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Electronic structure and gate capacitance voltage characteristics of MBE silicon 'delta'-FETs
Electronic structure and gate capacitance voltage characteristics of MBE silicon 'delta'-FETs
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Electronic structure and gate capacitance voltage characteristics of MBE silicon 'delta'-FETs

José Eduardo Manzoli Oscar Hipólito

Alexander, D E (*); Skroupa, W (*); Cheung, N W (*); Park, B (*) Materials modification and synthesis by ion beam processing Materials Research Society Proceedings, 438 Pittsburgh : Materials Research Society, 1997

Pittsburgh Materials Research Society 1997

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD004939-SC )(Acessar)

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Deste Autor:

  1. Manzoli, J
  2. Hipólito, O

Neste Assunto:

  1. Matéria Condensada
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  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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