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1
(0 0 0 1) oriented GaN epilayer grown on [formula omitted] sapphire by MOCVD
(0 0 0 1) oriented GaN epilayer grown on [formula omitted] sapphire by MOCVD
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(0 0 0 1) oriented GaN epilayer grown on [formula omitted] sapphire by MOCVD

Bai, J. ; Wang, T. ; Li, H.D. ; Jiang, N. ; Sakai, S.

Journal of crystal growth, 2001-09, Vol.231 (1), p.41-47 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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2
[0 1 0] dislocations in the complex metallic alloy ξ ′-Al–Pd–Mn
[0 1 0] dislocations in the complex metallic alloy ξ ′-Al–Pd–Mn
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[0 1 0] dislocations in the complex metallic alloy ξ ′-Al–Pd–Mn

Feuerbacher, M ; Caillard, D

Acta materialia, 2004-03, Vol.52 (5), p.1297-1304 [Periódico revisado por pares]

Oxford: Elsevier Ltd

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3
(0, 2) Heterotic gauge couplings and their M-theory origin
(0, 2) Heterotic gauge couplings and their M-theory origin
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(0, 2) Heterotic gauge couplings and their M-theory origin

Stieberger, S.

Nuclear physics. B, 1999-02, Vol.541 (1), p.109-144 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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4
0-3 piezoelectric composite film with high d33 coefficient
0-3 piezoelectric composite film with high d33 coefficient
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0-3 piezoelectric composite film with high d33 coefficient

CHEN, X.-D ; YANG, D.-B ; JIANG, Y.-D ; WU, Z.-M ; DAN LI ; GOU, F.-J ; YANG, J.-D

Sensors and actuators. A. Physical., 1998-03, Vol.65 (2-3), p.194-196 [Periódico revisado por pares]

Lausanne: Elsevier Science

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5
0.2-Hz repetitive transcranial magnetic stimulation has no add-on effects as compared to a realistic sham stimulation in Parkinson's disease
0.2-Hz repetitive transcranial magnetic stimulation has no add-on effects as compared to a realistic sham stimulation in Parkinson's disease
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0.2-Hz repetitive transcranial magnetic stimulation has no add-on effects as compared to a realistic sham stimulation in Parkinson's disease

Okabe, Shingo ; Ugawa, Yoshikazu ; Kanazawa, Ichiro

Movement disorders, 2003-04, Vol.18 (4), p.382-388 [Periódico revisado por pares]

New York: Wiley Subscription Services, Inc., A Wiley Company

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6
0.4 and 0.7 conductance anomalies in quantum point contacts
0.4 and 0.7 conductance anomalies in quantum point contacts
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0.4 and 0.7 conductance anomalies in quantum point contacts

Bychkov, A M ; Stace, T M

Nanotechnology, 2007-05, Vol.18 (18), p.185403-185403 (5) [Periódico revisado por pares]

IOP Publishing

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7
0.5 Tesla cine-magnetic resonance angiography is a poor screening test for atheromatous renal artery stenosis in chronic renal failure
0.5 Tesla cine-magnetic resonance angiography is a poor screening test for atheromatous renal artery stenosis in chronic renal failure
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0.5 Tesla cine-magnetic resonance angiography is a poor screening test for atheromatous renal artery stenosis in chronic renal failure

GOLDSMITH, D ; DONOHOE, P ; DOYLE, T ; KINGSWOOD, JC ; SHARPSTONE, P

Nephrology (Carlton, Vic.), 1998-10, Vol.4 (5-6), p.347-351 [Periódico revisado por pares]

Oxford, UK: Blackwell Publishing Ltd

Texto completo disponível

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8
0.5981 μm Sum Frequency Mixing in KTP Crystal
0.5981 μm Sum Frequency Mixing in KTP Crystal
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0.5981 μm Sum Frequency Mixing in KTP Crystal

Hongyuan, Shen ; Yuping, Zhou ; Wenxiong, Lin ; Ruirong, Zeng ; Guifang, Yu ; Chenghui, Huang ; Zhengdong, Zeng ; Weijia, Zhang ; Shouquan, Jia ; Peizhi, Jiang ; Chaoliang, Xiao

Chinese physics letters, 1991-04, Vol.8 (4), p.215-217 [Periódico revisado por pares]

IOP Publishing

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9
A 0.4-4-Gb/s CMOS quad transceiver cell using on-chip regulated dual-loop PLLs
A 0.4-4-Gb/s CMOS quad transceiver cell using on-chip regulated dual-loop PLLs
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

A 0.4-4-Gb/s CMOS quad transceiver cell using on-chip regulated dual-loop PLLs

Chang, K.-Y.K. ; Wei, J. ; Huang, C. ; Li, S. ; Donnelly, K. ; Horowitz, M. ; Yingxuan Li ; Sidiropoulos, S.

IEEE journal of solid-state circuits, 2003-05, Vol.38 (5), p.747-754 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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10
Al 0.15 Ga 0.85 N ∕ Ga N high electron mobility transistor structures grownon p -type Si substrates
Al 0.15 Ga 0.85 N ∕ Ga N high electron mobility transistor structures grownon p -type Si substrates
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Al 0.15 Ga 0.85 N ∕ Ga N high electron mobility transistor structures grownon p -type Si substrates

Liang, C.-T ; Chen, Kuang Yao ; Chen, N C ; Chang, P H ; Chang, Chin-An

Applied physics letters, 2006-09, Vol.89 (13), p.132107-132107-3 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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