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A III-V nanowire channel on silicon for high-performance vertical transistors
A III-V nanowire channel on silicon for high-performance vertical transistors
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A III-V nanowire channel on silicon for high-performance vertical transistors

TOMIOKA, Katsuhiro ; YOSHIMURA, Masatoshi ; FUKUI, Takashi

Nature (London), 2012-08, Vol.488 (7410), p.189-192 [Periódico revisado por pares]

London: Nature Publishing Group

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2
Current increment of tunnel field-effect transistor using InGaAs nanowire/Si heterojunction by scaling of channel length
Current increment of tunnel field-effect transistor using InGaAs nanowire/Si heterojunction by scaling of channel length
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Current increment of tunnel field-effect transistor using InGaAs nanowire/Si heterojunction by scaling of channel length

Tomioka, Katsuhiro ; Fukui, Takashi

Applied physics letters, 2014-02, Vol.104 (7) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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Tunnel field-effect transistor using InAs nanowire/Si heterojunction
Tunnel field-effect transistor using InAs nanowire/Si heterojunction
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Tunnel field-effect transistor using InAs nanowire/Si heterojunction

Tomioka, Katsuhiro ; Fukui, Takashi

Applied physics letters, 2011-02, Vol.98 (8), p.083114-083114-3 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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4
Control of InAs Nanowire Growth Directions on Si
Control of InAs Nanowire Growth Directions on Si
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Control of InAs Nanowire Growth Directions on Si

Tomioka, Katsuhiro ; Motohisa, Junichi ; Hara, Shinjiroh ; Fukui, Takashi

Nano letters, 2008-10, Vol.8 (10), p.3475-3480 [Periódico revisado por pares]

Washington, DC: American Chemical Society

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5
GaAs/AlGaAs Core Multishell Nanowire-Based Light-Emitting Diodes on Si
GaAs/AlGaAs Core Multishell Nanowire-Based Light-Emitting Diodes on Si
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

GaAs/AlGaAs Core Multishell Nanowire-Based Light-Emitting Diodes on Si

Tomioka, Katsuhiro ; Motohisa, Junichi ; Hara, Shinjiroh ; Hiruma, Kenji ; Fukui, Takashi

Nano letters, 2010-05, Vol.10 (5), p.1639-1644 [Periódico revisado por pares]

Washington, DC: American Chemical Society

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6
Rational synthesis of atomically thin quantum structures in nanowires based on nucleation processes
Rational synthesis of atomically thin quantum structures in nanowires based on nucleation processes
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Rational synthesis of atomically thin quantum structures in nanowires based on nucleation processes

Tomioka, Katsuhiro ; Motohisa, Junichi ; Fukui, Takashi

Scientific reports, 2020-07, Vol.10 (1), p.10720-10720, Article 10720 [Periódico revisado por pares]

London: Nature Publishing Group

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7
Recent progress in integration of III-V nanowire transistors on Si substrate by selective-area growth
Recent progress in integration of III-V nanowire transistors on Si substrate by selective-area growth
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Recent progress in integration of III-V nanowire transistors on Si substrate by selective-area growth

Tomioka, Katsuhiro ; Fukui, Takashi

Journal of physics. D, Applied physics, 2014-10, Vol.47 (39), p.394001-13 [Periódico revisado por pares]

IOP Publishing

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Single GaAs/GaAsP Coaxial Core−Shell Nanowire Lasers
Single GaAs/GaAsP Coaxial Core−Shell Nanowire Lasers
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Single GaAs/GaAsP Coaxial Core−Shell Nanowire Lasers

Hua, Bin ; Motohisa, Junichi ; Kobayashi, Yasunori ; Hara, Shinjiroh ; Fukui, Takashi

Nano letters, 2009-01, Vol.9 (1), p.112-116 [Periódico revisado por pares]

Washington, DC: American Chemical Society

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InGaAs-InP core–shell nanowire/Si junction for vertical tunnel field-effect transistor
InGaAs-InP core–shell nanowire/Si junction for vertical tunnel field-effect transistor
Material Type:
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InGaAs-InP core–shell nanowire/Si junction for vertical tunnel field-effect transistor

Tomioka, Katsuhiro ; Ishizaka, Fumiya ; Motohisa, Junichi ; Fukui, Takashi

Applied physics letters, 2020-09, Vol.117 (12) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

Texto completo disponível

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10
Selective-Area Growth of InAs Nanowires on Ge and Vertical Transistor Application
Selective-Area Growth of InAs Nanowires on Ge and Vertical Transistor Application
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Selective-Area Growth of InAs Nanowires on Ge and Vertical Transistor Application

Tomioka, Katsuhiro ; Izhizaka, Fumiya ; Fukui, Takashi

Nano letters, 2015-11, Vol.15 (11), p.7253-7257 [Periódico revisado por pares]

United States: American Chemical Society

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