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Microelectronics Journal
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Material Type: Artigo
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Low growth rate InAs/GaAs quantum dots for room-temperature luminescence over 1.3 'mu'mM J da Silva S Martini; T. E Lamas (Tomás Erikson); A. A Quivy (Alain André); Euzi Conceicao Fernandes da Silva; J. R Leite (José Roberto)Microelectronics Journal Oxford v. 34, n. 5-8, p. 631-633, 2003Oxford 2003Acesso online |
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Material Type: Artigo
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Coupled rate equation modeling of self-assembled quantum dot photoluminescenceF V de Sales J M R Cruz; S W da Silva; M A G Soler; P C Morais; M J da Silva; A. A Quivy (Alain André); J. R Leite (José Roberto)Microelectronics Journal Oxford v. 34, n. 5-8, p. 705-707, 2003Oxford 2003Acesso online |
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Material Type: Artigo
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Low growth rate InAs/GaAs quantum dots for room-temperature luminescence over 1.3 'mu'mM J da Silva S Martini; T. E Lamas (Tomás Erikson); A. A Quivy (Alain André); Euzi Conceicao Fernandes da Silva; J. R Leite (José Roberto)Microelectronics Journal Oxford v. 34, n. 5-8, p. 631-633, 2003Oxford 2003Acesso online |
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Material Type: Artigo
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Coupled rate equation modeling of self-assembled quantum dot photoluminescenceF V de Sales J M R Cruz; S W da Silva; M A G Soler; P C Morais; M J da Silva; A. A Quivy (Alain André); J. R Leite (José Roberto)Microelectronics Journal Oxford v. 34, n. 5-8, p. 705-707, 2003Oxford 2003Acesso online |
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Material Type: Artigo
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Morphological and optical properties of p-type GaAs(001) layers doped with siliconT. E. Lamas (Tomás Erikson) S Martini; M J da Silva; A. A Quivy (Alain André); J. R Leite (José Roberto)Microelectronics Journal Oxford v. 34, n. 5-8, p. 701-703, 2003Oxford 2003Acesso online |
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Material Type: Artigo
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Evolution of the two-dimensional towards three-dimensional Landau states in wide parabolic quantum wellC. S. Sérgio (Cássio Sanguini) Guennadii Michailovich Gusev; A. A Quivy (Alain André); T. E Lamas (Tomás Erikson); J. R Leite (José Roberto); O Estibals; J C PortalMicroelectronics Journal Oxford v. 34, n. 5-8, p. 763-766, 2003Oxford 2003Acesso online |
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Material Type: Artigo
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Morphological and optical properties of p-type GaAs(001) layers doped with siliconT. E. Lamas (Tomás Erikson) S Martini; M J da Silva; A. A Quivy (Alain André); J. R Leite (José Roberto)Microelectronics Journal Oxford v. 34, n. 5-8, p. 701-703, 2003Oxford 2003Acesso online |
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Material Type: Artigo
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Evolution of the two-dimensional towards three-dimensional Landau states in wide parabolic quantum wellC. S. Sérgio (Cássio Sanguini) Guennadii Michailovich Gusev; A. A Quivy (Alain André); T. E Lamas (Tomás Erikson); J. R Leite (José Roberto); O Estibals; J C PortalMicroelectronics Journal Oxford v. 34, n. 5-8, p. 763-766, 2003Oxford 2003Acesso online |
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Material Type: Artigo
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Confined excitons in 'Si/SrTiO IND.3' quantum wellsT A S Pereira J A K Freire; V N Freire; G A Farias; Luisa Maria Ribeiro Scolfaro; J. R Leite (José Roberto); E F da Silva JuniorMicroelectronics Journal Oxford v. 34, 5-8, p. 507-509, 2003Oxford 2003Acesso online |
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Material Type: Artigo
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Confined excitons in 'Si/SrTiO IND.3' quantum wellsT A S Pereira J A K Freire; V N Freire; G A Farias; Luisa Maria Ribeiro Scolfaro; J. R Leite (José Roberto); E F da Silva JuniorMicroelectronics Journal Oxford v. 34, 5-8, p. 507-509, 2003Oxford 2003Acesso online |
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- Silva, M (6)
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