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Achieving High Mobility and Excellent Stability in Amorphous In-Ga-Zn-Sn-O Thin-Film Transistors
Achieving High Mobility and Excellent Stability in Amorphous In-Ga-Zn-Sn-O Thin-Film Transistors
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Achieving High Mobility and Excellent Stability in Amorphous In-Ga-Zn-Sn-O Thin-Film Transistors

Choi, Il Man ; Kim, Min Jae ; On, Nuri ; Song, Aeran ; Chung, Kwun-Bum ; Jeong, Hoon ; Park, Jeong Ki ; Jeong, Jae Kyeong

IEEE transactions on electron devices, 2020-03, Vol.67 (3), p.1014-1020 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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2
InP HBT Technologies for THz Integrated Circuits
InP HBT Technologies for THz Integrated Circuits
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InP HBT Technologies for THz Integrated Circuits

Urteaga, Miguel ; Griffith, Zach ; Seo, Munkyo ; Hacker, Jonathan ; Rodwell, Mark J. W.

Proceedings of the IEEE, 2017-06, Vol.105 (6), p.1051-1067 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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3
Material Defects and Dark Currents in InGaAs/InP Avalanche Photodiode Devices
Material Defects and Dark Currents in InGaAs/InP Avalanche Photodiode Devices
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Material Defects and Dark Currents in InGaAs/InP Avalanche Photodiode Devices

Guo, Zilu ; Wang, Wenjuan ; Li, Yangjun ; Qu, Huidan ; Fan, Liuyan ; Chen, Xiren ; Zhu, Yicheng ; Gu, Yue ; Wang, Yajie ; Zheng, Changlin ; Chen, Pingping ; Lu, Wei

IEEE transactions on electron devices, 2022-09, Vol.69 (9), p.4944-4949 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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4
Experimental Detection on Thickness Fluctuation of InxGa1-xAs-Based Indium-Rich Cluster Structure
Experimental Detection on Thickness Fluctuation of InxGa1-xAs-Based Indium-Rich Cluster Structure
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Experimental Detection on Thickness Fluctuation of InxGa1-xAs-Based Indium-Rich Cluster Structure

Kong, Yanting ; Ma, Rong ; Shen, Bin ; Yu, Qingnan

IEEE photonics journal, 2022-01, Vol.14 (6), p.1-7 [Periódico revisado por pares]

Piscataway: IEEE

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5
Sub-mW Cryogenic InP HEMT LNA for Qubit Readout
Sub-mW Cryogenic InP HEMT LNA for Qubit Readout
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Sub-mW Cryogenic InP HEMT LNA for Qubit Readout

Zeng, Yin ; Stenarson, Jorgen ; Sobis, Peter ; Wadefalk, Niklas ; Grahn, Jan

IEEE transactions on microwave theory and techniques, 2024-03, Vol.72 (3), p.1-12 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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6
High-Voltage Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistors With ITO-Modulated Offset Region
High-Voltage Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistors With ITO-Modulated Offset Region
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High-Voltage Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistors With ITO-Modulated Offset Region

Yang, Guangan ; Song, Weijia ; Yu, Zuoxu ; Huang, Tingrui ; Cao, Jie ; Xu, Yong ; Sun, Huabin ; Sun, Weifeng ; Wu, Wangran

IEEE transactions on electron devices, 2024-05, Vol.71 (5), p.2990-2994 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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7
Optically Transparent Subarray Antenna Based on Solar Panel for CubeSat Application
Optically Transparent Subarray Antenna Based on Solar Panel for CubeSat Application
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Optically Transparent Subarray Antenna Based on Solar Panel for CubeSat Application

Zarbakhsh, Saman ; Akbari, Mohammad ; Farahani, Mohammadmahdi ; Ghayekhloo, Alireza ; Denidni, Tayeb A. ; Sebak, Abdel-Razik

IEEE transactions on antennas and propagation, 2020-01, Vol.68 (1), p.319-328 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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8
A 220-GHz InP HEMT Direct Detection Polarimeter
A 220-GHz InP HEMT Direct Detection Polarimeter
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

A 220-GHz InP HEMT Direct Detection Polarimeter

Cooke, Caitlyn M. ; Leong, Kevin M. K. H. ; Escorcia, Alfonso ; Nguyen, Khanh ; Mei, Xiao Bing ; Arroyo, Jennifer ; Barton, Taylor W. ; Wu, Dong L. ; Deal, William R.

IEEE transactions on microwave theory and techniques, 2019-12, Vol.67 (12), p.5191-5201 [Periódico revisado por pares]

Goddard Space Flight Center: IEEE

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9
High-Performance Oxide TFTs With Co-Sputtered Indium Tin Oxide and Indium-Gallium-Zinc Oxide at Source and Drain Contacts
High-Performance Oxide TFTs With Co-Sputtered Indium Tin Oxide and Indium-Gallium-Zinc Oxide at Source and Drain Contacts
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High-Performance Oxide TFTs With Co-Sputtered Indium Tin Oxide and Indium-Gallium-Zinc Oxide at Source and Drain Contacts

Choi, Sung-Hwan

IEEE electron device letters, 2021-02, Vol.42 (2), p.168-171 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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10
Performance Improvement of Amorphous Thin-Film Transistors With Solution-Processed InZnO/InMgZnO Bilayer Channels
Performance Improvement of Amorphous Thin-Film Transistors With Solution-Processed InZnO/InMgZnO Bilayer Channels
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Performance Improvement of Amorphous Thin-Film Transistors With Solution-Processed InZnO/InMgZnO Bilayer Channels

Weng, Le ; Zhang, Shuo ; Kuang, Dan ; Liu, Bin ; Liu, Xianwen ; Jiang, Baiqi ; Zhang, Guangchen ; Bao, Zongchi ; Ning, Ce ; Shi, Dawei ; Guo, Jian ; Yuan, Guangcai ; Yu, Zhinong

IEEE transactions on electron devices, 2023-08, Vol.70 (8), p.1-8 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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