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Spin-polarized transport in II–VI diluted magnetic semiconductors superlattices
Spin-polarized transport in II–VI diluted magnetic semiconductors superlattices
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Spin-polarized transport in II–VI diluted magnetic semiconductors superlattices

Gomes, J.L. ; Rodrigues, S.C.P. ; Sipahi, G.M. ; Scolfaro, L. ; da Silva, E.F.

Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology, 2012-07, Vol.177 (12), p.962-966 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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2
Luminescence studies on nitride quaternary alloys double quantum wells
Luminescence studies on nitride quaternary alloys double quantum wells
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Luminescence studies on nitride quaternary alloys double quantum wells

Rodrigues, S.C.P. ; dos Santos, O.F.P. ; Scolfaro, L.M.R. ; Sipahi, G.M. ; da Silva, E.F.

Applied surface science, 2008-09, Vol.254 (23), p.7790-7793 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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3
The effect of additional Si and SiGe layers on the confinement potential of GeMn diluted ferromagnetic semiconductor
The effect of additional Si and SiGe layers on the confinement potential of GeMn diluted ferromagnetic semiconductor
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The effect of additional Si and SiGe layers on the confinement potential of GeMn diluted ferromagnetic semiconductor

Rodrigues, S.C.P. ; Araújo, Y.R.V. ; Sipahi, G.M. ; Scolfaro, L.M.R. ; da Silva, E.F.

Applied surface science, 2008-11, Vol.255 (3), p.709-711 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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4
Calculations of optical properties in p-doped nitrides quaternary alloys multiple quantum wells
Calculations of optical properties in p-doped nitrides quaternary alloys multiple quantum wells
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Calculations of optical properties in p-doped nitrides quaternary alloys multiple quantum wells

Rodrigues, S.C.P. ; d'Eurydice, M.N. ; Sipahi, G.M. ; da Silva, E.F.

Thin solid films, 2006-10, Vol.515 (2), p.782-785 [Periódico revisado por pares]

Lausanne: Elsevier B.V

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5
Calculations of electronic and optical properties in p-doped AlGaN/GaN superlattices and quantum wells
Calculations of electronic and optical properties in p-doped AlGaN/GaN superlattices and quantum wells
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Calculations of electronic and optical properties in p-doped AlGaN/GaN superlattices and quantum wells

Rodrigues, S.C.P. ; Sipahi, G.M.

Journal of crystal growth, 2002-12, Vol.246 (3), p.347-354 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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6
Hole band structure of p-type delta-doping quantum wells in silicon
Hole band structure of p-type delta-doping quantum wells in silicon
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Hole band structure of p-type delta-doping quantum wells in silicon

Rosa, A.L ; Scolfaro, L.M.R ; Sipahi, G.M ; Enderlein, R ; Leite, J.R

Microelectronic engineering, 1998-08, Vol.43-44, p.489-496 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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7
Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells
Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells
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Valence-band structure of undoped and p-doped cubic GaN/InGaN multiple quantum wells

Rodrigues, S.C.P ; Sipahi, G.M ; Scolfaro, L.M.R ; Leite, J.R

Physica. B, Condensed matter, 2001, Vol.302, p.106-113 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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8
Comparative studies of photoluminescence from n and p δ doping wells in GaAs
Comparative studies of photoluminescence from n and p δ doping wells in GaAs
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Comparative studies of photoluminescence from n and p δ doping wells in GaAs

Enderlein, R. ; Sipahi, G.M. ; Scolfaro, L.M.R. ; Leite, J.R. ; Diaz, I.F.L.

Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology, 1995-12, Vol.35 (1), p.396-400 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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9
Optical and electronic properties of AlInGaN/InGaN superlattices
Optical and electronic properties of AlInGaN/InGaN superlattices
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Optical and electronic properties of AlInGaN/InGaN superlattices

Rodrigues, S.C.P. ; Sipahi, G.M. ; da Silva, E.F.

Microelectronics, 2005-03, Vol.36 (3), p.434-437

Elsevier Ltd

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10
Design of InGaN/AlInGaN superlattices for white-light device applications
Design of InGaN/AlInGaN superlattices for white-light device applications
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Design of InGaN/AlInGaN superlattices for white-light device applications

Rodrigues, S.C.P. ; d'Eurydice, M.N. ; Sipahi, G.M. ; da Silva, E.F.

Microelectronics, 2005-11, Vol.36 (11), p.1002-1005

Elsevier Ltd

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