skip to main content
Idioma:
Resultados 1 2 3 4 5 next page
Mostrar Somente
Refinado por: Nome da Publicação: Japanese Journal Of Applied Physics remover
Result Number Material Type Add to My Shelf Action Record Details and Options
1
Formation of Two-Dimensional Network Structure of DNA Molecules on Si Substrate
Formation of Two-Dimensional Network Structure of DNA Molecules on Si Substrate
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Formation of Two-Dimensional Network Structure of DNA Molecules on Si Substrate

Tanaka, Shin-ichi ; Cai, Lin-Tao ; Tabata, Hitoshi ; Kawai, Tomoji

Japanese Journal of Applied Physics, 2001-04, Vol.40 (4B), p.L407-L409 [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

Citações Citado por
2
Growth mechanism of BaTiO3 thin film by theoretical calculation of electronic structure
Growth mechanism of BaTiO3 thin film by theoretical calculation of electronic structure
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Growth mechanism of BaTiO3 thin film by theoretical calculation of electronic structure

KANG, Y.-S ; TANAKA, I ; ADACHI, H ; PARK, S. J

Japanese journal of applied physics, 1996-12, Vol.35 (12A), p.L1614-L1617 [Periódico revisado por pares]

Tokyo: Japanese journal of applied physics

Texto completo disponível

Citações Citado por
3
Photoluminescence Properties of ZnO Thin Films Grown by Electrochemical Deposition
Photoluminescence Properties of ZnO Thin Films Grown by Electrochemical Deposition
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Photoluminescence Properties of ZnO Thin Films Grown by Electrochemical Deposition

Kim, DaeGwi ; Terashita, Toru ; Tanaka, Isamu ; Nakayama, Masaaki

Japanese Journal of Applied Physics, 2003-08, Vol.42 (Part 2, No. 8A), p.L935-L937 [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

Citações Citado por
4
XAFS Studies of Amorphous Silicon Nitride
XAFS Studies of Amorphous Silicon Nitride
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

XAFS Studies of Amorphous Silicon Nitride

Umesaki, N. ; Kamijo, N. ; Tanaka, I. ; Niihara, K.

Japanese Journal of Applied Physics, 1993-01, Vol.32 (S2), p.649 [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

Citações Citado por
5
ELECTRONIC STRUCTURE AND CHEMICAL BONDINGS OF MgCr2-xO4
ELECTRONIC STRUCTURE AND CHEMICAL BONDINGS OF MgCr2-xO4
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

ELECTRONIC STRUCTURE AND CHEMICAL BONDINGS OF MgCr2-xO4

Moriwake, H ; Tanaka, I ; Oba, F ; Adachi, H

Jpn.J.Appl.Phys ,Part 1. Vol. 39, no. 2A, pp. 513-516. 2000, 2000, Vol.39 (2A), p.513-516 [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

Citações Citado por
6
Computer experiment on soliton excitation in two-dimensional crystals
Computer experiment on soliton excitation in two-dimensional crystals
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Computer experiment on soliton excitation in two-dimensional crystals

TANAKA, I ; OZAWA, S ; HIKI, Y

Japanese Journal of Applied Physics, , Vol.36 (5B), p.2964-2965 [Periódico revisado por pares]

Tokyo: Japanese journal of applied physics

Texto completo disponível

Citações Citado por
7
Multi-chamber ultrahigh vacuum scanning tunneling microscope system for investigating processed GaAs surfaces and observation of argon-ion-bombarded GaAs surfaces
Multi-chamber ultrahigh vacuum scanning tunneling microscope system for investigating processed GaAs surfaces and observation of argon-ion-bombarded GaAs surfaces
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Multi-chamber ultrahigh vacuum scanning tunneling microscope system for investigating processed GaAs surfaces and observation of argon-ion-bombarded GaAs surfaces

TANAKA, I ; OHKOUCHI, S

Japanese Journal of Applied Physics, 1993, Vol.32 (5A), p.2152-2156 [Periódico revisado por pares]

Tokyo: Japanese journal of applied physics

Texto completo disponível

Citações Citado por
8
Photoluminescence properties of GaAs/AlAs short-period superlattices
Photoluminescence properties of GaAs/AlAs short-period superlattices
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Photoluminescence properties of GaAs/AlAs short-period superlattices

NAKAYAMA, M ; TANAKA, I ; KIMURA, I ; NISHIMURA, H

Japanese Journal of Applied Physics, 1990-01, Vol.29 (1), p.41-47 [Periódico revisado por pares]

Tokyo: Japanese journal of applied physics

Texto completo disponível

Citações Citado por
9
Surface smoothness and step bunching on GaAs(111)B facets formed by molecular beam epitaxy
Surface smoothness and step bunching on GaAs(111)B facets formed by molecular beam epitaxy
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Surface smoothness and step bunching on GaAs(111)B facets formed by molecular beam epitaxy

NAKAMURA, Y ; TANAKA, I ; TAKEUCHI, N ; KOSHIBA, S ; NOGE, H ; SAKAKI, H

Japanese Journal of Applied Physics, 1996, Vol.35 (7), p.4038-4039 [Periódico revisado por pares]

Tokyo: Japanese journal of applied physics

Texto completo disponível

Citações Citado por
10
Atomic-scale fluctuation of the terrace width on vicinal (001) GaAs surfaces
Atomic-scale fluctuation of the terrace width on vicinal (001) GaAs surfaces
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Atomic-scale fluctuation of the terrace width on vicinal (001) GaAs surfaces

OHKOUCHI, S ; TANAKA, I

Japanese Journal of Applied Physics, 1991-10, Vol.30 (10B), p.L1826-L1829 [Periódico revisado por pares]

Tokyo: Japanese journal of applied physics

Texto completo disponível

Citações Citado por
Resultados 1 2 3 4 5 next page

Personalize Seus Resultados

  1. Editar

Refine Search Results

Expandir Meus Resultados

  1.   

Mostrar Somente

  1. Recursos Online (2.807)
  2. Revistas revisadas por pares (2.807)

Data de Publicação 

De até
Refinar
  1. Antes de1973  (111)
  2. 1973Até1984  (202)
  3. 1985Até1996  (934)
  4. 1997Até2009  (818)
  5. Após 2009  (861)
  6. Mais opções open sub menu

Idioma 

  1. Inglês  (2.916)
  2. Japonês  (1.369)
  3. Mais opções open sub menu

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

Buscando em bases de dados remotas. Favor aguardar.