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Graphene spintronics: Spin injection and proximity effects from first principles
Graphene spintronics: Spin injection and proximity effects from first principles
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Graphene spintronics: Spin injection and proximity effects from first principles

Lazić, P. ; Sipahi, G. M. ; Kawakami, R. K. ; Žutić, Igor

Physical review. B, Condensed matter and materials physics, 2014-08, Vol.90 (8), Article 085429 [Periódico revisado por pares]

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Systematic study of magnetic linear dichroism and birefringence in (Ga,Mn)As
Systematic study of magnetic linear dichroism and birefringence in (Ga,Mn)As
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Systematic study of magnetic linear dichroism and birefringence in (Ga,Mn)As

Tesařová, N. ; Ostatnický, T. ; Novák, V. ; Olejník, K. ; Šubrt, J. ; Reichlová, H. ; Ellis, C. T. ; Mukherjee, A. ; Lee, J. ; Sipahi, G. M. ; Sinova, J. ; Hamrle, J. ; Jungwirth, T. ; Němec, P. ; Černe, J. ; Výborný, K.

Physical review. B, Condensed matter and materials physics, 2014-02, Vol.89 (8), Article 085203 [Periódico revisado por pares]

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Spin-polarized transport in II–VI diluted magnetic semiconductors superlattices
Spin-polarized transport in II–VI diluted magnetic semiconductors superlattices
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Spin-polarized transport in II–VI diluted magnetic semiconductors superlattices

Gomes, J.L. ; Rodrigues, S.C.P. ; Sipahi, G.M. ; Scolfaro, L. ; da Silva, E.F.

Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology, 2012-07, Vol.177 (12), p.962-966 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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Luminescence studies on nitride quaternary alloys double quantum wells
Luminescence studies on nitride quaternary alloys double quantum wells
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Luminescence studies on nitride quaternary alloys double quantum wells

Rodrigues, S.C.P. ; dos Santos, O.F.P. ; Scolfaro, L.M.R. ; Sipahi, G.M. ; da Silva, E.F.

Applied surface science, 2008-09, Vol.254 (23), p.7790-7793 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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The effect of additional Si and SiGe layers on the confinement potential of GeMn diluted ferromagnetic semiconductor
The effect of additional Si and SiGe layers on the confinement potential of GeMn diluted ferromagnetic semiconductor
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The effect of additional Si and SiGe layers on the confinement potential of GeMn diluted ferromagnetic semiconductor

Rodrigues, S.C.P. ; Araújo, Y.R.V. ; Sipahi, G.M. ; Scolfaro, L.M.R. ; da Silva, E.F.

Applied surface science, 2008-11, Vol.255 (3), p.709-711 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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Calculations of optical properties in p-doped nitrides quaternary alloys multiple quantum wells
Calculations of optical properties in p-doped nitrides quaternary alloys multiple quantum wells
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Calculations of optical properties in p-doped nitrides quaternary alloys multiple quantum wells

Rodrigues, S.C.P. ; d'Eurydice, M.N. ; Sipahi, G.M. ; da Silva, E.F.

Thin solid films, 2006-10, Vol.515 (2), p.782-785 [Periódico revisado por pares]

Lausanne: Elsevier B.V

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Calculations of electronic and optical properties in p-doped AlGaN/GaN superlattices and quantum wells
Calculations of electronic and optical properties in p-doped AlGaN/GaN superlattices and quantum wells
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Calculations of electronic and optical properties in p-doped AlGaN/GaN superlattices and quantum wells

Rodrigues, S.C.P. ; Sipahi, G.M.

Journal of crystal growth, 2002-12, Vol.246 (3), p.347-354 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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Inter- and Intraband Transitions in Cubic Nitride Quantum Wells
Inter- and Intraband Transitions in Cubic Nitride Quantum Wells
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Inter- and Intraband Transitions in Cubic Nitride Quantum Wells

Rodrigues, S.C.P. ; Sipahi, G.M. ; Scolfaro, L.M.R. ; Noriega, O.C. ; Leite, J.R. ; Frey, T. ; As, D.J. ; Schikora, D. ; Lischka, K.

Physica status solidi. A, Applied research, 2002-03, Vol.190 (1), p.121-127

Berlin: WILEY-VCH Verlag Berlin GmbH

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Optical Characterization of Cubic AlGaN/GaN Quantum Wells
Optical Characterization of Cubic AlGaN/GaN Quantum Wells
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Optical Characterization of Cubic AlGaN/GaN Quantum Wells

Köhler, U. ; As, D.J. ; Potthast, S. ; Khartchenko, A. ; Lischka, K. ; Noriega, O.C. ; Meneses, E.A. ; Tabata, A. ; Rodrigues, S.C.P. ; Scolfaro, L.M.R. ; Sipahi, G.M. ; Leite, J.R.

Physica status solidi. A, Applied research, 2002-07, Vol.192 (1), p.129-134

Berlin: WILEY-VCH Verlag Berlin GmbH

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Comparative studies of photoluminescence from n and p δ doping wells in GaAs
Comparative studies of photoluminescence from n and p δ doping wells in GaAs
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Comparative studies of photoluminescence from n and p δ doping wells in GaAs

Enderlein, R. ; Sipahi, G.M. ; Scolfaro, L.M.R. ; Leite, J.R. ; Diaz, I.F.L.

Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology, 1995-12, Vol.35 (1), p.396-400 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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