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1
Parasitic conduction response to X-ray radiation in unstrained and strained triple-gate SOI MuGFETs
Parasitic conduction response to X-ray radiation in unstrained and strained triple-gate SOI MuGFETs
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Parasitic conduction response to X-ray radiation in unstrained and strained triple-gate SOI MuGFETs

Fernando Ferrari Teixeira João Antonio Martino 1959-; Caio Cesar Mendes Bordallo; Marcilei Aparecida Guazzelli da Silveira; Paula Ghedini Der Agopian; Eddy Simoen; Cor Claeys

Journal of Integrated Circuits and Systems v. 9, n. 2, p. 97-102, Jan 2014

2014

Acesso online

2
Influence of gate insulator and AlGaN barrier layer on MISHEMT conduction mechanisms
Influence of gate insulator and AlGaN barrier layer on MISHEMT conduction mechanisms
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Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Influence of gate insulator and AlGaN barrier layer on MISHEMT conduction mechanisms

Bruno Godoy Canales João Antonio Martino 1959-; Paula Ghedini Der Agopian; Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro) (37th 2023 Rio de Janeiro, RJ, Brasil

SBMicro [Piscataway]: IEEE, 2023

Piscataway IEEE 2023

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3
Impact of the NW-TFET Diameter on the Efficiency and the Intrinsic Voltage Gain From a Conduction Regime Perspective
Impact of the NW-TFET Diameter on the Efficiency and the Intrinsic Voltage Gain From a Conduction Regime Perspective
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Impact of the NW-TFET Diameter on the Efficiency and the Intrinsic Voltage Gain From a Conduction Regime Perspective

Caio Cesar Mendes Bordallo Cor Claeys; Aaron Thean; Eddy Simoen; A Vandooren; Rita Rooyackers; Paula Ghedini Der Agopian; Victor de Bodt Sivieri; João Antonio Martino 1959-

IEEE Transactions on Electron Devices v. 63, n. 7, p. 2930-2935, July 2016

2016

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4
Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados.
Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados.
Material Type:
Dissertação de Mestrado 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC) em SOI-FInFETS tensionados e radiados.

Nascimento, Vinicius Mesquita Do

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2017-02-17

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5
Estudo do comportamento de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) operando em diferentes temperaturas.
Estudo do comportamento de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) operando em diferentes temperaturas.
Material Type:
Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo do comportamento de transistores de tunelamento induzido por efeito de campo (TFET) operando em diferentes temperaturas.

Bordallo, Caio Cesar Mendes

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2017-11-24

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6
Projeto de aplicação de amplificadores operacionais de transcondutância baseados no comportamento experimental de line-TFETs.
Projeto de aplicação de amplificadores operacionais de transcondutância baseados no comportamento experimental de line-TFETs.
Material Type:
Dissertação de Mestrado 		Adicionar ao Meu Espaço

Projeto de aplicação de amplificadores operacionais de transcondutância baseados no comportamento experimental de line-TFETs.

Gonçalez Filho, Walter

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2020-02-17

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7
Estudo da região de sublimiar de transistores SOI avançados.
Estudo da região de sublimiar de transistores SOI avançados.
Material Type:
Dissertação de Mestrado 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo da região de sublimiar de transistores SOI avançados.

Silva, Vanessa Cristina Pereira Da

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2018-02-05

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8
Estudo de amplificadores operacionais de transcondutância projetados com túnel-FETs e MOSFETs fabricados em estruturas de nanofios
Estudo de amplificadores operacionais de transcondutância projetados com túnel-FETs e MOSFETs fabricados em estruturas de nanofios
Material Type:
Dissertação de Mestrado 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo de amplificadores operacionais de transcondutância projetados com túnel-FETs e MOSFETs fabricados em estruturas de nanofios

Nogueira, Alexandro De Moraes

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2020-08-21

Acesso online

9
Caracterização elétrica de túnel-FET em estrutura de nanofio com fontes de SiGe e Ge em função da temperatura.
Caracterização elétrica de túnel-FET em estrutura de nanofio com fontes de SiGe e Ge em função da temperatura.
Material Type:
Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Caracterização elétrica de túnel-FET em estrutura de nanofio com fontes de SiGe e Ge em função da temperatura.

Souza, Felipe Neves

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2015-06-22

Acesso online

10
Estudo de transistores de porta tripla (FinFETs) de silício e de germânio.
Estudo de transistores de porta tripla (FinFETs) de silício e de germânio.
Material Type:
Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo de transistores de porta tripla (FinFETs) de silício e de germânio.

Oliveira, Alberto Vinicius De

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2016-12-13

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  1. Martino, J
  2. Agopian, P
  3. Bordallo, C
  4. Simoen, E
  5. Der Agopian, P

Neste Assunto:

  1. Transistores
  2. Silício
  3. Nanowire
  4. Band-To-Band Tunneling
  5. Amplificadores

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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