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1	Material Type: Artigo		Wide‐Bandgap Perovskite/Gallium Arsenide Tandem Solar Cells Li, Zijia ; Kim, Tae Hak ; Han, Sung Yong ; Yun, Yeo‐Jun ; Jeong, Seonghwa ; Jo, Bonghyun ; Ok, Song Ah ; Yim, Woongbin ; Lee, Seung Hu ; Kim, Kangho ; Moon, Sunghyun ; Park, Ji‐Yong ; Ahn, Tae Kyu ; Shin, Hyunjung ; Lee, Jaejin ; Park, Hui Joon Advanced energy materials, 2020-02, Vol.10 (6), p.n/a [Periódico revisado por pares] Weinheim: Wiley Subscription Services, Inc Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
2	Material Type: Artigo		Long‐pulsed 1,064‐nm gallium arsenide laser surgical device treatment for improving symptoms of onychomycosis: a comparative analysis Choi, Sun Young ; Shin, Sun Hye ; Seok, Joon ; Ko, Eun Jung ; Yoo, Kwang Ho ; Kim, Beom Joon International journal of dermatology, 2023-12, Vol.62 (12), p.1492-1498 [Periódico revisado por pares] Hoboken: Blackwell Publishing Ltd Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
3	Material Type: Artigo		Gallium arsenide p - i - n radial structures for photovoltaic applications Colombo, C ; Heiβ, M ; Grätzel, M ; Fontcuberta i Morral, A Applied physics letters, 2009-04, Vol.94 (17), p.173108-173108-3 [Periódico revisado por pares] American Institute of Physics Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
4	Material Type: Artigo		Physics-based simulation study of high-performance gallium arsenide phosphide–indium gallium arsenide tunnel field-effect transistor Raad, Bhagwan Ram ; Sharma, Dheeraj ; Nigam, Kaushal ; Kondekar, Pravin Micro & nano letters, 2016-07, Vol.11 (7), p.366-368 [Periódico revisado por pares] The Institution of Engineering and Technology Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
5	Material Type: Artigo		Gallium arsenide solar cells grown at rates exceeding 300 µm h -1 by hydride vapor phase epitaxy Metaferia, Wondwosen ; Schulte, Kevin L ; Simon, John ; Johnston, Steve ; Ptak, Aaron J Nature communications, 2019-07, Vol.10 (1), p.3361-8, Article 3361 [Periódico revisado por pares] England: Nature Publishing Group Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
6	Material Type: Artigo		Toxicity of indium arsenide, gallium arsenide, and aluminium gallium arsenide Tanaka, Akiyo Toxicology and applied pharmacology, 2004-08, Vol.198 (3), p.405-411 [Periódico revisado por pares] San Diego, CA: Elsevier Inc Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
7	Material Type: Artigo		Chromium compensated gallium arsenide detectors for X-ray and γ-ray spectroscopic imaging Veale, M.C. ; Bell, S.J. ; Duarte, D.D. ; French, M.J. ; Schneider, A. ; Seller, P. ; Wilson, M.D. ; Lozinskaya, A.D. ; Novikov, V.A. ; Tolbanov, O.P. ; Tyazhev, A. ; Zarubin, A.N. Nuclear instruments & methods in physics research. Section A, Accelerators, spectrometers, detectors and associated equipment, 2014-07, Vol.752, p.6-14 [Periódico revisado por pares] Elsevier B.V Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
8	Material Type: Artigo		Performance projection of multi‐bias and nonlinear distortion for gallium arsenides nano‐pHEMT Alim, Mohammad A. ; Sultana, Sadia ; Naima, Jannatul ; Jui, Fahmida S. ; Alam, Sabrina ; Rezazadeh, Ali A. International journal of numerical modelling, 2023-07, Vol.36 (4), p.n/a [Periódico revisado por pares] Chichester, UK: John Wiley & Sons, Inc Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
9	Material Type: Artigo		Wet Chemical Functionalization of III–V Semiconductor Surfaces: Alkylation of Gallium Arsenide and Gallium Nitride by a Grignard Reaction Sequence Peczonczyk, Sabrina L ; Mukherjee, Jhindan ; Carim, Azhar I ; Maldonado, Stephen Langmuir, 2012-03, Vol.28 (10), p.4672-4682 [Periódico revisado por pares] Washington, DC: American Chemical Society Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
10	Material Type: Artigo		InGaAs MOSHEMT W-Band LNAs on Silicon and Gallium Arsenide Substrates Thome, Fabian ; Heinz, Felix ; Leuther, Arnulf IEEE microwave and wireless components letters, 2020-11, Vol.30 (11), p.1089-1092 [Periódico revisado por pares] IEEE Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por

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