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Vertical β -Ga2O3 metal–insulator–semiconductor diodes with an ultrathin boron nitride interlayer
Vertical β -Ga2O3 metal–insulator–semiconductor diodes with an ultrathin boron nitride interlayer
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Vertical β -Ga2O3 metal–insulator–semiconductor diodes with an ultrathin boron nitride interlayer

Xu, Mingfei ; Biswas, Abhijit ; Li, Tao ; He, Ziyi ; Luo, Shisong ; Mei, Zhaobo ; Zhou, Jingan ; Chang, Cheng ; Puthirath, Anand B. ; Vajtai, Robert ; Ajayan, Pulickel M. ; Zhao, Yuji

Applied physics letters, 2023-12, Vol.123 (23) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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2
Switching in semiconductor diodes
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Switching in semiconductor diodes

Nosov, ëIìU. R. 1931- (ëIìUriæi Romanovich)

New York Plenum Press 1969

Localização: IFSC - Inst. Física de São Carlos    (537.59 N897s )(Acessar)

3
Semiconductor–Insulator–Semiconductor Diode Consisting of Monolayer MoS2, h‑BN, and GaN Heterostructure
Semiconductor–Insulator–Semiconductor Diode Consisting of Monolayer MoS2, h‑BN, and GaN Heterostructure
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Semiconductor–Insulator–Semiconductor Diode Consisting of Monolayer MoS2, h‑BN, and GaN Heterostructure

Jeong, Hyun ; Bang, Seungho ; Oh, Hye Min ; Jeong, Hyeon Jun ; An, Sung-Jin ; Han, Gang Hee ; Kim, Hyun ; Kim, Ki Kang ; Park, Jin Cheol ; Lee, Young Hee ; Lerondel, Gilles ; Jeong, Mun Seok

ACS nano, 2015-10, Vol.9 (10), p.10032-10038 [Periódico revisado por pares]

United States: American Chemical Society

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4
Physical electronics and circuit models of transistors
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Physical electronics and circuit models of transistors

Paul E. Gray

New York Wiley 1964

Localização: CENA - Cent. En. Nuclear na Agricultura    (621.315.59 G781p v.2 0511 ) e outros locais(Acessar)

5
Semiconductor technology
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Semiconductor technology

Vadim Arkad'evich Bruk Vladimir Vasil'evich Garshenin; Anatolii Ivanovich Kurnosov

Moscow Mir Publishers 1969

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6
Metal–Insulator–Semiconductor Diode Consisting of Two-Dimensional Nanomaterials
Metal–Insulator–Semiconductor Diode Consisting of Two-Dimensional Nanomaterials
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Metal–Insulator–Semiconductor Diode Consisting of Two-Dimensional Nanomaterials

Jeong, Hyun ; Oh, Hye Min ; Bang, Seungho ; Jeong, Hyeon Jun ; An, Sung-Jin ; Han, Gang Hee ; Kim, Hyun ; Yun, Seok Joon ; Kim, Ki Kang ; Park, Jin Cheol ; Lee, Young Hee ; Lerondel, Gilles ; Jeong, Mun Seok

Nano letters, 2016-03, Vol.16 (3), p.1858-1862 [Periódico revisado por pares]

United States: American Chemical Society

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7
Experimental study of Ni/TiO2/β-Ga2O3 metal–dielectric–semiconductor diodes using p-NiO junction termination extension
Experimental study of Ni/TiO2/β-Ga2O3 metal–dielectric–semiconductor diodes using p-NiO junction termination extension
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Experimental study of Ni/TiO2/β-Ga2O3 metal–dielectric–semiconductor diodes using p-NiO junction termination extension

Williams, Jeremiah ; Wang, Weisong ; Hendricks, Nolan S. ; Adams, Aaron ; Piel, Joshua ; Dryden, Daniel M. ; Liddy, Kyle ; Sepelak, Nicholas ; Morell, Bradley ; Islam, Ahmad ; Green, Andrew

Journal of vacuum science & technology. A, Vacuum, surfaces, and films, 2024-05, Vol.42 (3) [Periódico revisado por pares]

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8
Low-voltage operation of ferroelectric poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene) copolymer capacitors and metal-ferroelectric- insulator-semiconductor diodes
Low-voltage operation of ferroelectric poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene) copolymer capacitors and metal-ferroelectric- insulator-semiconductor diodes
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Low-voltage operation of ferroelectric poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene) copolymer capacitors and metal-ferroelectric- insulator-semiconductor diodes

Fujisaki, Sumiko ; Ishiwara, Hiroshi ; Fujisaki, Yoshihisa

Applied physics letters, 2007-04, Vol.90 (16), p.162902-162902-3 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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9
Inherent characteristics of ultra-photosensitive Al/Cu–CeO2/p-Si metal oxide semiconductor diodes
Inherent characteristics of ultra-photosensitive Al/Cu–CeO2/p-Si metal oxide semiconductor diodes
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Inherent characteristics of ultra-photosensitive Al/Cu–CeO2/p-Si metal oxide semiconductor diodes

Manikandan, V ; Marnadu, R ; Chandrasekaran, J ; Vigneselvan, S ; Mane, R S ; Banks, Craig E ; Mirzaei, Ali

Journal of materials chemistry. C, Materials for optical and electronic devices, 2022-01, Vol.10 (4), p.1445-1457 [Periódico revisado por pares]

Cambridge: Royal Society of Chemistry

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10
Estimation of carrier mobility and charge behaviors of organic semiconductor films in metal-insulator-semiconductor diodes consisting of high-k oxide/organic semiconductor double layers
Estimation of carrier mobility and charge behaviors of organic semiconductor films in metal-insulator-semiconductor diodes consisting of high-k oxide/organic semiconductor double layers
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Estimation of carrier mobility and charge behaviors of organic semiconductor films in metal-insulator-semiconductor diodes consisting of high-k oxide/organic semiconductor double layers

Chosei, Naoya ; Itoh, Eiji

Japanese Journal of Applied Physics, 2018-02, Vol.57 (2S2), p.2 [Periódico revisado por pares]

Tokyo: The Japan Society of Applied Physics

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