

Refine Search Results

Expandir Meus Resultados

  1.   

Mostrar Somente

  1. Recursos Online (2)
  2. Revistas revisadas por pares (2)

Autor/Criador 

  1. Lino, A  (2)
  2. Takahashi, E  (2)
  3. Leite, J  (2)
  4. Scolfaro, L  (2)
  5. Mais opções open sub menu

Data de Publicação 

De até
Refinar

Novas Pesquisas Sugeridas

Ignorar minha busca e procurar por tudo

Deste Autor:

  1. Lino, A
  2. Takahashi, E
  3. Leite, J
  4. Scolfaro, L

Neste Assunto:

  1. Matéria Condensada
  2. Physical Sciences
  3. Science & Technology
  4. Mathematics, Interdisciplinary Applications
  5. Physics

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

Buscando em bases de dados remotas. Favor aguardar.