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Auger recombination in InGaN measured by photoluminescence
Auger recombination in InGaN measured by photoluminescence
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Auger recombination in InGaN measured by photoluminescence

Shen, Y C ; Mueller, G O ; Watanabe, S ; Gardner, N F ; Munkholm, A ; Krames, M R

Applied physics letters, 2007-10, Vol.91 (14), p.141101-141101-3 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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2
Majority carrier type conversion in solution-processed organic transistors and flexible complementary logic circuits
Majority carrier type conversion in solution-processed organic transistors and flexible complementary logic circuits
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Majority carrier type conversion in solution-processed organic transistors and flexible complementary logic circuits

Ribierre, J C ; Watanabe, S ; Matsumoto, M ; Muto, T ; Aoyama, T

Applied physics letters, 2010-02, Vol.96 (8), p.083303-083303-3 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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3
Room temperature terahertz electro-optic modulation by excitons in carbon nanotubes
Room temperature terahertz electro-optic modulation by excitons in carbon nanotubes
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Room temperature terahertz electro-optic modulation by excitons in carbon nanotubes

Ogawa, T. ; Watanabe, S. ; Minami, N. ; Shimano, R.

Applied physics letters, 2010-07, Vol.97 (4) [Periódico revisado por pares]

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4
Evaluating intrinsic mobility from transient terahertz conductivity spectra of microcrystal samples of organic molecular semiconductors
Evaluating intrinsic mobility from transient terahertz conductivity spectra of microcrystal samples of organic molecular semiconductors
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Evaluating intrinsic mobility from transient terahertz conductivity spectra of microcrystal samples of organic molecular semiconductors

Yada, H. ; Sekine, H. ; Miyamoto, T. ; Terashige, T. ; Uchida, R. ; Otaki, T. ; Maruike, F. ; Kida, N. ; Uemura, T. ; Watanabe, S. ; Okamoto, T. ; Takeya, J. ; Okamoto, H.

Applied physics letters, 2019-09, Vol.115 (14) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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5
Microscopic characteristics of dynamic nuclear polarization and selective nuclear depolarization at the ν=2/3 spin phase transition
Microscopic characteristics of dynamic nuclear polarization and selective nuclear depolarization at the ν=2/3 spin phase transition
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Microscopic characteristics of dynamic nuclear polarization and selective nuclear depolarization at the ν=2/3 spin phase transition

Fauzi, M. H. ; Watanabe, S. ; Hirayama, Y.

Applied physics letters, 2012-10, Vol.101 (16) [Periódico revisado por pares]

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6
High uniformity of site-controlled pyramidal quantum dots grown on prepatterned substrates
High uniformity of site-controlled pyramidal quantum dots grown on prepatterned substrates
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High uniformity of site-controlled pyramidal quantum dots grown on prepatterned substrates

Baier, M. H. ; Watanabe, S. ; Pelucchi, E. ; Kapon, E.

Applied physics letters, 2004-03, Vol.84 (11), p.1943-1945 [Periódico revisado por pares]

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7
Dense uniform arrays of site-controlled quantum dots grown in inverted pyramids
Dense uniform arrays of site-controlled quantum dots grown in inverted pyramids
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Dense uniform arrays of site-controlled quantum dots grown in inverted pyramids

Watanabe, S. ; Pelucchi, E. ; Dwir, B. ; Baier, M. H. ; Leifer, K. ; Kapon, E.

Applied physics letters, 2004-04, Vol.84 (15), p.2907-2909 [Periódico revisado por pares]

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8
Patterning of confined-state energies in site-controlled semiconductor quantum dots
Patterning of confined-state energies in site-controlled semiconductor quantum dots
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Patterning of confined-state energies in site-controlled semiconductor quantum dots

Watanabe, S ; Pelucchi, E ; Leifer, K ; Malko, A ; Dwir, B ; Kapon, E

Applied physics letters, 2005-06, Vol.86 (24), p.243105-243105-3 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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9
Blue-emitting InGaN–GaN double-heterostructure light-emitting diodes reaching maximum quantum efficiency above 200A∕cm2
Blue-emitting InGaN–GaN double-heterostructure light-emitting diodes reaching maximum quantum efficiency above 200A∕cm2
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Blue-emitting InGaN–GaN double-heterostructure light-emitting diodes reaching maximum quantum efficiency above 200A∕cm2

Gardner, N. F. ; Müller, G. O. ; Shen, Y. C. ; Chen, G. ; Watanabe, S. ; Götz, W. ; Krames, M. R.

Applied physics letters, 2007-12, Vol.91 (24) [Periódico revisado por pares]

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10
PHOTOLUMINESCENCE OF POROUS SI, OXIDIZED THEN DEOXIDIZED CHEMICALLY
PHOTOLUMINESCENCE OF POROUS SI, OXIDIZED THEN DEOXIDIZED CHEMICALLY
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PHOTOLUMINESCENCE OF POROUS SI, OXIDIZED THEN DEOXIDIZED CHEMICALLY

NAKAJIMA, A ; ITAKURA, T ; WATANABE, S ; NAKAYAMA, N

Applied physics letters, 1992-07, Vol.61 (1), p.46-48 [Periódico revisado por pares]

WOODBURY: Amer Inst Physics

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