Near-field optical spectroscopy using an incoherent light source

Aigouy, L. ; Andréani, F. X. ; Boccara, A. C. ; Rivoal, J. C. ; Porto, J. A. ; Carminati, R. ; Greffet, J.-J. ; Mégy, R.

American Institute of Physics

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Comment on ‘‘Ion mixing of metal/Al bilayers near 77 K’’ [Appl. Phys. Lett. 5 4 , 413 (1989)]

Vasconcellos, M. A. Z. ; Borges da Costa, J. A. T. ; Schreiner, W. H. ; Baumvol, I. J. R.

United States

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Synthesis and multiferroic properties of Bi{sub 0.8}A{sub 0.2}FeO{sub 3} (A=Ca,Sr,Pb) ceramics

Khomchenko, V. A. ; Kiselev, D. A. ; Vieira, J. M. ; Kholkin, A. L. ; Sa, M. A. ; Pogorelov, Y. G. ; IFIMUP/Department of Physics, University of Porto, Rua Campo Alegre 687, 4169-007 Porto

United States

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Comparison of fluctuating potentials and donor-acceptor pair transitions in a Cu-poor Cu{sub 2}ZnSnS{sub 4} based solar cell

Teixeira, J. P. ; Sousa, R. A. ; Sousa, M. G. ; Cunha, A. F. da ; Leitão, J. P. ; Fernandes, P. A. ; Departamento de Física, Instituto Superior de Engenharia do Porto, Instituto Politécnico do Porto, Rua Dr. António Bernardino de Almeida, 431, 4200-072 Porto ; Salomé, P. M. P. ; González, J. C.

United States

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Behavior of a hollow core photonic crystal fiber under high radial pressure for downhole application

Sadeghi, J. ; Latifi, H. ; Santos, J. L. ; Chenari, Z. ; Ziaee, F.

Melville: American Institute of Physics

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Enhanced resistive switching and multilevel behavior in bilayered HfAlO/HfAlO{sub x} structures for non-volatile memory applications

Faita, F. L. ; Departamento de Física, Universidade Federal de Santa Catarina, Campus Trindade, 88040-900 Florianópolis, SC ; Silva, J. P. B. ; IFIMUP and IN-Institute of Nanoscience and Nanotechnology, Departamento de Física e Astronomia, Faculdade de Ciências da Universidade do Porto, 4169-007 Porto ; Pereira, M. ; Gomes, M. J. M.

United States

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SiO{sub 2}/SiC structures annealed in D{sub 2}{sup 18}O: Compositional and electrical effects

Pitthan, E. ; Corrêa, S. A. ; Soares, G. V. ; Boudinov, H. I. ; Instituto de Física, UFRGS, 91509-900, Porto Alegre, RS ; Stedile, F. C. ; Instituto de Química, UFRGS, 91509-900, Porto Alegre, RS

United States

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Diluted manganese on the bond-centered site in germanium

Decoster, S ; Cottenier, S ; Wahl, U ; Correia, J G ; Pereira, L M. C ; Lacasta, C ; Da Silva, M R ; Vantomme, A

United States: American Institute of Physics

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Pure-carbon ring transistor: Role of topology and structure

Cuniberti, Gianaurelio ; Yi, Juyeon ; Porto, Markus

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Determination of thickness and composition of high-k dielectrics using high-energy electrons

Grande, P. L. ; Vos, M. ; Venkatachalam, D. K. ; Nandi, S. K. ; Elliman, R. G.

United States

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