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Impact ionization induced dynamic floating body effect in junctionless transistors
Impact ionization induced dynamic floating body effect in junctionless transistors
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Impact ionization induced dynamic floating body effect in junctionless transistors

Yu, R. ; Nazarov, A.N. ; Lysenko, V.S. ; Das, S. ; Ferain, I. ; Razavi, P. ; Shayesteh, M. ; Kranti, A. ; Duffy, R. ; Colinge, J.-P.

Solid-state electronics, 2013-12, Vol.90, p.28-33 [Periódico revisado por pares]

Kidlington: Elsevier Ltd

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2
Measurement of geodesic acoustic modes and the turbulent particle flux in the T-10 tokamak plasmas
Measurement of geodesic acoustic modes and the turbulent particle flux in the T-10 tokamak plasmas
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Measurement of geodesic acoustic modes and the turbulent particle flux in the T-10 tokamak plasmas

Eliseev, L G ; Zenin, V N ; Lysenko, S E ; Melnikov, A V

Journal of physics. Conference series, 2017-10, Vol.907 (1), p.12002 [Periódico revisado por pares]

Bristol: IOP Publishing

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3
Electron paramagnetic resonance study of paramagnetic centers in carbon-fumed silica adsorbent
Electron paramagnetic resonance study of paramagnetic centers in carbon-fumed silica adsorbent
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Electron paramagnetic resonance study of paramagnetic centers in carbon-fumed silica adsorbent

Savchenko, D. V. ; Shanina, B. D. ; Kalabukhova, E. N. ; Sitnikov, A. A. ; Lysenko, V. S. ; Tertykh, V. A.

Journal of applied physics, 2014-04, Vol.115 (13) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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4
Formation of the active medium in high-power repetitively pulsed gas lasers pumped by an electron-beam-controlled discharge
Formation of the active medium in high-power repetitively pulsed gas lasers pumped by an electron-beam-controlled discharge
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Formation of the active medium in high-power repetitively pulsed gas lasers pumped by an electron-beam-controlled discharge

Bulaev, V.D. ; Lysenko, S.L.

Quantum electronics (Woodbury, N.Y.), 2015-01, Vol.45 (7), p.610-616 [Periódico revisado por pares]

United States: Turpion Ltd and the Russian Academy of Sciences

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5
Characterization of graphene layers by Kelvin probe force microscopy and micro-Raman spectroscopy
Characterization of graphene layers by Kelvin probe force microscopy and micro-Raman spectroscopy
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Characterization of graphene layers by Kelvin probe force microscopy and micro-Raman spectroscopy

Nazarov, A. N. ; Gordienko, S. O. ; Lytvyn, P. M. ; Strelchuk, V. V. ; Nikolenko, A. S. ; Vasin, A. V. ; Rusavsky, A. V. ; Lysenko, V. S. ; Popov, V. P.

Physica status solidi. C, 2013-08, Vol.10 (7-8), p.1172-1175 [Periódico revisado por pares]

Berlin: WILEY-VCH Verlag

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6
Improved rectification and transport properties of hybrid PEDOT:PSS/Ge/Si heterojunctions with Ge nanoclusters
Improved rectification and transport properties of hybrid PEDOT:PSS/Ge/Si heterojunctions with Ge nanoclusters
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Improved rectification and transport properties of hybrid PEDOT:PSS/Ge/Si heterojunctions with Ge nanoclusters

Kondratenko, S. V. ; Lysenko, V. S. ; Gomeniuk, Yu. V. ; Kondratenko, O. S. ; Kozyrev, Yu. N. ; Selyshchev, O. V. ; Dzhagan, V. M. ; Zahn, D. R. T.

Journal of applied physics, 2020-08, Vol.128 (8) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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7
Multiband light emission and nanoscale chemical analyses of carbonized fumed silica
Multiband light emission and nanoscale chemical analyses of carbonized fumed silica
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Multiband light emission and nanoscale chemical analyses of carbonized fumed silica

Vasin, A. V. ; Kysil, D. V. ; Lajaunie, L. ; Rudko, G. Yu ; Lysenko, V. S. ; Sevostianov, S. V. ; Tertykh, V. A. ; Piryatinski, Yu. P. ; Cannas, M. ; Vaccaro, L. ; Arenal, R. ; Nazarov, A. N.

Journal of applied physics, 2018-09, Vol.124 (10) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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8
Nano- and micro-scale morghological defects in oxidized a-SiC:H thin films
Nano- and micro-scale morghological defects in oxidized a-SiC:H thin films
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Nano- and micro-scale morghological defects in oxidized a-SiC:H thin films

Vasin, A. V. ; Gomeniuk, Y. Y. ; Rusavsky, A. V. ; Nazarov, A. N. ; Lysenko, V. S. ; Lytvyn, P. M. ; Gontar, O. G. ; Starik, S. P. ; Nouveau, C. ; Ashok, S.

Physica status solidi. C, 2013-04, Vol.10 (4), p.619-623 [Periódico revisado por pares]

Berlin: WILEY-VCH Verlag

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9
Quenching of electroluminescence and charge trapping in high-efficiency Ge-implanted MOS light-emitting silicon diodes
Quenching of electroluminescence and charge trapping in high-efficiency Ge-implanted MOS light-emitting silicon diodes
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Quenching of electroluminescence and charge trapping in high-efficiency Ge-implanted MOS light-emitting silicon diodes

NAZAROV, A. N ; OSIYUK, I. N ; SUN, J. M ; YANKOV, R. A ; SKORUPA, W ; TYAGULSKII, I. P ; LYSENKO, V. S ; PRUCNAL, S ; GEBEL, T ; REBOHLE, L

Applied physics. B, Lasers and optics, 2007-03, Vol.87 (1), p.129-134 [Periódico revisado por pares]

Berlin: Springer

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10
Experimental study of transconductance and mobility behaviors in ultra-thin SOI MOSFETs with standard and thin buried oxides
Experimental study of transconductance and mobility behaviors in ultra-thin SOI MOSFETs with standard and thin buried oxides
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Experimental study of transconductance and mobility behaviors in ultra-thin SOI MOSFETs with standard and thin buried oxides

Rudenko, T. ; Kilchytska, V. ; Burignat, S. ; Raskin, J.-P. ; Andrieu, F. ; Faynot, O. ; Le Tiec, Y. ; Landry, K. ; Nazarov, A. ; Lysenko, V.S. ; Flandre, D.

Solid-state electronics, 2010-02, Vol.54 (2), p.164-170 [Periódico revisado por pares]

Elsevier Ltd

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