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1
Twistronics: Manipulating the electronic properties of two-dimensional layered structures through their twist angle
Twistronics: Manipulating the electronic properties of two-dimensional layered structures through their twist angle
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Twistronics: Manipulating the electronic properties of two-dimensional layered structures through their twist angle

Carr, Stephen ; Massatt, Daniel ; Fang, Shiang ; Cazeaux, Paul ; Luskin, Mitchell ; Kaxiras, Efthimios

Physical review. B, 2017-02, Vol.95 (7), Article 075420 [Periódico revisado por pares]

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2
Symmetry protected topological orders and the group cohomology of their symmetry group
Symmetry protected topological orders and the group cohomology of their symmetry group
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Symmetry protected topological orders and the group cohomology of their symmetry group

Chen, Xie ; Gu, Zheng-Cheng ; Liu, Zheng-Xin ; Wen, Xiao-Gang

Physical review. B, Condensed matter and materials physics, 2013-04, Vol.87 (15), Article 155114 [Periódico revisado por pares]

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3
Atomic forces by quantum Monte Carlo: Application to phonon dispersion calculations
Atomic forces by quantum Monte Carlo: Application to phonon dispersion calculations
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Atomic forces by quantum Monte Carlo: Application to phonon dispersion calculations

Nakano, Kousuke ; Morresi, Tommaso ; Casula, Michele ; Maezono, Ryo ; Sorella, Sandro

Physical review. B, 2021-03, Vol.103 (12), Article L121110 [Periódico revisado por pares]

American Physical Society

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4
Optical dielectric function of silver
Optical dielectric function of silver
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Optical dielectric function of silver

Yang, Honghua U. ; D'Archangel, Jeffrey ; Sundheimer, Michael L. ; Tucker, Eric ; Boreman, Glenn D. ; Raschke, Markus B.

Physical review. B, Condensed matter and materials physics, 2015-06, Vol.91 (23), Article 235137 [Periódico revisado por pares]

United States: American Physical Society

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5
Many-body localization edge in the random-field Heisenberg chain
Many-body localization edge in the random-field Heisenberg chain
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Many-body localization edge in the random-field Heisenberg chain

Luitz, David J. ; Laflorencie, Nicolas ; Alet, Fabien

Physical review. B, Condensed matter and materials physics, 2015-02, Vol.91 (8), Article 081103 [Periódico revisado por pares]

American Physical Society

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6
Layer-controlled band gap and anisotropic excitons in few-layer black phosphorus
Layer-controlled band gap and anisotropic excitons in few-layer black phosphorus
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Layer-controlled band gap and anisotropic excitons in few-layer black phosphorus

Tran, Vy ; Soklaski, Ryan ; Liang, Yufeng ; Yang, Li

Physical review. B, Condensed matter and materials physics, 2014-06, Vol.89 (23), Article 235319 [Periódico revisado por pares]

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7
Magnetic structure and phase stability of the van der Waals bonded ferromagnet Fe3-xGeTe2
Magnetic structure and phase stability of the van der Waals bonded ferromagnet Fe3-xGeTe2
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Magnetic structure and phase stability of the van der Waals bonded ferromagnet Fe3-xGeTe2

May, Andrew F. ; Calder, Stuart A. ; Cantoni, Claudia ; Cao, Huibo ; McGuire, Michael A.

Physical review. B, 2016-01, Vol.93 (1) [Periódico revisado por pares]

United States: American Physical Society (APS)

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8
Axionic field theory of ( 3 + 1 ) -dimensional Weyl semimetals
Axionic field theory of ( 3 + 1 ) -dimensional Weyl semimetals
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Axionic field theory of ( 3 + 1 ) -dimensional Weyl semimetals

Goswami, Pallab ; Tewari, Sumanta

Physical review. B, Condensed matter and materials physics, 2013-12, Vol.88 (24), Article 245107 [Periódico revisado por pares]

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9
Thickness and strain effects on electronic structures of transition metal dichalcogenides: 2H- M X 2 semiconductors ( M = Mo, W; X = S, Se, Te)
Thickness and strain effects on electronic structures of transition metal dichalcogenides: 2H- M X 2 semiconductors ( M = Mo, W; X = S, Se, Te)
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Thickness and strain effects on electronic structures of transition metal dichalcogenides: 2H- M X 2 semiconductors ( M = Mo, W; X = S, Se, Te)

Yun, Won Seok ; Han, S. W. ; Hong, Soon Cheol ; Kim, In Gee ; Lee, J. D.

Physical review. B, Condensed matter and materials physics, 2012-01, Vol.85 (3), Article 033305 [Periódico revisado por pares]

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10
Equivalence of restricted Boltzmann machines and tensor network states
Equivalence of restricted Boltzmann machines and tensor network states
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Equivalence of restricted Boltzmann machines and tensor network states

Chen, Jing ; Cheng, Song ; Xie, Haidong ; Wang, Lei ; Xiang, Tao

Physical review. B, 2018-02, Vol.97 (8), Article 085104 [Periódico revisado por pares]

College Park: American Physical Society

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  1. Revistas revisadas por pares (72.430)

Data de Publicação 

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  1. Antes de1985  (648)
  2. 1985Até1993  (2.856)
  3. 1994Até2002  (3.250)
  4. 2003Até2012  (23.448)
  5. Após 2012  (42.357)
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Idioma 

  1. Japonês  (13.650)
  2. Russo  (43)
  3. Norueguês  (41)
  4. Chinês  (10)
  5. Italiano  (1)
  6. Sueco  (1)
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  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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