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1
Reduction of native oxides on InAs by atomic layer deposited Al2O3 and HfO2
Reduction of native oxides on InAs by atomic layer deposited Al2O3 and HfO2
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Reduction of native oxides on InAs by atomic layer deposited Al2O3 and HfO2

Timm, R. ; Fian, A. ; Hjort, M. ; Thelander, C. ; Lind, E. ; Andersen, J. N. ; Wernersson, L.-E. ; Mikkelsen, A.

Applied physics letters, 2010-09, Vol.97 (13) [Periódico revisado por pares]

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2
Al2O3/InAs metal-oxide-semiconductor capacitors on (100) and (111)B substrates
Al2O3/InAs metal-oxide-semiconductor capacitors on (100) and (111)B substrates
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Al2O3/InAs metal-oxide-semiconductor capacitors on (100) and (111)B substrates

Wu, Jun ; Lind, E. ; Timm, R. ; Hjort, Martin ; Mikkelsen, A. ; Wernersson, L.-E.

Applied physics letters, 2012-03, Vol.100 (13), p.3 [Periódico revisado por pares]

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3
Interface composition of InAs nanowires with Al 2 O 3 and HfO 2 thin films
Interface composition of InAs nanowires with Al 2 O 3 and HfO 2 thin films
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Interface composition of InAs nanowires with Al 2 O 3 and HfO 2 thin films

Timm, R ; Hjort, M ; Fian, A ; Borg, B M ; Thelander, C ; Andersen, J N ; Wernersson, L.-E ; Mikkelsen, A

Applied physics letters, 2011-11, Vol.99 (22), p.222907-222907-3 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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4
Al 2 O 3 /InAs metal-oxide-semiconductor capacitors on (100) and (111)B substrates
Al 2 O 3 /InAs metal-oxide-semiconductor capacitors on (100) and (111)B substrates
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Al 2 O 3 /InAs metal-oxide-semiconductor capacitors on (100) and (111)B substrates

Wu, Jun ; Lind, E ; Timm, R ; Hjort, Martin ; Mikkelsen, A ; Wernersson, L.-E

Applied physics letters, 2012-03, Vol.100 (13), p.132905-132905-3 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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5
Reduction of native oxides on InAs by atomic layer deposited Al 2 O 3 and HfO 2
Reduction of native oxides on InAs by atomic layer deposited Al 2 O 3 and HfO 2
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Reduction of native oxides on InAs by atomic layer deposited Al 2 O 3 and HfO 2

Timm, R ; Fian, A ; Hjort, M ; Thelander, C ; Lind, E ; Andersen, J N ; Wernersson, L.-E ; Mikkelsen, A

Applied physics letters, 2010-09, Vol.97 (13), p.132904-132904-3 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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6
Reduction of native oxides on InAs by atomic layer deposited Al{sub 2}O{sub 3} and HfO{sub 2}
Reduction of native oxides on InAs by atomic layer deposited Al{sub 2}O{sub 3} and HfO{sub 2}
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Reduction of native oxides on InAs by atomic layer deposited Al{sub 2}O{sub 3} and HfO{sub 2}

Timm, R. ; Fian, A. ; Hjort, M. ; Thelander, C. ; Lind, E. ; Andersen, J. N. ; Wernersson, L.-E. ; Mikkelsen, A.

Applied physics letters, 2010-09, Vol.97 (13) [Periódico revisado por pares]

United States

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