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Investigation of surface charges and traps in gallium nitride/aluminium gallium nitride/gallium nitride high-voltage transistors via measurements and technology computer-aided design simulations of transfer characteristics of metal–insulator–semiconductor field-effect transistors and high-electron-mobility transistors
Investigation of surface charges and traps in gallium nitride/aluminium gallium nitride/gallium nitride high-voltage transistors via measurements and technology computer-aided design simulations of transfer characteristics of metal–insulator–semiconductor field-effect transistors and high-electron-mobility transistors
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Investigation of surface charges and traps in gallium nitride/aluminium gallium nitride/gallium nitride high-voltage transistors via measurements and technology computer-aided design simulations of transfer characteristics of metal–insulator–semiconductor field-effect transistors and high-electron-mobility transistors

Longobardi, Giorgia ; Udrea, Florin ; Sque, Stephen ; Croon, Jeroen ; Hurkx, Fred ; Šonský, Jan

IET power electronics, 2015-12, Vol.8 (12), p.2322-2328 [Periódico revisado por pares]

The Institution of Engineering and Technology

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2
Gallium nitride (GaN)
Gallium nitride (GaN)
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Gallium nitride (GaN)

Jacques I Pankove 1922-; T. D Moustakas

San Diego Academic Press 1998-

Localização: IF - Instituto de Física    (MS SS v.50 )(Acessar)

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Controlled growth of gallium nitride nanowires on silicon and their utility in high performance Ultraviolet‑A photodetectors
Controlled growth of gallium nitride nanowires on silicon and their utility in high performance Ultraviolet‑A photodetectors
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Controlled growth of gallium nitride nanowires on silicon and their utility in high performance Ultraviolet‑A photodetectors

Sankaranarayanan, Sanjay ; Kandasamy, Prabakaran ; Raju, Ramesh ; Gengan, Saravanan ; Krishnan, Baskar

Sensors and actuators. A. Physical., 2021-12, Vol.332, p.113189, Article 113189 [Periódico revisado por pares]

Lausanne: Elsevier B.V

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4
Low-loss GHz frequency phononic integrated circuits in Gallium Nitride for compact radio-frequency acoustic wave devices
Low-loss GHz frequency phononic integrated circuits in Gallium Nitride for compact radio-frequency acoustic wave devices
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Low-loss GHz frequency phononic integrated circuits in Gallium Nitride for compact radio-frequency acoustic wave devices

Bicer, Mahmut ; Balram, Krishna C.

IEEE transactions on ultrasonics, ferroelectrics, and frequency control, 2024-01, Vol.71 (1), p.1-1 [Periódico revisado por pares]

United States: IEEE

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5
Gallium-Nitride (GaN) II
Gallium-Nitride (GaN) II
Gallium-Nitride (GaN) II
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Livro 		Adicionar ao Meu Espaço

Gallium-Nitride (GaN) II

Robert K. Willardson T. D Moustakas; Theodore D Moustakas; J. I Pankove; Jacques I Pankove; Eicke R Weber; R. K Willardson

Elsevier 1999

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

6
Caracterização estrutural e magnética de amostras de c-GaN implantadas com Fe, Mn e Cu
Caracterização estrutural e magnética de amostras de c-GaN implantadas com Fe, Mn e Cu
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Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Caracterização estrutural e magnética de amostras de c-GaN implantadas com Fe, Mn e Cu

Righetti, Victor Augusto Nieto

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Instituto de Física 2013-12-06

Acesso online

7
Aqueous Stability of Ga- and N‑Polar Gallium Nitride
Aqueous Stability of Ga- and N‑Polar Gallium Nitride
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Aqueous Stability of Ga- and N‑Polar Gallium Nitride

Foster, Corey M ; Collazo, Ramon ; Sitar, Zlatko ; Ivanisevic, Albena

Langmuir, 2013-01, Vol.29 (1), p.216-220 [Periódico revisado por pares]

Washington, DC: American Chemical Society

Texto completo disponível

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8
Dislocation Reactions in a Semipolar Gallium Nitride Layer Grown on a Vicinal Si(001) Substrate Using Aluminum Nitride and 3C–SiC Buffer Layers
Dislocation Reactions in a Semipolar Gallium Nitride Layer Grown on a Vicinal Si(001) Substrate Using Aluminum Nitride and 3C–SiC Buffer Layers
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Dislocation Reactions in a Semipolar Gallium Nitride Layer Grown on a Vicinal Si(001) Substrate Using Aluminum Nitride and 3C–SiC Buffer Layers

Sorokin, L. M. ; Gutkin, M. Yu ; Myasoedov, A. V. ; Kalmykov, A. E. ; Bessolov, V. N. ; Kukushkin, S. A.

Physics of the solid state, 2019-12, Vol.61 (12), p.2316-2320 [Periódico revisado por pares]

Moscow: Pleiades Publishing

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Gallium Nitride as an Electromechanical Material
Gallium Nitride as an Electromechanical Material
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Gallium Nitride as an Electromechanical Material

Rais-Zadeh, Mina ; Gokhale, Vikrant Jayant ; Ansari, Azadeh ; Faucher, Marc ; Théron, Didier ; Cordier, Yvon ; Buchaillot, Lionel

Journal of microelectromechanical systems, 2014-12, Vol.23 (6), p.1252-1271 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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A Printable Form of Single-Crystalline Gallium Nitride for Flexible Optoelectronic Systems
A Printable Form of Single-Crystalline Gallium Nitride for Flexible Optoelectronic Systems
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

A Printable Form of Single-Crystalline Gallium Nitride for Flexible Optoelectronic Systems

Lee, Keon Jae ; Lee, Jaeseob ; Hwang, Heedon ; Reitmeier, Zachary J. ; Davis, Robert F. ; Rogers, John A. ; Nuzzo, Ralph G.

Small (Weinheim an der Bergstrasse, Germany), 2005-12, Vol.1 (12), p.1164-1168 [Periódico revisado por pares]

Weinheim: WILEY-VCH Verlag

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  1. Moustakas, T
  2. Pankove, J
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  5. Righetti, V

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  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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