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Refinado por: assunto: Quantum Dot Lasers remover
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Quantum dot lasers with asymmetric barrier layers: Close-to-ideal threshold and power characteristics
Quantum dot lasers with asymmetric barrier layers: Close-to-ideal threshold and power characteristics
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Quantum dot lasers with asymmetric barrier layers: Close-to-ideal threshold and power characteristics

Asryan, L.V.

Quantum electronics (Woodbury, N.Y.), 2019-06, Vol.49 (6), p.522-528 [Periódico revisado por pares]

Bristol: Kvantovaya Elektronika, Turpion Ltd and IOP Publishing

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2
Modulation Bandwidth of Double Tunneling-Injection Quantum Dot Lasers: Effect of Out-Tunneling Leakage
Modulation Bandwidth of Double Tunneling-Injection Quantum Dot Lasers: Effect of Out-Tunneling Leakage
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Modulation Bandwidth of Double Tunneling-Injection Quantum Dot Lasers: Effect of Out-Tunneling Leakage

Asryan, Levon V. ; Kar, Saurav

IEEE journal of quantum electronics, 2019-02, Vol.55 (1), p.1-9 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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3
Output power of a quantum dot laser: Effects of excited states
Output power of a quantum dot laser: Effects of excited states
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Output power of a quantum dot laser: Effects of excited states

Wu, Yuchang ; Jiang, Li ; Asryan, Levon V.

Journal of applied physics, 2015-11, Vol.118 (18) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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4
Modulation bandwidth of a double tunnelling-injection quantum dot laser
Modulation bandwidth of a double tunnelling-injection quantum dot laser
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Modulation bandwidth of a double tunnelling-injection quantum dot laser

Asryan, Levon V

Semiconductor science and technology, 2015-03, Vol.30 (3), p.35022 [Periódico revisado por pares]

IOP Publishing

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5
Direct and indirect capture of carriers into the lasing ground state and the light-current characteristic of quantum dot lasers
Direct and indirect capture of carriers into the lasing ground state and the light-current characteristic of quantum dot lasers
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Direct and indirect capture of carriers into the lasing ground state and the light-current characteristic of quantum dot lasers

Wu, Yuchang ; Asryan, Levon V.

Journal of applied physics, 2014-03, Vol.115 (10) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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6
Tunneling-injection quantum-dot laser: ultrahigh temperature stability
Tunneling-injection quantum-dot laser: ultrahigh temperature stability
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Tunneling-injection quantum-dot laser: ultrahigh temperature stability

Asryan, L.V. ; Luryi, S.

IEEE journal of quantum electronics, 2001-07, Vol.37 (7), p.905-910 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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7
Temperature-insensitive semiconductor quantum dot laser
Temperature-insensitive semiconductor quantum dot laser
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Temperature-insensitive semiconductor quantum dot laser

Asryan, Levon V ; Luryi, Serge

Solid-state electronics, 2003-02, Vol.47 (2), p.205-212 [Periódico revisado por pares]

Elsevier Ltd

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8
Effect of the Wetting Layer on the Output Power of a Double Tunneling-Injection Quantum-Dot Laser
Effect of the Wetting Layer on the Output Power of a Double Tunneling-Injection Quantum-Dot Laser
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Effect of the Wetting Layer on the Output Power of a Double Tunneling-Injection Quantum-Dot Laser

Han, Dae-Seob ; Asryan, Levon V.

Journal of lightwave technology, 2009-12, Vol.27 (24), p.5775-5782 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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9
How Many Longitudinal Modes Can Oscillate in a Quantum-Dot Laser: An Analytical Estimate
How Many Longitudinal Modes Can Oscillate in a Quantum-Dot Laser: An Analytical Estimate
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How Many Longitudinal Modes Can Oscillate in a Quantum-Dot Laser: An Analytical Estimate

Li Jiang ; Asryan, L.V.

IEEE photonics technology letters, 2008-10, Vol.20 (20), p.1661-1663

New York: IEEE

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10
Excited-State-Mediated Capture of Carriers Into the Ground State and the Saturation of Optical Power in Quantum-Dot Lasers
Excited-State-Mediated Capture of Carriers Into the Ground State and the Saturation of Optical Power in Quantum-Dot Lasers
Material Type:
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Excited-State-Mediated Capture of Carriers Into the Ground State and the Saturation of Optical Power in Quantum-Dot Lasers

Li Jiang ; Asryan, L.V.

IEEE photonics technology letters, 2006-12, Vol.18 (24), p.2611-2613

New York: IEEE

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