skip to main content
Resultados 1 2 3 4 5 next page
Mostrar Somente
Refinado por: Base de dados/Biblioteca: ANTE: Abstracts in New Technology & Engineering remover assunto: Engineering remover
Result Number Material Type Add to My Shelf Action Record Details and Options
1
Planar edge termination design and technology considerations for 1.7-kV 4H-SiC PiN diodes
Material Type:
Artigo
Adicionar ao Meu Espaço

Planar edge termination design and technology considerations for 1.7-kV 4H-SiC PiN diodes

Perez, R. ; Tournier, D. ; Perez-Tomas, A. ; Godignon, P. ; Mestres, N. ; Millan, J.

IEEE transactions on electron devices, 2005-10, Vol.52 (10), p.2309-2316 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

Texto completo disponível

2
Continuous Wave Spectroscopic Terahertz Imaging With InGaAs Bow-Tie Diodes at Room Temperature
Material Type:
Artigo
Adicionar ao Meu Espaço

Continuous Wave Spectroscopic Terahertz Imaging With InGaAs Bow-Tie Diodes at Room Temperature

Kasalynas, I. ; Venckevicius, R. ; Valusis, G.

IEEE sensors journal, 2013-01, Vol.13 (1), p.50-54 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

Texto completo disponível

3
Super Barrier Rectifier-A New Generation of Power Diode
Material Type:
Artigo
Adicionar ao Meu Espaço

Super Barrier Rectifier-A New Generation of Power Diode

Rodov, V. ; Ankoudinov, A.L. ; Taufik

IEEE transactions on industry applications, 2008-01, Vol.44 (1), p.234-237 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

Texto completo disponível

4
High voltage and high current density vertical GaN power diodes
Material Type:
Artigo
Adicionar ao Meu Espaço

High voltage and high current density vertical GaN power diodes

Armstrong, A.M ; Allerman, A.A ; Fischer, A.J ; King, M.P ; van Heukelom, M.S ; Moseley, M.W ; Kaplar, R.J ; Wierer, J.J ; Crawford, M.H ; Dickerson, J.R

Electronics letters, 2016-06, Vol.52 (13), p.1170-1171 [Periódico revisado por pares]

United States: The Institution of Engineering and Technology

Texto completo disponível

5
Improvement of conversion efficiency for solar cell with metal–oxide-semiconductor diode
Material Type:
Artigo
Adicionar ao Meu Espaço

Improvement of conversion efficiency for solar cell with metal–oxide-semiconductor diode

Matsuo, N ; Kobayashi, T ; Heya, A

Electronics letters, 2013-10, Vol.49 (21), p.1351-1353 [Periódico revisado por pares]

Stevenage: The Institution of Engineering and Technology

Texto completo disponível

6
Integrated Silicon Directly Modulated Light Source Using p-Well in Standard CMOS Technology
Material Type:
Artigo
Adicionar ao Meu Espaço

Integrated Silicon Directly Modulated Light Source Using p-Well in Standard CMOS Technology

Xu, Kaikai

IEEE sensors journal, 2016-08, Vol.16 (16), p.6184-6191 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

Texto completo disponível

7
Research and analysis of voids in semiconductor laser diode packaging reflow soldering
Material Type:
Artigo
Adicionar ao Meu Espaço

Research and analysis of voids in semiconductor laser diode packaging reflow soldering

Xu, Peidong ; Qian, Yang ; Wang, Bin ; Wang, Yong ; Yue, Yuxin ; Teng, Yunjie ; Wang, Xiantao

Microwave and optical technology letters, 2023-05, Vol.65 (5), p.1339-1345 [Periódico revisado por pares]

New York: Wiley Subscription Services, Inc

Texto completo disponível

8
Radio-Frequency Rectifier for Electromagnetic Energy Harvesting: Development Path and Future Outlook
Material Type:
Artigo
Adicionar ao Meu Espaço

Radio-Frequency Rectifier for Electromagnetic Energy Harvesting: Development Path and Future Outlook

Hemour, Simon ; Wu, Ke

Proceedings of the IEEE, 2014-11, Vol.102 (11), p.1667-1691 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

Texto completo disponível

9
Fabrication and Characterization of the Charge-Plasma Diode
Material Type:
Artigo
Adicionar ao Meu Espaço

Fabrication and Characterization of the Charge-Plasma Diode

Rajasekharan, Bijoy ; Hueting, Raymond J E ; Salm, Cora ; van Hemert, Tom ; Wolters, Rob A M ; Schmitz, Jurriaan

IEEE electron device letters, 2010-06, Vol.31 (6), p.528-530 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

Texto completo disponível

10
Vertical GaN Power Diodes With a Bilayer Edge Termination
Material Type:
Artigo
Adicionar ao Meu Espaço

Vertical GaN Power Diodes With a Bilayer Edge Termination

Dickerson, Jeramy R. ; Allerman, Andrew A. ; Bryant, Benjamin N. ; Fischer, Arthur J. ; King, Michael P. ; Moseley, Michael W. ; Armstrong, Andrew M. ; Kaplar, Robert J. ; Kizilyalli, Isik C. ; Aktas, Ozgur ; Wierer, Jonathan J.

IEEE transactions on electron devices, 2016-01, Vol.63 (1), p.419-425 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

Texto completo disponível

Resultados 1 2 3 4 5 next page

Personalize Seus Resultados

  1. Editar

Refine Search Results

Expandir Meus Resultados

  1.   

Mostrar Somente

  1. Recursos Online (2.987)
  2. Revistas revisadas por pares (2.580)

Refinar Meus Resultados

Tipo de Recurso 

  1. Artigos  (3.054)
  2. magazinearticle  (51)
  3. Mais opções open sub menu

Data de Publicação 

De até
  1. Antes de1993  (41)
  2. 1993Até2000  (263)
  3. 2001Até2008  (1.545)
  4. 2009Até2017  (1.140)
  5. Após 2017  (117)
  6. Mais opções open sub menu

Idioma 

  1. Japonês  (497)
  2. Russo  (1)
  3. Mais opções open sub menu

Buscando em bases de dados remotas. Favor aguardar.