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gm/Id Analysis of vertical nanowire III–V TFETs
gm/Id Analysis of vertical nanowire III–V TFETs
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gm/Id Analysis of vertical nanowire III–V TFETs

Rangasamy, Gautham ; Zhu, Zhongyunshen ; Ohlsson Fhager, Lars ; Wernersson, Lars-Erik

Electronics letters, 2023-09, Vol.59 (18) [Periódico revisado por pares]

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2
Optimal frequency combination estimation for accurate ultrasound non-destructive testing
Optimal frequency combination estimation for accurate ultrasound non-destructive testing
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Optimal frequency combination estimation for accurate ultrasound non-destructive testing

Kumar, A ; Shakya, S ; Goswami, M

Electronics letters, 2020-09, Vol.56 (19), p.1022-1024 [Periódico revisado por pares]

The Institution of Engineering and Technology

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3
Vertical nanowire III–V MOSFETs with improved high-frequency gain
Vertical nanowire III–V MOSFETs with improved high-frequency gain
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Vertical nanowire III–V MOSFETs with improved high-frequency gain

Kilpi, O.-P ; Hellenbrand, M ; Svensson, J ; Lind, E ; Wernersson, L.-E

Electronics letters, 2020-06, Vol.56 (13), p.669-671 [Periódico revisado por pares]

The Institution of Engineering and Technology

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4
High-frequency InGaAs tri-gate MOSFETs with fmax of 400 GHz
High-frequency InGaAs tri-gate MOSFETs with fmax of 400 GHz
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High-frequency InGaAs tri-gate MOSFETs with fmax of 400 GHz

Zota, C.B ; Lindelöw, F ; Wernersson, L.-E ; Lind, E

Electronics letters, 2016-10, Vol.52 (22), p.1869-1871 [Periódico revisado por pares]

The Institution of Engineering and Technology

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5
Radio frequency reliability studies of CMOS RF integrated circuits for ultra-thin flexible packages
Radio frequency reliability studies of CMOS RF integrated circuits for ultra-thin flexible packages
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Radio frequency reliability studies of CMOS RF integrated circuits for ultra-thin flexible packages

Mitra, D ; Hamidi, S.B ; Roy, P ; Biswas, C ; Biswas, A ; Dawn, D

Electronics letters, 2020-03, Vol.56 (6), p.280-282 [Periódico revisado por pares]

The Institution of Engineering and Technology

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6
Picosecond dynamics in a millimetre-wave RTD–MOSFET wavelet generator
Picosecond dynamics in a millimetre-wave RTD–MOSFET wavelet generator
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Picosecond dynamics in a millimetre-wave RTD–MOSFET wavelet generator

Ohlsson, L ; Fay, P ; Wernersson, L.-E

Electronics letters, 2015-10, Vol.51 (21), p.1671-1673 [Periódico revisado por pares]

The Institution of Engineering and Technology

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7
Capacity maximisation of handheld MIMO terminal with adaptive matching in indoor environment
Capacity maximisation of handheld MIMO terminal with adaptive matching in indoor environment
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Capacity maximisation of handheld MIMO terminal with adaptive matching in indoor environment

PLICANIC, V ; VASILEV, I ; TIAN, R ; LAU, B. K

Electronics letters, 2011-08, Vol.47 (16), p.900-901 [Periódico revisado por pares]

Stevenage: Institution of Engineering and Technology

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8
Efficient evaluation of specific absorption rate for MIMO terminals
Efficient evaluation of specific absorption rate for MIMO terminals
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Efficient evaluation of specific absorption rate for MIMO terminals

Li, H ; Lau, B.K

Electronics letters, 2014-10, Vol.50 (22), p.1561-1562 [Periódico revisado por pares]

Stevenage: The Institution of Engineering and Technology

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9
InAs nanowire MOSFET differential active mixer on Si-substrate
InAs nanowire MOSFET differential active mixer on Si-substrate
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

InAs nanowire MOSFET differential active mixer on Si-substrate

Persson, K.-M ; Berg, M ; Sjöland, H ; Lind, E ; Wernersson, L.-E

Electronics letters, 2014-04, Vol.50 (9), p.682-683 [Periódico revisado por pares]

Stevenage: The Institution of Engineering and Technology

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10
Wideband and non-dispersive wavelet transmission using leaky lens antenna
Wideband and non-dispersive wavelet transmission using leaky lens antenna
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Wideband and non-dispersive wavelet transmission using leaky lens antenna

Vakili, I ; Ohlsson, L ; Gustafsson, M ; Wernersson, L.-E

Electronics letters, 2013-02, Vol.49 (5), p.321-322 [Periódico revisado por pares]

Stevenage: The Institution of Engineering and Technology

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