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Microwave induced zero-conductance state in a Corbino geometry two-dimensional electron gas with capacitive contacts
Microwave induced zero-conductance state in a Corbino geometry two-dimensional electron gas with capacitive contacts
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Microwave induced zero-conductance state in a Corbino geometry two-dimensional electron gas with capacitive contacts

Bykov, A. A. ; Marchishin, I. V. ; Goran, A. V. ; Dmitriev, D. V.

Applied physics letters, 2010-08, Vol.97 (8) [Periódico revisado por pares]

United States

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Raman scattering in InAs/AlGaAs quantum dot nanostructures
Raman scattering in InAs/AlGaAs quantum dot nanostructures
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Raman scattering in InAs/AlGaAs quantum dot nanostructures

Giulotto, E ; Geddo, M ; Grandi, M S ; Guizzetti, G ; Trevisi, G ; Seravalli, L ; Frigeri, P ; Franchi, S

Applied physics letters, 2011-03, Vol.98 (11), p.111903-111903-3 [Periódico revisado por pares]

United States: American Institute of Physics

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Direct acoustic phonon excitation by intense and ultrashort terahertz pulses
Direct acoustic phonon excitation by intense and ultrashort terahertz pulses
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Direct acoustic phonon excitation by intense and ultrashort terahertz pulses

Manceau, J.-M. ; Loukakos, P. A. ; Tzortzakis, S.

Applied physics letters, 2010-12, Vol.97 (25) [Periódico revisado por pares]

United States

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Graphitized carbon on GaAs(100) substrates
Graphitized carbon on GaAs(100) substrates
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Graphitized carbon on GaAs(100) substrates

Simon, J ; Simmonds, P J ; Woodall, J M ; Lee, M L

Applied physics letters, 2011-02, Vol.98 (7), p.073113-073113-3 [Periódico revisado por pares]

United States: American Institute of Physics

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Low energy Ar + sputtering-induced GaAs quantum dot formation and evolution
Low energy Ar + sputtering-induced GaAs quantum dot formation and evolution
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Low energy Ar + sputtering-induced GaAs quantum dot formation and evolution

Wang, Y ; Yoon, S F ; Ngo, C Y ; Tong, C Z ; Liu, C Y

Journal of applied physics, 2009-07, Vol.106 (2), p.024301-024301-5 [Periódico revisado por pares]

United States: American Institute of Physics

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16
Observation of photon-assisted tunneling through a quantum dot
Observation of photon-assisted tunneling through a quantum dot
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Observation of photon-assisted tunneling through a quantum dot

Kouwenhoven, LP ; Jauhar, S ; Orenstein, J ; McEuen, PL ; Nagamune, Y ; Motohisa, J ; Sakaki, H

Physical review letters, 1994-12, Vol.73 (25), p.3443-3446 [Periódico revisado por pares]

United States

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The substructure and luminescence of low-temperature AlGaAs/GaAs(100) heterostructures
The substructure and luminescence of low-temperature AlGaAs/GaAs(100) heterostructures
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The substructure and luminescence of low-temperature AlGaAs/GaAs(100) heterostructures

Seredin, P. V. ; Glotov, A. V. ; Domashevskaya, E. P. ; Arsentyev, I. N. ; Vinokurov, D. A. ; Tarasov, I. S. ; Zhurbina, I. A.

Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2010-02, Vol.44 (2), p.184-188 [Periódico revisado por pares]

Dordrecht: SP MAIK Nauka/Interperiodica

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Weak localization/antilocalization in a nearly symmetric In{sub 0.53}Ga{sub 0.47}As/In{sub 0.52}Al{sub 0.48}As quantum well
Weak localization/antilocalization in a nearly symmetric In{sub 0.53}Ga{sub 0.47}As/In{sub 0.52}Al{sub 0.48}As quantum well
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Weak localization/antilocalization in a nearly symmetric In{sub 0.53}Ga{sub 0.47}As/In{sub 0.52}Al{sub 0.48}As quantum well

Faniel, S. ; Matsuura, T. ; Koga, T. ; Creative Research Institution, Research Department, Hokkaido University, Sapporo, 001-0021 ; Mineshige, S. ; Sekine, Y.

AIP conference proceedings, 2011-12, Vol.1399 (1) [Periódico revisado por pares]

United States

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In-Situ RBS Channelling Studies Of Ion Implanted Semiconductors And Insulators
In-Situ RBS Channelling Studies Of Ion Implanted Semiconductors And Insulators
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Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

In-Situ RBS Channelling Studies Of Ion Implanted Semiconductors And Insulators

Wendler, E

AIP conference proceedings, 2011, Vol.1336 (1) [Periódico revisado por pares]

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Amplified luminescence and output characteristics of high-power InGaAs/AlGaAs laser diode arrays
Amplified luminescence and output characteristics of high-power InGaAs/AlGaAs laser diode arrays
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Amplified luminescence and output characteristics of high-power InGaAs/AlGaAs laser diode arrays

Kabanov, V V ; Lebiadok, E V ; Ramanenka, A A ; Ryabtsev, A G ; Ryabtsev, G I ; Shchemelev, M A ; Mekhta, S K

Quantum electronics (Woodbury, N.Y.), 2011-02, Vol.41 (2), p.95-98 [Periódico revisado por pares]

United States: IOP Publishing

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